Найдено научных статей и публикаций: 388
71.
Расшифровка сложных спектров (распределений по полным энергиям) электронов автоэмиссии для катодов с неоднородной работой выхода
Нанокристаллические образцы вольфрама исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии, полевой ионной и полевой электронной эмиссией. Обнаружены существенные отличия в энергетических распределениях электронов нанокристаллического вольфрама по сравнению с крупнозернистым металлом. Теоретический анализ показал, что обнаруженные отличия обусловлены изменениями работы выхода при переводе металла в нанокристаллическое состояние.
72.
Сложная динамика двухрезонаторного клистрона-генератора с запаздывающей обратной связью
Рассмотрена сложная динамика модели двухрезонаторного клистрона-генератора с запаздывающей обратной связью. Проведен теоретический анализ условий самовозбуждения и стационарных режимов генерации. Представлены результаты численного моделирования автомодуляционных и хаотических режимов, подробно изучены сценарии перехода к хаосу в центре и вблизи границы зон генерации. Обсуждается влияние сил пространственного заряда на динамику генератора. PACS: 52.80.Pi
73.
Электронная структура стеклообразных фосфатов со сложным строением кислородной подрешетки
В приближении МО ЛКАО xalpha-методом дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения стеклообразных фосфатов. На основе анализа теоретических и экспериментальных электронных спектров системы BeO--P2O5 установлены закономерности формирования валентной полосы щелочно-земельных фосфатных стекол с различным типом анионной подрешетки. Данные об электронной структуре использованы для уточнения моделей ближнего порядка; в частности, подтверждена возможность существования кислорода в тройной координации. С учетом особенностей спектра электронных состояний обсуждаются локализация носителей заряда, природа оптических переходов и явления дырочного переноса.
74.
Миграция триплетных возбуждений сложных молекул в неупорядоченных средах и в системах с ограниченной геометрией
Представлены результаты исследования миграции триплетного возбуждения в таких неоднородных средах, как смешанные молекулярные кристаллы, твердые растворы органических соединений в низкомолекулярных растворителях и полимерах, а также пористые матрицы, активированные сложными молекулами. Экспериментальные данные, полученные как в условиях стационарного возбуждения, так и с временным разрешением, анализируются в рамках различных подходов, используемых для описания транспорта энергии в неупорядоченных системах.
75.
Влияние промежуточного слоя с переменной от координаты диэлектрической проницаемостью на энергию основного состояния электрона в сферической сложной наногетеросистеме
Исследовано влияние границ раздела многослойного сферического микрокристалла на заряженную частицу. Рассматривается случай, когда возле границ раздела существует промежуточный слой, в котором диэлектрическая проницаемость является функцией координаты. Методом классических функций Грина установленa функциональная зависимость от расстояния потенциальной энергии заряда. На примере сферической структуры HgS / CdS рассчитана энергия основного и возбужденного состояний электрона как в случае наличия промежуточного слоя с переменной от координаты диэлектрической проницаемостью, так и в случае его отсутствия.
76.
Определение магнитной анизотропии сложных редкоземельных соединений из эффекта Мессбауэра и ЯМР
Дан обзор экспериментальных результатов и теоретических работ по магнитной анизотропии (МА) в интерметаллических соединениях редкоземельных (РЗ) элементов с переходными металлами. Указаны противоречия как между экспериментальными данными разных авторов, так и с теоретическими расчетами констант МА. Предложена методика определения параметров кристаллического поля (КП) и эффективных зарядов Qi* на ионах сложных интерметаллидов. Найдены возможные значения Qi* для соединений R2T17 и R2T17-xTix, позволяющие единообразно описать константы МА этих систем с разными R и T. При этом использованы экспериментальные данные по эффекту Мессбауэра и ЯМР. Обсуждается вопрос о знаке вклада РЗ подрешетки в МА. Сильная зависимость этого вклада от x в системе R2T17-xTix объясняется вкладом в КП ионов Ti в гантелях. Работа частично финансирована грантом РФФИ N 99-02-16268.
77.
Квазистационарные состояния электронов и дырок в открытой сложной цилиндрической квантовой проволоке
В приближении эффективной массы, используя теорию S-матрицы, численными методами получены энергии квазистационарных состояний электронов и дырок в открытой сложной цилиндрической квантовой проволоке. Конкретный расчет выполнялся на примере системы HgS/CdS/HgS. Исследованы полюса S-матрицы в комплексной плоскости энергий. Получены зависимости времен жизни квазичастиц в квазистационарных резонансных состояниях от геометрических размеров наносистемы и продольного квазиимпульса. Показано, что в резонансных состояниях времена жизни квазичастиц экспоненциально уменьшаются с увеличением продольного квазиимпульса.
78.
Кинетика распада твердого раствора с образованием новой фазы сложного стехиометрического состава
Исследована эволюция метастабильного твердого раствора с примесями разного сорта на стадии зародышеобразования и переходной стадии при выпадении частиц новой фазы стехиометрического состава. Получены поток частиц новой фазы в пространстве размеров, их максимальное число и распределение по размерам.
79.
Определение энергии активации сложных релаксационных процессов
Обсуждаются способы анализа температурных зависимостей интенсивности релаксационных процессов, представляемых в аррениусовской форме. Подчеркивается необходимость учета возможного изменения величины барьера элементарного акта с температурой для корректного определения энергии активации процесса. Приводятся экспериментальные данные по температурно-частотной зависимости диэлектрической релаксации в полимере, демонстрирующие случаи непостоянства барьера, и результаты анализа, позволяющего получить реалистичные значения энергии активации.
80.
Мощные высоковольтные биполярные транзисторы на основе сложных полупроводниковых структур
Исследованы физические процессы в транзисторах, в которые внесен новый конструктивный элемент--- решетка объемных неоднородностей в коллекторной области. Решетка приводит к уменьшению напряженности электрического поля у металлургической границы коллекторного p-n-перехода и препятствует развитию вторичного пробоя.