Изложены результаты экспериментальных исследований множественного гистерезиса продольных аэродинамических характеристик модели самолета с прямым крылом большого удлинения при числе Рейнольдса Re=0.33·106. PACS: 51.10.+y

По спектрам люминесценции и возбуждения люминесценции исследованы энергетический спектр и энергии связи прямых и пространственно непрямых экситонов в GaAs/AlGaAs-сверхрешетках с различными ширинами электронной и дырочной минизон, помещенных в сильное, поперечное гетерослоям магнитное поле. Установлено, что основное состояние непрямых экситонов, образованных электронами и дырками, пространственно разделенными между соседними квантовыми ямами, расположено между основным 1s-состоянием прямых экситонов и порогом континуума диссоциированных экситонных состояний в минизонах. Непрямые экситоны имеют значительную силу осциллятора, когда энергия связи экситона превышает масштаб ширины результирующей минизоны. Показано, что сильное магнитное поле трансформирует систему симметрично связанных квантовых ям в сторону слабой связи. При высоких концентрациях экситонов обнаружен эффект конверсии пространственно непрямых экситонов в прямые вследствие экситон-экситонных соударений.

Упруго-деформированное состояние интерфейса в структурах, полученных прямым сращиванием кремния, было исследовано методами рентгеновской дифракционной топографии и ИК-спектрометрии. Характер контраста, наблюдавшийся на рентгеновских топограммах, и осцилляции интенсивности на ИК-спектрах свидетельствовали о периодическом распределении деформации, обусловленном длиннопериодной микрошероховатостью поверхности сращиваемых пластин. При этом локальная микрошероховатость не превышала 2 Angstrem и не оказывала заметного влияния на структурное состояние интерфейса. Был проведен сравнительный анализ двух типов структур: (1) с гладким интерфейсом, изготовленных по традиционной технологии сращивания, и (2) с интерфейсом в виде регулярного рельефа. В структурах второго типа было обнаружено снижение уровня деформации более чем на порядок. Предложена модель, объясняющая наблюдавшееся снижение уровня упругих напряжений от сросшихся участков интерфейса как результат упругой релаксации свободных поверхностей полостей искусственного рельефа, выражавшейся в виде их прогиба и перемещения.

Разработана технология многопереходных кремниевых солнечных элементов, основанная на ионной имплантации и твердофазном прямом сращивании p+-p-n+-структур. Внутренний квантовый выход таких структур близок к единице в интервале длин волн 350/900 нм.

Обсуждается возможность использования результатов измерения квазистатических вольт-амперных характеристик и высокочастотного импеданса симметричных по легированию бикристаллических структур, полученных методом прямого сращивания кремния, для одновременного определения электрофизических параметров границы сращивания (дифференциальной плотности поверхностных состояний nu(E)) и приграничных слоев (распределения концентрации легирующей примеси в окрестности границы). Обращается внимание на то обстоятельство, что отношение статического тока к высокочастотной проводимости представляет собой параметр, весьма чувствительный к наличию "проколов" (участков с повышенной проводимостью) в потенциальном барьере границы сращивания. Экспериментально показано, что проводимость реальных бикристаллических структур, полученных прямым сращиванием кремния, в значительной степени определяется наличием таких "проколов", что должно учитываться при определении зависимости nu(E) наряду с возможным подлегированием приграничных слоев в процессе сращивания.

Исследованы фотолюминесценция эпитаксиальных слоев твердого раствора InGaxAs в диапазоне составов 0=<q x=<q 0.16, полученных жидкофазной эпитаксией на подложках InAs(111), и электролюминесценция p-n-переходов на их основе в интервале температур 77--450 K. Показано, что, несмотря на отрицательное несоответствие периодов решетки эпитаксиального слоя и подложки, излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях определяется прямыми оптическими переходами, обеспечивающими высокий внутренний квантовый выход люминесценции (6%, 295 K).

Приводятся результаты экспериментальных исследований зависимостиемкости и прямого тока от напряжения и температуры для поверхностно-барьерных структур Ni--n-GaN. Экспериментальные результаты сравниваются с теорией термополевой эмиссии Падовани--Страттона. Установлено, что прямой ток поверхностно-барьерных структур Ni--n-GaN (концентрация электронов вGaN ~ 1017 см-3) в интервале температур 250-410 K обусловлен термополевой эмиссией электронов, имеющих энергию на~0.1 эВ ниже вершины потенциального барьера.

Методом микрофотолюминесцентного спектрального анализа и имиджинга исследованы свойства нелегированного CdTe, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов. Несмотря на весьма значительное увеличение скорости кристаллизации, большая интенсивность краевой полосы с разрешением спектроскопических деталей внутри ее контура при температурах~100 K свидетельствовала о высоком качестве кристаллического материала с размером монокристаллических зерен до0.5 мм. Люминесцентные топограммы исследованных образцов напоминали по форме топограммы кристаллов, выращенных квазиравновесными методами, однако механизм сегрегации примесей на межзеренных границах в исследованных кристаллических структурах не был связан с диффузионными процессами, а имел иную природу. PACS71.55.Gs, 78.55.Et, 81.05.Dz

Коневских С.а., Кузнецова И.с. Прямые задачи компартмент-моделирования // Научная сессия МИФИ-1998. Т.9 Конференция студентов и молодых ученых. Компьютерные науки. Информационные технологии, стр. 155-158

Урин М.г., Чекомазов Г.а. Описание прямого нуклонного распада квазисвязанных одночастичных состояний околомагических ядер в рамках обобщенной оптической модели // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 61-62