Исследованы спектры рамановского рассеяния света сверхрешеток из слоев самоорганизующихся квантовых точек CdTe, разделенных узкими барьерами ZnTe в 10 и 5 монослоев. В области колебательных мод CdTe кроме полос ~ 120 и 140 cm-1, наблюдавшихся ранее в спектрах образцов с более широкими барьерами (25 и 12 монослоев), присутствовала также полоса ~ 147 cm-1. Эта полоса объясняется симметричной модой колебаний пары квантовых точек, в которой колeбания их дипольных моментов происходят навстречу друг другу. Подобного типа модой колебаний материала, окружающего квантовую точку (ZnTe), можно объяснить сдвиг полосы ~ 200 cm-1 вблизи LO моды ZnTe в низкочастотную сторону. Работа выполнена при поддержке PФФИ (проект N 03-02-7110). PACS: 78.30.Fs, 78.67.Hc, 63.22.+m

Экспериментально исследован коэффициент поглощения поверхностных акустических волн в пьезодиэлектрике, контактирующем при малом зазоре с гетероструктурой GaAs/Al0.25Ga0.75As (с подвижностью двумерных электронов mu=1.3· 105 см2/(В·с) при T=4.2K ) в зависимости от частоты волны, величины вакуумного зазора, магнитного поля и температуры. Вычислены и проанализированы зависимости высокочастотной проводимости (в области 30/210МГц) от магнитного поля и частоты. Экспериментальные результаты можно объяснить, если предположить существование флуктуационного потенциала, в котором происходит локализация носителей тока. Обсуждается характер поглощения поверхностных акустических волн при взаимодействии с локализованными в энергетических "хвостах" уровней Ландау двумерными электронами.

По методу эффекта поля в температурном интервале T=77/ 300 K исследована эффективная плотность мелких пограничных состояний Nss в короткоканальных (0.5/ 5 мкм) транзисторах типа Si-MNOS и полевых--- на основе GaAs с повышенной (более1012 см-2) концентрацией зарядов, встроенных в подзатворном диэлектрике. Обнаружена особенность Nss в виде пика, выраженная тем более отчетливо, чем ниже температура, выше концентрация встроенного заряда и короче затвор. Безотносительно к изменению перечисленных параметров, а также толщины подзатворного диэлектрика и отношения длины канала к его ширине этот пик проявляется при одних и тех же значениях проводимости каналов G~ q2/h. При этом энергетическая глубина пика плотности состояний (~ 40/ 120 мэВ) изменяется пропорциональноT, что выходит за рамки представлений о пограничных состояниях, обусловленных как сильным флуктуационным потенциалом, так и дефектами и ловушками. Результаты интерпретируются в рамках перколяционной теории проводимости сильно разупорядоченных систем. Представляется, что особенность связана с переходом от проводимости двумерной эффективной среды, имеющей место в условиях электронного экранирования флуктуационного потенциала, к проводимости по квазиодномерному потенциальному желобу, образуемому в условиях сильного флуктуационного потенциала локальными областями с пониженным потенциалом.

Рассматривается влияние флуктуаций света на индуцированную им бистабильность распределения фотоносителей. Бистабильность объясняется пороговым характером межзонных переходов и сужением запрещенной зоны полупроводника с ростом концентрации фотоносителей. Вычислены стационарная плотность вероятности состояний и математическое ожидание времени перехода между состояниями. Показано, что внешний шум индуцирует сильнопоглощающее состояние полупроводника ниже критического значения интенсивности падающего излучения и подавляет стационарные состояния выше этого значения.

С помощью магнитозависимого микроволнового поглощения с использованием метода электронного парамагнитного резонанса исследованы магниторезистивные эффекты в сильно легированном n-InAs. Показано, что эти эффекты сводятся к отрицательному, положительному и осциллирующему (эффекту Шубникова--де-Гааза) магнитосопротивлению. Если в последних двух случаях экспериментальные данные согласуются с предсказаниями теории, то в случае отрицательного магнитосопротивления обнаружены особенности, интерпретации которых встречает затруднения: это прежде всего отсутствие эффекта в области очень малых полей, много меньших характеристического поля Hvarphi в теории квантовых поправок, а также следующая из температурных и, в какой-то степени, магнитополевых зависимостей двумерность исследуемых объемных образцов в полях, много больших Hvarphi.

В легированных кристаллах CdTe исследовано поведение прыжкового транспорта в области кроссовера от проводимости, соответствующей закону Мотта, к проводимости по состояниям кулоновской щели. Обнаружено несоответствие отдельных параметров (радиус локализации, диэлектрическая проницаемость), оцененных исходя из поведения проводимости по разные стороны кроссовера. Указанные противоречия объясняются в рамках упрощенной модели, учитывающей роль ассистирующих прыжков.

Полное число подвижных ионов в пленке окисла в МОП структуре на основе Si определялось традиционными методами вольт-фарадных и динамических вольт-амперных характеристик. Определена доля ионов, находящихся в нейтральном состоянии у границы раздела Si--SiO2. При спектроскопии границы раздела обнаружен пик в эффективной плотности пограничных состояний. Показано, что число состояний в пике плотности соответствует количеству нейтрализованных частиц. Обсуждается механизм нейтрализации подвижного заряда ионов.

Экспериментальные исследования сопротивления Ge : Sb со степенью компенсации K

На многослойных структурах GaAs/AlGaAs p-типа, легированных Be с шириной квантовых ям 15 нм, исследованы эффект Холла и проводимость в интервале температур 1.7--300 K. С помощью легирования самой ямы и близкого к яме барьерного слоя была реализована ситуация, когда верхняя зона Хаббарда (A+-центры) была заполнена дырками и проводимость осуществлялась по ее состояниям. Проведенные эксперименты показали, что энергия связи A+-центров заметно возрастает в ямах размером 15 нм по сравнению с объемным случаем, что объясняется близостью размеров ямы и радиуса дырки в A+-центре. Указанный радиус был оценен независимым образом из анализа температурной зависимости прыжковой проводимости.

Для выяснения роли размерного квантования в широких легированных квантовых ямах подробно исследованы осцилляции Шубникова--де-Гааза в модулированно легированных структурах GaAs:Si. Показано, что размерное квантование проявляется и в структурах, в которых средняя длина свободного пробега в 3 раза меньше ширины ямы.