Исследовано влияние ультразвуковых колебаний с частотой около 100 kHz на радиационно-индуцированную люминесценцию пиролитического нитрида бора, возникающую при облучении протонами (энергия 8 MeV, поток 1.6·1012 p/cm2·s). Воздействие ультразвуковых колебаний проявляется при больших амплитудах деформации (~10-4), когда наблюдается нелинейное, амплитудно-зависимое поглощение ультразвука. Полученные данные объясняются изменением кинетики рекристиллизации, индуцированной облучением, при которой происходит исчезновение (радиационный отжиг) малоугловых границ. Один из авторов (Б.К.К.) благодарит Российский фонд фундаментальных исследований за поддержку (грант N 00-01-00482).

Изучено амплитудно-независимое дислокационное поглощение (внутреннее трение) при совместном действии на дислокацию случайной и постоянной внешних сил. Рассмотрены случайные воздействия разного типа, учтены инерционные свойства дислокации и влияние внутреннего (параболического) потенциального рельефа кристалла. Получены зависимости внутреннего трения от степени коррелированности случайного воздействия, параметров дислокации и среды.

Методами электрон-позитронной аннигиляции изучены особенности влияния атомарного водорода на электронную структуру образцов alpha-титана. Показано, что различные состояния атомов водорода по-разному проявляют себя в спектре временного распределения позитронов. Проведенные теоретические расчеты первой компоненты времени жизни позитрона согласуются с полученными экспериментальными данными.

Теоретически изучено распространение коротких радиоволн в висмуте в геометрии, когда постоянное магнитное поле  H направлено вдоль биссекторной оси кристалла, ориентированной по нормали к поверхности пластины. В этой геометрии реализуется ситуация, в которой пространственная неоднородность волнового поля несущественна для электронов, но весьма важна для дырок. Показано, что в определенном интервале значений H в висмуте могут существовать две моды: геликон и доплерон, затухание которых определяется циклотронным поглощением дырками. При малых амплитудах волнового поля, когда реализуется линейный режим, циклотронное поглощение приводит к тому, что длины затухания обеих мод оказываются малыми. В нелинейном режиме магнитное поле волны \glqq захватывает\grqq дырки, ответственные за циклотронное поглощение. В результате поглощение подавляется и длины затухания геликона и доплерона резко возрастают. Возбуждение таких мод в пластине висмута приводит к тому, что зависимость ее импеданса от величины H приобретает резонансный характер и коэффициент прохождения волны через пластину возрастает более чем на два порядка. Этот эффект должен иметь место при частотах порядка десятка мегагерц, в сравнительно слабых магнитных полях (порядка десятков эрстед).

Излагаются экспериментальные данные по проникновениию атомов гелия в моно- и нанокристаллическую медь, деформированную при T=4.2 K соответственно растяжением и сжатием. Получены зависимости количества гелия (N) в деформированных на различные степени (varepsilon) образцах, а также кривые экстракции гелия из них в области T=300-1000 K при разных varepsilon. При сравнении кривых N(varepsilon) и sigma(varepsilon) обнаружена их качественная корреляция для монокристаллов и ее отсутствие для нанокристаллической меди. Указанный факт связан с отличием дислокационного характера деформации монокристаллов от скачкообразного (двойникующего и поворотного) механизма дефомации в нанокристаллической меди, происходящего при наличии значительного локального разогрева в зонах пластических сдвигов. Кривые экстракции гелия для обоих типов образцов существенно отличаются друг от друга по указанным выше причинам. Для монокристаллов обнаружены два пика выделения гелия в отличие от пяти пиков для нанокристаллической меди, два из которых не совпадают с пиками для монокристаллов. Полученные данные обсуждаются на основе явления дислокационно-динамического и зернограничного механизмов проникновения частиц внешней среды в медь по различным типам движущихся дефектов под действием деформирующих напряжений и градиента химпотенциала на границе металл--внешняя среда. Работа выполнена при поддержке МПНТ РФ в рамках программы по твердотельным наноструктурам.

Предложен вид анизотропных межатомных потенциалов, обеспечивающих устойчивость и отражающих симметрию гексагональных кристаллических решеток. Определены численные значения параметров потенциальных функций для большинства ГПУ металлов. Получены аналитические выражения для модулей упругости гексагональных кристаллов и с использованием построенных потенциалов рассчитаны их величины. Показано, что предложенная анизотропная модель позволяет достигнуть более адекватного описания упругих свойств ГПУ металлов по сравнению с изотропной моделью. Полученные потенциалы могут быть успешно применены для моделирования дефектов кристаллической решетки. Работа выполнена при поддержке гранта МО PD 02-1.2-31.

Показано, что в висмуте возможен геликон-фононный резонанс. Он должен иметь место в диапазоне коротких радиоволн в геометрии, когда постоянное магнитное поле  H направлено вдоль биссекторной оси кристалла, ориентированной по нормали к поверхности пластины. Резонанс обусловлен деформационным взаимодействием дырок со звуковой волной. Резонанс происходит в сравнительно слабых магнитных полях порядка десятков эрстед в ситуации, в которой пространственная неоднородность волнового поля несущественна для электронов, но важна для дырок. PACS: 63.20.Kr, 72.15.Eb, 72.50.+b

Исследована линейная поляризация фотолюминесценции вдоль плоскости структур InAs / Ga(In)As. Обнаружено, что она зависит от несимметричности профиля квантовой ямы, возникновения квантовых точек, наличия включений в твердых растворах.

Приведены результаты исследований физических процессов, вызывающих возникновение рекомбинационной неустойчивости тока вкремниевых эпитаксиальных p+-n-структурах слокальным контактом на n-области структуры, получаемым посредством введения примесных атомов, создающих взапрещенной зоне кремния глубокие энергетические уровни. На основе исследования неустойчивости тока определены параметры (плотность, энергетическое положение, сечение захвата электрона) глубоких центров, создаваемых вкремнии оловом, свинцом, кадмием иникелем.

Кузнецова А.а., Николаев А.ю., Гостева А.ю., Чернов И.а., Морозов В.а., Савустян Д.г., Чернышев Ю.а., Степанова Е.б. Формирование навыков системного подхода, анализ потоков и структурирование данных при разработке технической документации в завершающем учебном курсе специальности "Системный интегратор" // Научная сессия МИФИ-1998. Т.9 Конференция студентов и молодых ученых. Компьютерные науки. Информационные технологии, стр. 91-93