Е. Н. Морозова, Городские подростки - мойщики машин // Журнал "Социологические исследования", № 4, 2003, http://socis.isras.ru/

Статья посвящена обзору научных исследований в области динамики машин, проводимых на кафедре технической механики МГТУ, подводит итоги последних пяти лет деятельности, намечает направления дальнейших исследований, приглашает к сотрудничеству. При этом особое внимание уделяется исследованиям в области нелинейной динамики машин и анализу полученных теоретических и экспериментальных результатов.

В статье исследуется проблема анализа быстропеременных процессов в машинах на примере вибрации и пульсаций давления в узлах и системах двигателей внутреннего сгорания (ДВС). Особое внимание уделяется применению последних достижений в технике обработки нестационарных сигналов, таких, как преобразование Фурье на коротких реализациях и разложение исходных сигналов на элементарные волны. Для оценки структурной устойчивости систем в процессе нестационарных колебаний предложен метод анализа, основанный на количественной оценке фазовых отображений типа карт задержки, полученных с использованием метода элементарных волн.

The results of application of the method of consecutive static positions for making dynamics of a single fibre motion within the limits of the whole doffing arc of carding mashines are given in this paper. The typical consecutive positions of a single fibre in the doffing arc are examined. Parameters that determine the behaviour of the fibre in present zone of the doffing arc are calculated for every position. Dynamic of the fire motion as well as revealed the reasons of small quantity of the doffing coefficient and loss in fibre straightening while web forming are created 

Исследованы причины возникновения специфического режима работы индукционных МГД машин, возникающего после потери устойчивости однородного течения. В результате применения оригинального метода исследования сингулярно возмущенных динамических систем в окрестности точки бифуркации построена асимптотика характерной величины давления для различных предельных случаев.

Исследуется влияние неточностей установки квадрупольных линз на уширение поперечного эмиттанса пучка. Исследование проведено для двух конкретных проектов линейных коллайдеров, теплого и сверхпроводящего, на энергию 500 GeV. Аналитическое предсказание сравнивается с результатами численных расчетов по усреднению эффектов уширения эмиттанса пучка для различных наборов случайных отклонений линз от оси ускорителя.

Представлены спектры тока термостимулированной деполяризации отдельных компонентов слюдосодержащих композиционных электроизоляционных материалов. Выявлены основные закономерности изменения термограмм при варьировании условий постановки эксперимента. Приведенные результаты как часть комплекса измерений в данной области могут быть использованы при создании новых электроизоляционных материалов и при разработке новых методов контроля качества этих материалов.

С использованием синхротронного излучения впервые получены спектры ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения в области Si L2,3-краев для наноматериалов в виде пористого кремния и наноструктур с эпитаксиальными слоями кремния, легированными эрбием или содержащими квантовые точки германия. Модель фотолюминесценции пористого кремния на базе полученных данных позволяет объяснить ее появление вследствие зона-зонных переходов между уровнями крсталлической фазы и оксидных фаз, покрывающих нанокристаллы кремния. Напряжения в поверхностных нанослоях кремния, вызванные Ge-квантовыми точками или кластерами с внедренными атомами эрбия, являются причиной появления тонкой структуры спектров вблизи края зоны проводимости и могут приводить к возникновению люминесценции в этих наноструктурах.

Методами трансмиссионной электронной микроскопии и электронографии исследовано изменение структуры имплантированных ионами инертных газов и химически активной примеси аморфных пленок Si. Показано, что пленки Si, облученные ионами Ar+ и P+ с дозами выше 7· 1015 см-2 не кристаллизуются вплоть до температуры 680oC, что связано с радиационным образованием термостабильных вакансионных комплексов. Установлено, что кристаллизация пленок Si после внедрения меньших доз ионов P+ приводит к ускорению роста зерен в них по сравнению с необлученными пленками. Обсуждается модель механизма влияния ионного облучения на кристаллизацию пленок Si.

Представлены спектральные характеристики показателя преломления и коэффициента экстинкции в диапазоне 0.6/2.0 эВ пленок аморфного кремния, полученных электронно-лучевым испарением при вариации температуры подложки, скорости напыления и температуры отжига на воздухе. Полученные результаты обсуждаются на основе изменений энергетической зоны Пенна в зависимости от указанных условий получения и обработки.