Проводится совместный анализ низкоэнергетических спектров полного тока (СПТ) и вторичной электронной эмиссии (ВЭС) на начальной стадии формирования серебряного покрытия на поверхности W(110). Показана связь особенностей, наблюдаемых в спектрах, с энергетической структурой плотности вакантных состояний, расположенных выше уровня вакуума. Динамика изменения особенностей в СПТ с увеличением толщины пленки свидетельствует, что на начальном этапе серебряное покрытие характеризуется ориентацией Ag(111), а по мере увеличения толщины преобладающей становится ориентация Ag(110).

В результате исследования природных алмазов методом ИК фурье-спектроскопии показано, что образование центров B2 происходит через промежуточные стадии, сопровождающиеся появлением полос поглощения с максимумами около 1550 и 1526 cm-1. Показано, что концентрация межузельных атомов углерода в центрах, вызывающих эти полосы, может в несколько раз превышать концентрацию межузельных атомов в дефектах B2.

Изучены диссипативные процессы при трении скольжения, связанные с самопроизвольным формированием поверхностных слоев из определенного материала и обеспечивающие эффект безызносного трения. Проанализировано динамическое состояние таких слоев с учетом больших пластических деформаций. Исследован микромеханизм получения двухфазной структуры поверхностных слоев с помощью метода молекулярной динамики. Произведена термодинамическая оценка поведения системы в процессе проявления эффекта безызносного трения. Полученные результаты позволяют прогнозировать эффект безызносного трения в заданном диапазоне внешней нагрузки. PACS: 81.40.Pq

Экспериментально исследована низкотемпературная теплоемкость свежеприготовленных и отожженных аморфных сплавов Zr70Be30, Zr67Cu33 и Zr75Rh25. Определены интегральные параметры электронного и фононного спектров: коэффициенты Зоммерфельда и температуры Дебая. В рамках теории решеток с недиагональным беспорядком и локализованными модами проведено сопоставление данных калориметрических и нейтронных экспериментов. Сделан вывод о том, что в свежеприготовленных образцах с понижением температуры происходит локальная перестройка структуры. Для ее описания предложена модель бистабильной примесной конфигурации.

На основании двухтемпературной модели Провоторова развита теория нерезонансного парамагнитного поглощения в концентрированных парамагнетиках, в которых линия спин-фононной связи (СФС) асимметрична относительно центра линии магнитного резонанса. Показано, что сильная асимметричность линии СФС приводит к возникновению второго пика поглощения в области малых частот наряду с максимумом, характерным для кривой Дебая. Установлено, что данный эффект связан с появлением в релаксационной эволюции зеемановской и незеемановской низкочастотной температур второго "перекрестного" члена, обусловленного асимметричностью линии СФС.

Рассматрено акустоэлектромагнитное взаимодействие в режиме, когда необходим одновременно учет трех механизмов: фотоупругости, квадратичной фотоупругости и упругой нелинейности. Показано, что при надкритических условиях в кристалле формируются акустические уединенные волны на частотах гармоники и субгармоники. Учет затухания и неидеальности отражения от границ не приводят к установлению какого-либо стационарного состояния: в системе развивается солитонная пространственно-временная динамика.

Необычные динамические свойства монокристаллических пленок ферритов-гранатов (МПФГ) с магнитной анизотропией в плоскости пленки, в частности однонаправленная анизотропия скорости доменных стенок (ДС), объясняются в рамках механизма движения ДС, включающего локальное вращение намагниченности перед движущейся ДС, которое инициируется спиновыми волнами, излучаемыми ею, а также анизотропию диссипативных свойств МПФГ в ее плоскости.

Представлены экспериментальные данные, свидетельствующие о наблюдении растянутой ван хововской особенности в спектрах комбинационного рассеяния в высокотемпературных сверхпроводниках. Возможным механизмом рассеяния является возбуждение электрон-дырочных пар с большим импульсом.

Исследовались спектры низкотемпературной (T=1.8, 4.2 K) люминесценции двойных связанных асимметричных квантовых ям (ДКЯ) GaAs/Al0.3Ga0.7As при изменении электрического поля Vdc, приложенного вдоль нормали к плоскости слоев ДКЯ. Обнаружено, что полуширина линии излучения (FWHM) непрямого экситона IX испытывает в некотором интервале значений Vdc резкое (до 3.5 раз) сужение. При этом в переходной области значений Vdc, при которых возникает резкое уменьшение (или увеличение) FWHM наблюдаются аномально большие флуктуации интенсивности IX во времени. В ходе зависимости FWHM от уровня накачки Ip также наблюдалось резкое уменьшение FWHM в некотором интервале значений Ip. Полученные результаты обсуждаются в рамках предположения о связи наблюдаемых явлений с возникновением конденсированного состояния во взаимодействующем коллективе пространственно-непрямых экситонов в ДКЯ.

Методом рамановской спектроскопии изучена фрактальная структура на поверхности трещин различного масштаба в стеклообразом SiO2. Исследовалась поверхность откола и трещиноватый слой, образующийся после шлифовки--полировки и механического диспергирования. Найденные параметры фрактальной структуры отражают свойства материала и характер трещин: фрактальная размерность имеет большее значение в более компактном веществе, а геометрический размер фрактальных единиц (т. е. размер в реальном пространстве) коррелирует с размером трещин.