Приведены результаты экспериментальных исследований высокочастотного (ВЧ) ионного источника с улучшенным массовым составом пучка. Увеличение содержания протонов в пучке было достигнуто путем увеличения плотности ВЧ мощности в рязряде под антенной и установки вблизи плазменной сетки магнитного фильтра. Дополнительно были приняты меры для предотвращения наблюдавшейся ранее деградации состава пучка вследствие восстановления металлического алюминия на внутренней поверхности керамической разрядной камеры и выделения воды. Для этого камера была покрыта изнутри пластинами из пиролитического нитрида бора. PACS: 52.80.Pi

Исследовано изменение спектров фотолюминесценции и спектров ее возбуждения в процессе старения образцов пористого кремния на воздухе и в вакууме. Установлено, что характер изменений фотолюминесценции в процессе старения зависит от длины возбуждающего света: при возбуждении в видимой полосе спектра возбуждения люминесценции (lambdaexc>490 нм) наблюдается уменьшение интенсивности фотолюминесценции, а при возбуждении в ультрафиолетовой полосе--- преимущественно рост. Показано, что две полосы спектра возбуждения люминесценции (видимая и ультрафиолетовая) соответствуют двум разным объектам на поверхности пористого слоя.

Приведены и проанализированы результаты измерений характерных узких линий оптического поглощения и излучения, вызванных низкотемпературным (при температурах T=1.8/ 77 K) скольжением дислокаций в кристаллах сульфида кадмия. Линии оптического поглощения характеризуются гигантскими силами осцилляторов (f~1). Предложена и обоснована модель, объясняющая всю совокупность экспериментальных результатов для сульфида кадмия и других соединений AIIBVI. В предложенной модели дислокационное оптическое поглощение и дислокационное излучение связываются с образованием одномерных цепочек ассоциаций точечных дефектов при скольжении винтовых дислокаций со ступеньками. Из данных эксперимента рассчитаны линейная плотность ступенек и объемная плотность точечных дефектов в цепочках, а также оценены силы осцилляторов соответствующих оптических переходов.

Предложен способ получения гетероструктур с несколькими слоями InAs / InGaAs-квантовых точек методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs, обеспечивающий высокую интенсивность и малую ширину линии фотолюминесценции в диапазоне длин волн 1.3 мкм. Исследованы зависимости структурных и оптических свойств от режимов роста. Продемонстрированы потенциальные возможности разработанной технологии для создания поверхностно-излучающих приборов с вертикальными оптическими резонаторами.

Рассмотрены основные причины диффузионного расплывания состава твердого раствора в окрестности границ Si транспортного канала в гетероструктуре Si / Si1-xGex, выращиваемой комбинированным методом молекулярно-пучковой эпитаксии с твердофазным (Si) и газофазным (GeH4) источниками. Для выращенных структур проведено сопоставление роли различных механизмов в формировании профиля металлургической границы слоя и оценено влияние расплывания границ канала на величину подвижности двумерных электронов в нем.

Для системы Si1-xGex, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками Si--GeH4 в условиях эффективного заполнения поверхностных связей продуктами распада гидридов, измерены коэффициенты сегрегации атомов германия, что позволило в свою очередь впервые на основании разработанной кинетической модели роста определить для рассматриваемого метода эпитаксии отношение коэффициентов встраивания атомовSi иGe в растущий слой Si1-xGex. Для структур Si--Si1-xGex, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками Si-GeH4, для широкой области значений технологических параметров проведено сопоставление роли различных механизмов (пиролиза, сегрегации и других) в формировании профиля металлургических границ слоев.

Предложен новый способ получения пористого кремния, использующий вкачестве источника тока разность потенциалов, которая возникает между погруженными враствор электролита пластиной кремния иплатиновым контрэлектродом. Добавка перекиси водорода вэлектролит на основе плавиковой кислоты иэтанола позволяет управлять плотностью тока процесса иизготавливать фотолюминесцентные слои без применения внешнего источника тока.

Современная этнографическая карта Центрального Тянь-Шаня представляет собою сложную картину сочетания различных групп киргизкого населения, относивших себя раньше по происхождению к племенам преимущественно так называемого правого крыла (черик, мон'олдор, саяк, чекир саяк, тынымсейит, азык, сары багыш, бугу) и лишь частично - левого крыла (басыз, жетиген и др.). Расселение этих групп в том виде, в каком оно сложилось к настоящему времени, относится в основном ко второй половине ХIХ в. Главными факторами, определившими современную группировку киргизского населения Центрального Тянь-Шаня, были джунгарская экспансия в XVI - начале XVIII в.,которая привела к откочевке большинства киргизов в соседние районы Ферганы и Восточного Туркестана, а также последовавшее позднее их возвращение на прежнее местожительство и перемещение некоторых групп, вызванное интересами феодальных владельцев,стремившихся к захвату лучших пастбищ и к закреплению господства над местным населением.

Среди исследуемых этнографами народных знаний важное научное значение имеют представления и сведения, связанные с происхождением, этническим составом и этнической историей отдельных народов или их различных групп, племен, родов, а также более мелких подразделений, входящих в состав крупных этнических единиц или объединений. Эта область народных знаний, которую можно условно назвать народной этногонией, уже давно вызывает интерес исследователей, и не только как некая часть народной духовной культуры, но и как ценный историко-этнографический источник.

Появившееся в 1927 г. небольшое предварительное сообщение С.И. Руденко и А.Н. Глухова с публикацией результатов раскопок могильника Кудыргэ на Алтае сразу привлекло внимание широкого круга археологов. С того времени ни одна работа, касавшаяся древностей раннего средневековья, не обходила этот могильник... Монография А.А. Гавриловой, посвящённая публикации и анализу могильника Кудыргэ, входит в "золотой фонд" российской археологии.