Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs получены полупроводниковые гетероструктуры с вертикальными оптическими резонаторами, имеющие активные области на основе массивов квантовых точек InAs, помещенных во внешнюю квантовую яму InGaAs. Исследованы зависимости спектров отражения и фотолюминесценции от особенностей структуры активной области и оптических резонаторов. Предложенные гетероструктуры потенциально пригодны для создания оптоэлектронных приборов на диапазон длин волн вблизи 1.3 мкм.

Получены формулы и проведен численный анализ зависимостей коэффициента фотоплеохроизма Pi однородного анизотропного кристалла от диффузионной длины L и скорости поверхностной рекомбинации. Поляризационная фотопроводимость рассмотрена в области слабого и сильного оптического поглощения. Показано, что спектральный контур фотоплеохроизма следует кривой оптического дихроизма при слабом поглощении, но отклоняется от него или даже инвертирует знак в случае заметной рекомбинации носителей заряда на поверхности кристалла при сильном поглощении. Рассмотрены предельные случаи нулевой и высокой скорости поверхностной рекомбинации для зависимости коэффициента фотоплеохроизма от диффузионной длины. Зависимости проанализированы на основе типичных параметров тройных алмазоподобных полупроводников II--IV--V2.

Получены формулы и проведен численный анализ зависимостей поляризационной квантовой эффективности Qp и поляризационной разности фототоков Delta i однородного анизотропного кристалла от диффузионной длиныL и скорости поверхностной рекомбинации s1. Поляризационная фотопроводимость рассмотрена в области слабого и сильного оптического поглощения. Показано, что Qp(L) и Qp(s1) в этих спектральных областях ведут себя противоположным образом: снижаются при малых коэффициентах поглощенияalpha и растут при большихalpha. Рассмотрены предельные случаи нулевой, малой и высокой скорости поверхностной рекомбинации для Qp(L). Зависимости проанализированы на основе типичных параметров тройных алмазоподобных полупроводниковII--IV--V2.

Предложен способ получения гетероструктур с несколькими слоями InAs / InGaAs-квантовых точек методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs, обеспечивающий высокую интенсивность и малую ширину линии фотолюминесценции в диапазоне длин волн 1.3 мкм. Исследованы зависимости структурных и оптических свойств от режимов роста. Продемонстрированы потенциальные возможности разработанной технологии для создания поверхностно-излучающих приборов с вертикальными оптическими резонаторами.

Измерена термоэдс S в твердом растворе Pb0.78Sn0.22Te, легированном 3 ат%In при дополнительном легировании Cl до 3 ат% в широком интервале температур T

Представлен неразрушающий метод измерения трехмерной картины распределения времени жизни и диффузионной длины носителей заряда в слитках кремния длиной до1 м и диаметром до0.3 м. Физической основой метода является инфракрасное зондирование слитка с полированными участками поверхности скрещенными лучами. Один луч, импульсно-периодический, с длиной волны 1.15-1.28 мкм, создает избыточные носители в стержнеобразной области, расположенной вдоль траектории луча в слитке, в то время как другие лучи, непрерывные и более длинноволновые, отслеживают временную и пространственную кинетику избыточных носителей в небольшом участке стержнеобразной области и вблизи нее (через поглощение на свободных носителях). В силу удаленности измеряемой области от поверхности слитка метод свободен от необходимости учета поверхностной рекомбинации. Показаны возможности метода на слитке с известной пространственной неоднородностью времени жизни носителей. Достигнуто пространственное разрешение в несколькомм.

Разработан и предложен новый метод бесконтактного измерения диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых кристаллах. Метод основан на детектировании поверхностного электронно-индуцированного потенциала полупроводников и его фазового сдвига в зависимости от координаты зондирования относительно барьеров. Приведены экспериментальные результаты определения электрофизических параметров полупроводников на примере кремниевых p-n-переходов.

Исследована прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в нелегированных кристаллах p-Hg0.8Cd0.2Te в интервале температур 4.2-125 K и концентраций вакансийHg от1016 до4· 1017 см-3. По результатам исследований определена температурная и концентрационная зависимость множителяrho0M перед экспонентой в законе Мотта. Обнаружено, что температурная зависимостьrho0M вполне согласуется с выводами теории, полученными в одночастичном приближении. Вто же время величинаrho0M существенно зависит от концентрации вакансийHg и величиныT0 в законе Мотта, что противоречит выводам такой теории. Полученная зависимость является степенной по обоим параметрам; показатель степени равен2.3-2.4. Считается, что концентрационная зависимостьrho0M является специфической для двухзарядных акцепторов и связана с наличием у вакансии ртути второй связанной дырки.

Экспериментально исследована зависимость спектрального положения линии фотолюминесценции квантовых ям InGaAsN от химического состава четверного соединения. Предложено эмпирическое выражение, позволяющее с хорошей точностью описать наблюдаемые закономерности и предсказать требуемый состав соединения для достижения заданной длины волны.

Спектры излучения GaInAsSb/GaAlAsSb квантово-размерных диодных лазеров изучены в интервале температур -10/+20oC и токов 50-200 мА в импульсном и квазинепрерывном режимах. При превышениях тока над пороговым значением до30% обычно наблюдалась одномодовая генерация. Дальнейшее увеличение тока обычно приводило к добавлению еще 3-5 длинноволновых мод резонатора, свидетельствуя о росте коэффициента усиления в этой области спектра из-за взаимодействия мод. Водномодовом режиме длина волны излучения увеличивалась с ростом температуры с наклоном (2-3) Angstrem/K из-за нагревания лазера питающим током и вследствие роста коэффициента преломления. Оценено быстродействие нагревания лазера током--- 0.1 мкс.