Представлены результаты экспериментальных исследований частотной зависимости магнитного отклика образца высокотемпературной сверхпроводящей керамики состава YBa2Cu3O7-x при различных значениях постоянной (0-99·10-4 T) и переменной (0.18·10-4-7.24·10-4 T) составляющих внешнего магнитного поля в диапазоне частот от 60 Hz до 1 MHz. Предлагается простая качественная модель распределенной джозефсоновской среды, объясняющая полученные результаты.

Предложен, рассмотрен и осуществлен экспериментально голографический экран для проекции трехмерных изображений методом сфокусированных в точки аспектов изображаемой сцены либо посредством проекции узких строчечных голограмм. Созданное таким экраном изображение воспроизводит только горизонтальный параллакс, что позволяет существенно сократить объем информации, необходимой для синтеза трехмерных изображений. Рассмотрена схема проеции через экран, а также метод его регистрации.

Рассматривается оптический пирометр, специально разработанный для прецизионного контроля температуры GaAs подложки во время эпитаксиального роста в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью разработанного устройства является возможность его калибровки на некоторую характерную абсолютную температуру, определяемую визуально по изменению картины дифракции быстрых электронов (ДБЭ). Это позволяет рассчитать абсолютную температуру подложки с учетом ее излучательной способности и свести к минимуму погрешности определения температуры по излучению, связанные с запылением пирометрического окна установки ростовыми материалами.

На основе голограммы Габора предложен вид голограмм, которые позволяют компенсировать искажения проецируемого изображения, характерные для этой простейшей осевой голограммы. В частности, предложен и исследован осевой голографический экран на основе безопорной толстослойной голограммы, который не пропускает нулевой порядок, не создает гало и сопряженного изображения. Такой экран допускает запись в одном диапазоне спектра, а реконструкцию в другом, что весьма существенно облегчает выбор светочувствительного материала для его регистрации, а также допускает проекцию цветного изображения.

Представлены данные по изучению влияния температуры интервала 80-650 K на спектрально-кинетические характеристики люминесценции и переходного поглощения неактивированных кристаллов CsI при облучении импульсными электронными пучками (< E>=0.25 MeV, t1/2=15 ns, j=20 A/cm2). В структуре коротковолновой части спектров переходного поглощения при T=80-350 K выявлены особенности, указывающие на то, что ядерная подсистема автолокализованных экситонов (АЛЭ) за время их жизни до излучательной аннигиляции при T<= 80 K в CsI многократно трансформируется, попеременно занимая двух- и трехгалоидную ионную конфигурации. Установлено, что явления температурного роста выхода радиационных дефектов, F- и H-центров окраски, и тушения УФ-люминесценции в CsI возникают в одной температурной области (выше 350 K) и характеризуются одинаковыми значениями термической активации (~ 0.22 eV). Предполагается, что АЛЭ в кристалле CsI могут иметь как центральную, так и нецентральную конфигурации трехгалоидного ионного остова; высокотемпературное свечение кристаллов CsI связывается с излучательной аннигиляцией нецентрального АЛЭ со структурой (I-(I0I-e-) )*.

Теоретически изучено влияние квантования энергии дырок в постоянном магнитном поле на проникновение СВЧ-волн через пластину благородного металла. Показано, что квантование приводит к сильным осцилляциям циклотронного поглощения. При этом в интервалах между пиками поглощения затухание настолько уменьшается, что становится возможным распространение своеобразных квантовых волн. Возбуждение таких волн в пластине металла приводит к резким осцилляциям ее поверхностного сопротивления как функции магнитного поля. Форма этих осцилляций весьма своеобразна.

В вырожденном ферромагнитном полупроводнике HgCr2Se4(n) наблюдался переход в полевой зависимости электросопротивления от квадратичной (~H2) выше Tc к линейной (~H) ниже Tc. Наряду с большим отрицательным магнитосопротивлением эти магнитоэлектрические эффекты соответствуют эффектам, наблюдаемым на перовскитоподобных оксидах La1-xCaxMnOdelta. Поскольку нелегированный полупроводник HgCr2Se4 является ферромагнетиком приблизительно с той же критической температурой, что и легированный, а какие-либо сведения об эффекте Яна--Теллера в этом соединении отсутствуют, мы считаем, что наши результаты ставят под сомнение существующие гипотезы (поляронную и двойного обмена) происхождения гигантского магнитосопротивления в La1-xCaxMnOdelta. В качестве возможного механизма магнитосопротивления для обоих соединений обсуждается механизм примесного sd-рассеяния.

Теоретически исследовано влияние квантования носителей в магнитном поле на волновые свойства цинка. Показано, что в СВЧ диапазоне циклотронное поглощение волны дырками приобретает ярко выраженную квантовую структуру: величина поглощения как функция магнитного поля представляет совокупность узких квантовых пиков, разделенных глубокими минимумами. В минимумах подавление циклотронного поглощения оказывается настолько сильным, что становится возможным распространение электронного доплерона --- моды, которая в классических условиях имеет большое затухание и в цинке не наблюдается. Настоящая работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-18393).

Теоретически изучено влияние нелинейности на проникновение радиоволн через металлы третьей группы. Показано, что захват дырок магнитным полем волны большой амплитуды приводит к подавлению бесстолкновительного циклотронного поглощения, в результате чего в металле становится возможным распространение нелинейной волны. Настоящая работа выполена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-18393).

Изучено влияние температуры и амплитуды деформации на модуль Юнга и поглощение ультразвука в керамических образцах графитоподобного нитрида бора, приготовленных в РФ и США по различным технологиям с применением разных добавок, улучшающих механические свойства керамики. Показано, что добавки помимо влияния на действующий модуль упругости увеличивают микропластичность образцов, что, по всей видимости, приводит к увеличению прочности материалов. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 00-01-00482), а также NATO (грант PST.GLG.977016) и Департамента энергии США (контракт W-31-109-Eng-38).