Найдено научных статей и публикаций: 501
101.
Спектроскопия слоев InAs в GaAs в области перехода от слоевого к трехмерному росту
Звонков Б.Н., Линькова Е.Р., Малкина И.Г., Филатов Д.О., Чернов А.Л.. Спектроскопия слоев InAs в GaAs в области перехода от слоевого к трехмерному росту // Письма в ЖЭТФ, том 63, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
102.
О сингулярностях в неабелевых черных дырах
Гальцов Д.В., Донец E.E., Зотов M.Ю.. О сингулярностях в неабелевых черных дырах // Письма в ЖЭТФ, том 65, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru
103.
Влияние квантового размерного эффекта для скользящих электронов на электронную проводимость металлических пленок
Михайлов Г.М., Маликов И.В., Черных А.В.. Влияние квантового размерного эффекта для скользящих электронов на электронную проводимость металлических пленок // Письма в ЖЭТФ, том 66, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
104.
Жесткое рентгеновское излучение и быстрые частицы в лазер-плазменных экспериментах при интенсивности на мишени до $5cdot10^{18},$W/cm$^2$
Бородин В.Г., Гилев О.Н., Запысов А.Л., Комаров В.М., Лыков В.А., Малинов В.А., Мигель В.М., Никитин Н.В., Покровский В.Г., Пронин В.А., Сапрыкин В.Н., Чарухчев А.В., Чернов В.Н.. Жесткое рентгеновское излучение и быстрые частицы в лазер-плазменных экспериментах при интенсивности на мишени до $5cdot10^{18},$W/cm$^2$ // Письма в ЖЭТФ, том 71, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
105.
Атомы Zn в ниобате лития и механизмы их вхождения в кристалл
Проведены прецизионные рентгеноструктурные исследования монокристаллов LiNbO3 : Znx, x=0.0; 2.87; 5.20; 7.60 ат.%. Обнаружено, что вхождение атомов Zn в LiD позицию сопровождается снижением концентрации собственных дефектов Nbrm Li. При x=7.6% происходит изменение локализации атомов Zn в решетке и наблюдается его частичное вхождение в позицию Nb. Тем самым установлена структурная природа ``пороговой'' концентрации Zn, проявляющейся в виде особенностей на концентрационных зависимостях различных оптических свойств. Структурная природа пороговой концентрации, по-видимому, является общей для всех нефоторефрактивных примесей (Mg, Zn, In, Sc) в LiNbO3. Обсуждено изменение собственной дефектной структуры LiNbO3 при различной концентрации Zn.
106.
Кристаллическая структура и оптическая активность монокристаллов rm La3Nb0.5Ga5.5O14 и rm Sr3Ga2Ge4O14 семейства лангасита
Проведено прецизионное рентгеноструктурное исследование монокристаллов {rm La3Nb0.5Ga5.5O14} и {rm Sr3Ga2Ge4O14}. Подтверждена пространственная группа симметрии P321. С учетом аномального рассеяния рентгеновских лучей установлена абсолютная структура (хиральность) кристаллов, которая оказалась у них разного знака. Выявлены структурные особенности, определяющие оптическую активность кристаллов, фиксирована зависимость величины и знака удельного вращения плоскости поляризации в этих соединениях от структурных параметров.
107.
Эффективность рождения электрон-позитронных пар нейтринным потоком с аккреционного диска керровской черной дыры
Рассмотрены доминирующие процессы производства нейтрино и рождения этими нейтрино e+ e--пар в модели гипер-аккрецирующего диска на керровскую черную дыру. Получены аналитические оценки эффективности производства плазмы как в случае сильного магнитного поля, так и без него. Показано, что эффективность рождения плазмы нейтринным потоком с диска в такой модели не превосходит десятых долей процента и, следовательно, не может объяснить происхождение космологического gamma-всплеска.
108.
Сглаживание межслойных шероховатостей микронногопространственного масштаба в Ni/C многослойномрентгеновском зеркале
С помощью измерений рентгеновского диффузного рассеяния (РДР) проведено исследование корреляции шероховатостей соседних межслоевых границ (кросс-корреляция шероховатостей) в Ni/C многослойном рентгеновском зеркале (МРЗ), приготовленном лазерным напылением. Измерения интенсивности РДР вблизи первого брэгговского отражения были выполнены в зависимости от энергии фотонов: чуть ниже (8.325 кэВ) и чуть выше (8.350 кэВ) KD края фотопоглощения никеля. Эффективная экранировка вклада нижних слоев в сечение РДР вследствие сильного затухания волнового поля при энергии фотонов выше края фотопоглощения позволила, при помощи таких сравнительных измерений, получить информацию о характере кросс-корреляции шероховатостей по глубине образца. В частности, при энергии фотонов 8.325 кэВ (вклад в сечение РДР от всего объема МРЗ) величина характерной латеральной длины корреляции шероховатости оказалась равной 0.35 мкм, а при энергии 8.350 кэВ (вклад преимущественно верхних слоев) она возрастала до 0.4 мкм. Эти данные являются прямым подтверждением механизма сглаживания межслойных шероховатостей в процессе роста Ni/C МРЗ в аномально больших пространственных масштабах вплоть до микронного. Оказалось, что только шероховатые крупномасштабные дефекты с размерами geq10 мкм достаточно хорошо воспроизводятся от слоя к слою. Возможным объяснением наблюдаемого явления могут быть процессы вязкого растекания и (или) реиспарения при осаждении высокоэнергетических ионов мишени, что характерно для лазерного метода приготовления МРЗ.
109.
О применении совершенных кристаллов в рентгеновской спектроскопии высокого разрешения
Показана возможность увеличения разрешения и угловой дисперсии в рентгеновском диапазоне длин волн за счет применения асимметричных кристаллов в параллельных пучках.
110.
Генерация узконаправленных потоков быстрых ионов из мишеней, облучаемых пикосекундным лазерным импульсом
Представлены результаты измерения выхода протонов и дейтронов мегаэлектронвольтного диапазона энергий при облучении тонких мишеней пикосекундным лазерным импульсом при средней интенсивности лазерного излучения на мишени le 4 cdot 1018 Вт/см2. Обнаружена кольцевая структура вылетающих ионов и предельно малая 0.5-градусная угловая расходимость ионного пучка. Обсуждается механизм генерации быстрых ионов, объясняющий возникновение кольцеобразной структуры, оцениваются характерные энергии и пространственно-угловое распределение ионного пучка.