Третьяков А.С. Содержание и методика занятий оздоровительной направленности в водной среде в вузовском курсе физического воспитания : автореф. дис. ... канд. пед. наук : 13.00.04. - M, 2008.

Климова М.В. Содержание и методика физической подготовки юных танцоров (на примере эстрадно-сценического танца) : автореф. дис. ... канд. пед. наук : 13.00.04. - M, 2009.

Скворцова М.Ю. Совершенствование физических качеств баскетболистов с использованием дифференцированных комплексов аэробики на этапах начальной подготовки и спортивного совершенствования : автореф. дис. ... канд. пед. наук : 13.00.04. - M, 2008.

Мазенков А.А. Методика комплексного применения статических (изометрических) и динамических упражнений в физическом воспитании студентов : автореф. дис. ... канд. пед. наук : 13.00.04. - M, 2006.

Предложенный ранее спектрально-корреляционный метод исследования наноструктур применен для изучения фотолюминесценции туннельно-связанных и изолированных квантовых ям в структурах с планарно-неоднородными слоями. Этот метод позволил исследовать на одном образце зависимости интенсивностей линий фотолюминесценции и их энергетических положений от ширины туннельного барьера для системы туннельно-связанных ям GaAs--InGaAs--GaAs и от ширины квантовых ям для системы изолированных квантовых ям AlGaAs--GaAs--AlGaAs. Полученные экспериментальные данные удается согласовать с теоретическими расчетами, предположив в структуре с туннельно-связанными квантовыми ямами наличие постоянного поперечного электрического поля, влияющего на процессы захвата носителей в квантовые ямы. Для изолированных квантовых ям зависимость параметров фотолюминесценции от ширины ям демонстрирует чувствительность к рельефу гетерограниц и к процессам захвата носителей в квантовыеямы.

Методами оптической и растровой электронной микроскопии всочетании спослойным химическим травлением исследованы физические процессы твердофазной диффузии всформированных на свободной поверхности кремния и вокнахSiO2 бескорпусных тонкопленочных структурах Al-n-n+-Si-Al сбарьером Шоттки при импульсном лазерном облучении.

В рамках предложенного ранее спектрально-корреляционного метода исследования полупроводниковых структур с планарно-неоднородными слоями экспериментально исследована при температуре77 K фотолюминесценция структуры на основеGaAs с delta-слоями n-типа. Этот метод позволил изучить на одном образце зависимости особенностей наблюдаемого многокомпонентного спектраФЛ от вариации двух параметров--- расстояния между delta-слоями и состава находящейся между ними узкой квантовой ямы InGaAs. Полученные результаты позволяют связать наблюдаемое экспоненциальное увеличение интенсивности фотолюминесценции из области delta-слоев при изменении этих параметров с изменением соотношения латерально локализованных в минимумах флуктуационного потенциала и свободных двумерных дырок. Обнаружен эффект стабилизации энергетического положения спектральных линий фотолюминесценции, который мы связываем с локализацией дырок в потенциальной яме между delta-слоями. Полученные экспериментальные результаты согласуются с проведенными в работе численными расчетами. PACS: 78.55.Cr, 73.63.-b, 78.67.Pt

Вадюхин С.В. Подготовка кадров в отрасли физической культуры в условиях университетского комплекса : автореф. дис. ... канд. пед. наук : 13.00.08. - M, 2010.

Бобрицкая Е.В. Мезоморфные, физические и ориентационные свойства бинарных систем на основе цианопроизводных нематических жидких кристаллов : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04. - M, 2009.

Б.П. Ахтырцев, Л.А. Алаева, Л.А. Яблонских. Особенности качественного состава "физической глины" и "физического песка" в почвах надпойменных террас лесостепи. // Вестник Самарского Государственного Университета, http://ssu.samara.ru/~vestnik/est/, Серия "Химия, Биология, Фармация", № 2, 2003