Установлена связь транспортного тока, протекающего через всю слоистую структуру S1IS2WS3, со скоростью быстрого вихря. Такой вихрь существует тогда, когда скорость Свихарта в волноводе значительно больше, чем в джозефсоновском переходе. Показано, что основной вклад в силу Лоренца, приводящую к движению вихря, возникает от протекания тока через волновод и прилегающие к нему скин-слои сверхпроводников. Работа выполнена при поддержке грантов президента РФ НШ-1385.2003.2, МК-1809.2003.02 и в рамках Госконтракта N 40.012.1.1.1357 от 22.04.2003 с Минпромнауки РФ.

В инфракрасных спектрах поглощения полученного зонной плавкой кремния, подвергнутого циклической термообработке при 1250o C с быстрым охлаждением после каждого отжига и с частичным снятием термического окисла в каждом цикле, обнаружена необычная "полоса" поглощения с гигантской полушириной. Предложена модель, объясняющая наблюдаемые особенности спектра трансформацией в процессе термообработки нанопреципитатов примесей, содержащихся в исходном кремнии, и микроблочной структурой материала.

Исследовано влияние нейтронного облучения (Phi=1014-1015 см-2) и последующих отжигов (T=100-750oC) на фотолюминесценцию сильно легированных теллуром кристаллов n-GaAs (n0~=2·1018 см-3). Показано, что указанное радиационно-термическое воздействие при возрастании температуры отжига приводит сначала (при T~= 300oC) к появлению интенсивной полосы люминесценции с максимумом излучения вблизи 1.35 эВ, а затем (при T>550oC) к снижению ее интенсивности. Отмеченное связано с радиационно-стимулированной генерацией пар VGaTeAsVAs при умеренных температурах прогрева и последующей их диссоциацией при повышенных температурах прогрева.

Методом DLTS изучались радиационные дефекты в p+-n-n+-структурах на основе чистого n-Si, облученного alpha-частицами и осколками деления от источников естественного распада. Исследовалась природа компоненты обратного тока структуры, обусловленной генерацией носителей через глубокие уровни. Установлена идентичность систем глубоких центров для легких и тяжелых ионов. При низкотемпературном отжиге наблюдалась корреляция генерационной составляющей тока с концентрацией центров Ev+0.33 эВ, связанных с межузельным углеродом. В случае тяжелых ионов DLTS-спектры не имели ожидаемых особенностей, связанных с проявлением скоплений локальных дефектов, в положении и форме пиков. Оценка темпа генерации в модели локальных p-n-переходов показала, что скопления дефектов вызывают существенно меньший ток, чем эквивалентное число дефектов с глубокими уровнями, размещенных в n-матрице структуры.

Изучено влияние нейтронного облучения (энергия E=2 МэВ, поток Phi=1013/ 1015 см-2) и последующих отжигов (температура отжига Ta=400/ 700oC, длительность 30 мин) кристаллов n-GaAs<Te,Cu> с исходной концентрацией носителей n0=2· 1018см-3 на интенсивность обусловленной атомами меди полосы люминесценции с положением максимума излучения hnum=1.01 эВ. Наблюдалось значительное увеличение интенсивности полосы в результате облучения. Это объясняется радиационно-стимулированным возрастанием концентрации излучающих центров (пар CuGaVAs) вследствие эффективного взаимодействия межузельных атомов меди с индуцированными облучением вакансиями галлия VGa, мышьяка VAs и дивакансиями VGaVAs.

С помощью специально разработанной системы регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение исследована динамика перехода от двухмерного к трехмерному механизму роста в гетероэпитаксиальной системе InAs/GaAs. Впервые анализ динамики изменения картин дифракции был использован для изучения кинетики образования квантовых точек. Обнаружен временной сдвиг на динамических зависимостях интенсивности дифракции на картинах, снятых при различных дифракционных углах, объясняемый различными размерами трехмерных островков на начальной стадии распада псевдоморфного слоя. При определенных условиях выращивания квантовых точек InAs/GaAs наблюдалось появление рефлексов, наклоненных на 45o по отношению к основным. Это свидетельствует об упорядочении островков в кристаллографических направлениях [001] и [010].

Рентгеновскими методами изучено влияние дозы облучения, концентрации и типа легирующей примеси на размеры разупорядоченных областей в GaAs. Проанализирована роль примеси в формировании разупорядоченных областей и их эволюции с дозой облучения.

Исследована зависимость электрофизических свойств монокристаллических образцов InP с различными исходными концентрациями носителей заряда от условий облучения быстрыми нейтронами реактора и последующих термообработок в интервале температур 20/ 900oC. Показано, что характер изменения электрофизических свойств зависит от уровня легирования исходного материала, а отжиг в указанном интервале температур приводит к полному устранению радиационных дефектов, что делает возможным применение метода ядерного легирования к образцам InP. Вклад от ядерных реакций на промежуточных нейтронах в общий уровень ядерного легирования образцов InP составляет ~ 10%.

Исследована причина появления широкой U-полосы вспектрах, полученных методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) n-GaAs, облученного протонами (65 МэВ) ибыстрыми нейтронами. Показано, что данная полоса предположительно является суперпозицией двух пиков, сформированных известными вGaAs дефектами P2 иP3 впределах скоплений дефектов. Проведены расчеты спектров DLTS сучетом неоднородного распределения этих дефектов вобразце ивстроенных электрических полей, обусловленных этими неоднородностями.

Исследовались фазовые, структурные и электрофизические свойства многослойных контактных систем Au--Mo--TiBx--AuGe--GaAs, используемых в технологическом процессе формирования диодов Ганна на основе GaAs. Дои после быстрых термических обработок в атмосфере водорода при T=400, 600 и800oC в течение60 с исследовались: фазовый состав и уровень остаточных механических напряжений методом рентгеновской дифракции; морфологические особенности поверхности пленок золота--- методом атомно-силовой микроскопии; вольт-амперные характеристики вобласти слабого электрического поля. Показано, что вплоть до температуры отжига T=600oC сохраняются буферные свойства TiBx. Установлена роль внутренних механических напряжений в деградации омических контактов Au--Mo--TiBx--AuGe--GaAs.