Показано, что асимметрия в вылете электронов и ионов отдачи, образующихся при ионизации атомов в элементарных актах столкновения с быстрыми высокозарядными ионами, может привести к появлению макроскопических токов электронов и ионов отдачи при бомбардировке газовой мишени пучком быстрых высокозарядных ионов.

Рассмотрено влияние многократных потерь и захватов электронов на процесс формирования прерывистых треков от высокоэнергетических ионов в кристаллах. Предлагаемая модель флуктуации заряда позволяет количественно оценить продольные размеры дефектов в прерывистом треке, в то время как расширенная модель термического пика, учитывающая кулоновское расталкивание, дает разумные значения для поперечных размеров дефектов.

Экспериментально, численно и теоретически исследовано течение газа, созданное импульсным сильноточным разрядом в осесимметричной полости, которая ограничена сферической линзой, соприкасающейся с плоской пластинкой. Показано, что возникающая при разряде и сходящаяся к оси ударная волна ускоряется и усиливается по мере схождения. Интенсивность ударной волны нарастает быстрее, чем для случая сферической сходящейся ударной волны.

Описан эффективный и быстродействующий комплекс, предназначенный для визуализации, ввода в ЭВМ и компьютерной обработки оптических картин дифракции быстрых электронов на отражение. Приведены структурные схемы и технические характеристики комплекса, его взаимосвязь с устройствами управления процесами роста полупроводниковых структур методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Описано разработанное для данного комплекса программное обеспечение, необходимое для обработки картин дифракции быстрых электронов, в том числе в реальном масштабе времени. Приведены экспериментальные результаты применения комплекса для исследования процессов гетероэпитаксиального роста и формирования InAs нанообъектов на поверхностях GaAs и Si.

Показано, что влияние созданной быстрой заряженной частицей плотности ионизации на световыход сцинтиллятора определяется процессом релаксационного перехода электрона от атома примеси к иону основного вещества.

На основе имеющихся экспериментальных данных и теоретических расчетов, выполненных в настоящей работе, оценены сечения одноэлектронной обдирки ионов кислорода OZ+ с зарядом Z=1-7 в области энергий E=0.5-200 MeV/u при столкновении с атомами H, He, N, O и Ar. Приведены аналитические аппроксимации полученных сечений.

Получено нестационарное решение уравнения Зельдовича для функции распределения кластеров по размерам. Построенное решение справедливо во всей области размеров кластеров. Найдены и проанализированы время релаксации квазистационарного распределения и парциальные времена задержки образования кластеров. Проанализирована зависимость этих времен от размера кластера. Получено выражение для квазистационарного потока и для времени индукции. Точность полученных выражений подтверждается сравнением с численными расчетами других авторов.

На основе приближения эйконала рассмотрено столкновение быстрого (в том числе релятивистского) многозарядного иона с простейшей молекулой --- молекулой водорода и получена аналитическая формула для сечения реакции, т. е. для суммарного сечения всех неупругих электронных процессов в области неприменимости борновского приближения. Проведено сравнение полученного сечения с соответствующими удвоенными неупругими сечениями для столкновений многозарядных ионов с атомами водорода, рассчитанными в непертурбативных и пертурбативных подходах.

Проведено исследование начальной стадии формирования электронного слоя и генерации электронного пучка в магнетронных пушках при запуске вторично-эмиссионного процесса наносекундными импульсами. В пушках с малыми поперечными размерами получены трубчатые пучки электронов наружным диаметром 3...6 mm с током 1...2 A при напряжении на катоде 5...7 kV. Полученные результаты показывают возможность генерации импульсов тока пучка с наносекундной точностью.

В рамках диффузионной модели кинетического уравнения для пучка электронов, падающих по нормали на мишень, получены аналитические формулы для распределений выделенной энергии и инжектированного заряда. При этом в теорию не вводятя эмпирические подгоночные параметры. Вычисленные распределения выделенной энергии для плоского направленного источника электронов в бесконечной среде для C, Al, Sn и Pb хорошо согласуются с данными Спенсера, полученными на основе точного решения кинетического уравнения Бете, которое является исходным и в предположении диффузионной модели.