Описан эффективный источник импульсного электромагнитного излучения в диапазоне 0.3-10.2 mum. Приведены параметры установки и результаты исследований характеристик излучения.

Проводился анализ экспериментальных результатов по разделению изотопов неодима методом селективной лазерной фотоионизации атомного пара. Показано, что в исследованной экспериментальной ячейке основными деселектирующими процессами являются рассеяние атомов в рабочем объеме и смещение контура поглощения атомов из-за дефекта Доплера. Предложена методика обработки результатов экспериментов, позволяющая определить степень влияния каждого деселектирующего процесса на обогащение и производительность продукта. Получена экспериментальная зависимость концентрации целевого изотопа в фотоионах в камере сепаратора от угла расходимости (коллимации) потока атомного пара в направлении вдоль лазерного луча. Предложена методика для определения оптимальной коллимации потока пара.

Представлены результаты численного моделирования структуры наноразмерная пленка-переходный слой-поглощающая подложка. Установлено влияние переходного слоя на точность определения показателя преломления и толщины наноразмерного покрытия. Показано, что введение эффективных значений показателей преломления и поглощения подложки позволяет повысить точность последующих эллипсометрических измерений параметров наноразмерных слоев. Натурными и численными экспериментами показана целесообразность замены структуры подложка-переходный слой подложкой с эффективными оптическими параметрами при определении толщины и показателя преломления наноразмерной пленки на подложке с неизвестным переходным слоем, сравнимым по толщине с пленкой. Установлено, что изменение толщины переходного слоя незначительно влияет на точность определения толщины и показателя преломления нанесенной пленки при использовании эффективных значений показателей преломления и поглощения подложки.

Предложен метод раздельного измерения токов медленных ионов перезарядки и ионов, возникающих в результате ионизации газа ионами пучка и быстрыми вторичными электронами в области распространения пучка, а также определения значений коэффициента ионно-электронной эмиссии коллектора ионов и сечения перезарядки ускоренных ионов, основанный на анализе распределений токов по электродам модифицированного цилиндра Фарадея с неэквипотенциальными электродами. Рассмотрено применение метода для контроля тока пучка ионов аргона с энергией ионов от единиц до десятков keV и исследования процессов в области его распространения при давлениях от 0.03 до 0.15 Pa. PACS: 41.75.-i, 84.37.+q

Изучена структура ансамблей нанодефектов, образующихся на поверхностях меди, золота и молибдена под нагрузкой. Свойства ансамблей описаны на основе модели обратимой агрегации. Распределение нанодефектов по размерам термодинамически определено максимальным значением "энтропии их смешения" с атомами кристаллической решетки. Из-за большого различия размеров атомов и дефектов "энтропия смешения" достигает максимального значения при малой концентрации дефектов, величина которой хорошо согласуется с экспериментальной. Приведенное распределение дефектов по размерам является универсальным. Работа поддержана Volkswagen-Stiftung (грант N 1/72 638).

Высокоразрешающими методами рентгеновской топографии и дифрактометрии исследовано изменение реальной структуры монокристаллов CdTe в результате теплового воздействия импульсного лазерного излучения высокой мощности (1.6-1.97 J/cm2). Показано, что в этих условиях в области облучения в тонком поверхностном слое формируется ячеистая дислокационная структура с повышенной плотностью дислокаций и с большими микроразориентациями по сравнению с необлученной частью кристалла. Определены ее характеристики, оценена толщина слоя с измененной структурой. Работа выполнялась при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-18309).

Проведен теоретический анализ коэффициента Нернста--Эттингсгаузена Q в случае наличия в зонном спектре материала узкой проводящей зоны. Показано, что это обстоятельство приводит к качественному изменению механизма возникновения эффекта Нернста--Эттингсгаузена по сравнению с классическим случаем широкой проводящей зоны, а поведение коэффициента Нернста--Эттингсгаузена характеризуется появлением ряда специфических особенностей, отличных от случая классической теории кинетических коэффициентов в полупроводниках и металлах. Показано, что в случае узкой зоны наиболее сильное влияние на вид зависимости Q(T) оказывает асимметрия дисперсионной кривой, в то время как другие детали строения зонного спектра и свойств системы носителей заряда, включая характер энергетической зависимости времени релаксации, оказываются менее существенными и могут в первом приближении не учитываться. Получены расчетные кривые Q(T), качественно соответствующие экспериментальным зависимостям для легированных ВТСП системы YBa2Cu3Oy, и продемонстрирована возможность использования предложенного подхода для комплексного анализа экспериментальных температурных зависимостей четырех кинетических коэффициентов в ВТСП-материалах в нормальной фазе. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования России (грант N E00-3.4-546).

Исследовано влияние низкоэнергетичной плазмы (CF4, Ar, Kr) на фотолюминесценцию структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. Установлено, что обработка в плазме приводит к гашению фотолюминесценции квантовых ям, расположенных в приповерхностной области структуры, и глубина этой области увеличивается с увеличением времени экспозиции в плазме. За пределами этой области после обработки структур в плазме интенсивность фотолюминесценции квантовых ям возрастает. Мы связываем изменения интенсивности фотолюминесценции с влиянием индуцированных плазмой неравновесных точечных дефектов, аномально быстро диффундирующих в глубь структуры.

Экспериментальные значения поляризации низкотемпературного излучения комплексов VGaSnGa и VGaSiGa в n-GaAs при резонансном возбуждении поляризованным светом, распространяющимся вдоль кристаллографического направления [110] и [100], сопоставлены с выражениями, полученными в классическом дипольном приближении для дефектов триклинной и моноклинной симметрии. Показано, что доля ротатора в суперпозиции ротатора и осциллятора, представляющей излучение комплекса, составляет 17/18%. Направление оси этих диполей, удовлетворяющее экспериментальным данным, согласуется с предположением, что влияние донора на вакансионные орбитали дырки, локализованной на комплексе, меньше, чем влияние эффекта Яна--Теллера. При этом симметрия комплекса может быть как моноклинной, так и триклинной. В обоих случаях отклонение оси оптического диполя комплекса от направления оси диполя изолированной VGa, искаженной вследствие эффекта Яна--Теллера, для комплексов VGaSnGa и VGaSiGa меньше, чем для комплексов VGaTeAs. Последнее означает, что влияние донора на электронную структуру комплекса в VGaTeAs больше, чем в VGaSnGa и VGaSiGa. Это согласуется с различием в положении донора в этих комплексах.

Предлагается теоретическая модель для описания эволюции Pb-центров на границе раздела Si/SiO2 при отжиге в вакууме. Модель принимает во внимание реакции, происходящие с центрами на границе раздела, диффузию атомарного и молекулярного водорода. Выполнен расчет констант реакций в диффузионном приближении. Результаты расчетов находятся в согласии с экспериментом в диапазоне температур (480o-800oC) и толщин окислов (200-1024 Angstrem) для граней кремния (111) и (100).