Э.К. Алгазинов, А.М. Бобрешов, А.М. Воробьев, Ю.Я. Нестеренко. Отношение сигнал/шум радиоприемника в условиях блокирования. // Вестник Самарского Государственного Университета, http://ssu.samara.ru/~vestnik/est/, Серия "Физика, Математика", № 1, 2003

Объяснение наблюдаемого в экспериментах in situ скачкообразного характера движения дислокаций требует выхода за рамки простейших моделей. Учет дополнительных степеней свободы, управляющих переключением между "скользящими" и "сидячими" состояниями дислокаций, позволяет дать обобщенное описание дислокационной динамики. Полученное в настоящей работе решение соответствующей статистической модели описывает закономерности скачкообразного движения дислокаций и связанные с ними особенности пластичности материалов.

Исследованы электрофизические характеристики структур с блокированной прыжковой проводимостью по примесной зоне на кремнии легированном галлием (NrmGa~5·1017 rmсм-3). Блокирующие слои в структурах получены пассивацией легирующей примеси галлия гидрогенизацией в водородной плазме пониженного давления (высокочастотный разряд) при температуре подложки в диапазоне T=20/220o C. Обнаружено уменьшение при гидрогенизации энергии активации прыжковой проводимости с прыжками между ближайшими соседними атомами галлия с Ea=8.7 мэВ (в негидрирогенизированных структурах) до Ea=1.3 мэВ (после гидрогенизации при T=220o C). Изучены вольт-амперные характеристики и температурные зависимости темнового тока структур и их изменения после изохронных (t=20 мин) отжигов в диапазоне 220/400o C. Проведен расчет вольт-амперных характеристик при низких температурах. Показано, что расчетные данные совпадают с экспериментальными.

Показано, что инжекционные токи в структурах с блокированной прыжковой проводимостью (BIB-структуры) могут быть интерпретированы как токи термоэлектронной эмиссии Ричардсона через потенциальные барьеры. Потенциальные барьеры определяются химическим потенциалом электронов в областях N++-N+(N++-I). Также показано, что измерение потенциала инжекции является удобным методом определения степени компенсации в кремниевых структурах с "омическими" контактами.

Проведены исследования электрофизических характеристик структур металл--окисел--полупроводник (МОП) со встроенными кремниевыми наночастицами в слое диоксида кремния. Формирование нанокристаллов осуществлялось путем распада пересыщенного твердого раствора имплантированного кремния в процессе термообработок при температурах ~1000oC. При азотной температуре экспериментально обнаружена ступенеобразная вольт-амперная характеристика МОП структуры с нанокристаллами кремния в окисном слое. Ступенеобразная вольт-амперная характеристика впервые количественно описана в рамках модели, предполагающей осуществление транспорта заряда по цепочке локальных состояний, содержащей нанокристалл кремния в своем составе. Наличие ступеней объясняется одноэлектронной зарядкой нанокристалла кремния и кулоновским блокированием вероятности прыжка с ближайшего локального состояния в цепочке проводимости. Предполагается, что локальные состояния в окисном слое связаны с избыточной концентрацией кремния внем. Наличие таких состояний в окисле кремния подтверждается данными измерений дифференциальных проводимости и емкости. Для имплантированных кремнием МОП структур наблюдается увеличение дифференциальных емкости и проводимости по отношению к контрольным структурам в области смещений более 0.2 В. Вэтой же области напряжений при воздействии ультрафиолетовым излучением изменение заполненния состояний в цепочках проводимости обусловливает уменьшение проводимости структур.

Ручко Л.С. Факторы актуализации и блокирования мотивов участия личности в совместной деятельности : автореф. дис. ... канд. псих. наук : 19.00.05. - M, 2006.

В работе рассматриваются и сравниваются воздействия гармонических и импульсных помех, действующих по входу малошумящих усилителей на основе арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки