Найдено научных статей и публикаций: 1196   
141.

Ролевые аспекты формирования личностных качеств в процессе становления руководителя госслужбы     

Птуха Николай Иванович - Образование: исследовано в мире , 2005
Птуха Николай Иванович, Ролевые аспекты формирования личностных качеств в процессе становления руководителя госслужбы // Образование: исследовано в мире [Электрон. ресурс]. -M.: oim.ru, 2005-01-23, http://www.oim.ru/
142.

Педагогический мониторинг качества профессиональной подготовки студентов в туристском вузе     

Павлова Светлана Георгиевна - Образование: исследовано в мире , 2002
Павлова Светлана Георгиевна, Педагогический мониторинг качества профессиональной подготовки студентов в туристском вузе // Образование: исследовано в мире [Электрон. ресурс]. -M.: oim.ru, 2002-08-20, http://www.oim.ru/
143.

Аморфные пленки гадолиний--кобальт в качестве сенсорной среды для топографирования неоднородных температурных полей     

Иванов В.Е., Кандаурова Г.С., Свалов А.В. - Журнал Технической Физики , 1997
Представлены результаты исследования отклика доменной структуры пленок Gd--Co на стационарные пространственно неоднородные плоские тепловые поля, создаваемые одним или двумя условно-точечными источниками тепла. Сформулированы некоторые простые принципы топографирования этих полей посредством наблюдения и измерения параметров доменной структуры аморфных пленок Gd--Co.
144.

Оценка качества перестраиваемых СВЧ фильтров на сегнетоэлектрических конденсаторах     

Плескачев В.В., Вендик И.Б. - Журнал Технической Физики , 2003
Эффективность перестройки микрополосковых фильтров, которые используют сегнетоэлектрические конденсаторы в качестве управляющих элементов, зависит как от свойств конденсаторов, так и от характеристик резонаторов фильтра. Качество перестраиваемого фильтра, определяемое отношением частотного диапазона перестройки центральной частоты фильтра к его полосе пропускания, учитывает свойства резонаторов и характеристики сегнетоэлектрического конденсатора. Предложенный параметр качества позволяет оценить предельные характеристики перестраиваемых фильтров.
145.

К вопросу об использовании соединения SnTe в качестве стандарта в мессбауэровской спектроскопии олова-119     

Балтрунас Д. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 1999
Из экспериментальных данных, полученных при исследовании изменения изомерных сдвигов в области гомогенности теллурида олова, следует, что это соединение не отвечает требованиям, предъявляемым к реперным соединениям.
146.

Влияние качества гетерограниц на спектры циклотронного резонанса гетероструктур InAs/(AlGa)Sb     

Васильев Ю.Б., Сучалкин С.Д., Иванов С.В., Мельцер Б.Я., Цацульников А.Ф., Неклюдов П.В., Копьев П.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Проведены измерения циклотронного резонанса в одиночных квантовых ямах InAs--AlGaSb IIтипа, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при различных условиях роста. Обнаружены квантовые осцилляции в спектрах циклотронного поглощения в образцах InAs--GaSb, которые объясняются рассеянием на короткодействующем потенциале, обусловленном шероховатостью гетерограницы. Предлагается новый метод оценки качества гетерограницы, основанный на измерении спектров циклотронного резонанса.
147.

Влияние параметров сапфировых подложек на кристаллическое качество слоевGaN     

Дроздов Ю.Н., Востоков Н.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Хрыкин О.И., Филимонов А.С., Шашкин В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Исследовано влияние некоторых видов обработки сапфировой подложки на свойства слоев нитрида галлия, полученных методом металлорганической газофазной эпитаксии.
148.

Эффекты ванье-штарковской локализации в 6H-SiC планарном полевом транзисторе с p-n-переходом в качестве затвора     

Санкин В.И., Шкребий П.П., Лебедев А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследовалась зависимость фототока короткого замыкания от напряженияVg на затворе 6H-SiC полевого планарного транзистора. При определенном значенииVg возникала отрицательная дифференциальная фотопроводимость, которая по своим параметрам соответствовала режиму ванье-штарковских лестниц в естественной сверхрешетке 6H-SiC. При этом же значенииVg происходило достаточно резкое падение к нулю тока сток--истокIsd, что означало отсечку при напряжении, существенно меньшем ожидаемого напряжения отсечки для этой структуры. Эффект объясняется падением подвижности в режиме ванье-штарковских лестниц, уменьшением скорости ионизации донорных атомов и ослаблением экранирования поля. PACS: 85.30.Tv, 71.70.Ej, 73.40.Lq
149.

Совершенствование методов и средств технологического контроля качества уплотнения бетонной смеси и прочностных характеристик монолитного бетона     

Сенников О. Е. - Библиотека ННГАСУ (Нижний Новгород) , 2005
Совершенствование методов и средств технологического контроля качества уплотнения бетонной смеси и прочностных характеристик монолитного бетона : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.23.08 / О. Е. Сенников ; Нижегор. гос. архитектур.-строит. ун-т. - Н. Новгород, 2005. - 23 с.
150.

Использование земельных участков в качестве инвестиционного ресурса промышленных предприятий     

Овчинников П. А. - Библиотека ННГАСУ (Нижний Новгород) , 2003
Использование земельных участков в качестве инвестиционного ресурса промышленных предприятий: Автореф.дис. ...канд.экон.наук: 08.00.05 / П. А. Овчинников; Нижегор.гос.архитектур.-строит.ун-т. - Н.Новгород, 2003. - 22с.