Методом теории возмущений рассчитана энергия динамических сил изображения, действующих на зараженную частицу, движущуюся перпендикулярно границе раздела полупроводник--вакуум или в вакуумном промежутке между двумя полупроводниками. В используемом диэлектрическом подходе учитываются пространственная и временная дисперсии диэлектрических функций электродов. Показано, что необходимо принимать во внимание квантомеханический характер экранировки. В частности, динамические поправки к статическим силам изображения оказываются меньшими по сравнению с таковыми в квазиклассической модели. Таким образом, расширяется область внешних электростатических полей и энергий частиц, где применим используемый метод теории возмущений. Работа выполнена при частичной поддержке Украинского фонда фундаментальных исследований.

Рассмотрена модель эффекта генерации электродвижущей силы в SmS при нагревании образца в условиях отсутствия внешних градиентов температуры. На основании анализа данных по плотности монокристаллов SmS при отклонениях от стехиометрического состава в области гомогенности покaзано, что избыточные ионы самария располагаются в вакансиях подрешетки серы. Определены возможные концентрации дефектных ионов самария (до 2.8·1021 cm-3). Расчетным путем оценен интервал температур начала генерации электродвижущей силы в различных образцах SmS (440-640 K), а также критические концентрации электронов проводимости, при которых начинается генерация (6-8.5)·1019 cm-3. Предложена формула, позволяющая оценить величину наблюдаемого эффекта. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований N 00-02-16947.

При температурах T=5 и 295 K исследованы соответственно спектры фотолюмиенсценции и поглощения, а в интервале T=5-300 K --- кривые термостимулированной люминесценции (TSL) пленок поли(метилфенил)силана в зависимости от их толщины, температуры отжига и содержания кислорода в воздухе. Установлено, что оптические спектры и кривые TSL пленок, приготовленных на воздухе при комнатной температуре, изменяются после отжига при T=370-450 K. Предполагается, что наблюдаемые изменения связаны с формированием длинных сегментов полимерной цепи с более плотной упаковкой, что приводит к увеличению плотности низкоэнергетических состояний для экситонов и носителей заряда. Показано, что кислород воздуха оказывает существенное влияние как на процесс формирования, так и на энергетическое разупорядочение в пленках. Установлено, что деструкция пленок происходит после их нагрева до T>=q 500 K.

Впервые излагается наиболее полная нерелятивистская теория динамических флуктуационно-электромагнитных взаимодействий между различными типами частиц (заряды, диполи, нейтральные атомы, наночастицы) и поверхностью (плоской и цилиндрической) поляризующейся среды --- границей твердого тела. Теория основана на применении уравнений Максвелла и формализма флуктуационно-диссипативных соотношений. Для плоской поверхности учитываются также эффекты пространственной дисперсии. Критически анализируются работы других авторов. Кратко рассмотрены результаты недавних экспериментов, в которых могли наблюдаться диссипативные флуктуационные силы.

Исследовались трехслойные пленки Co/Cu/Co/Si (111) с разной толщиной прослойки Cu, полученные магнетронным распылением. Показано, что величина коэрцитивной силы осциллирует с изменением толщины немагнитной прослойки. Отмечена хорошая корреляция между полем насыщения и коэрцитивной силой. Экспериментально установлено, что при изменении структуры пленок отжигом в широком диапазоне температур изменяется косвенная обменная связь между слоями Со. Проведен качественный анализ поведения коэрцитивной силы при изменении силы и типа связи между ферромагнитными слоями. Работа поддержана федеральным бюджетом Российской федерации, подпрограмма \glqq Актуальные направления в физике конденсированных сред\grqq федеральной научно-технической программы \glqq Исследование и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники гражданского назначения\grqq Минпром России (договор N 3-02/ДВГУ в рамках государственного контракта N 40.012.1.1.1151).

Рассмотрено влияние на термоэлектрические эффекты в поликристаллических сегнетоэлектриках локальных заряженных состояний на границах раздела кристаллитов. Показана зависимость дифференциальной термоэдс и коэффициента Пельтье от высоты межкристаллитных потенциальных барьеров. Установлена возможность аномального поведения термоэдс в области сегнетоэлектрической точки Кюри. PACS: 72.20.Pa, 44.05.+e, 65.40.-b

Приводятся данные о содержании водорода и различных формах его связи с кремнием в пленках a-Si : H, осажденных методом разложения силана на постоянном токе в магнитном поле (MASD), в зависимости от условий осаждения: температуры, давления смеси 25% SiH4+75% Ar, скорости прокачки, введения в разрядную камеру сетки. Установлены корреляции между величиной фотопроводимости и особенностями структуры пленок.

Эрбий был введен в аморфный гидрогенизированный кремний, полученный высокочастотным разложением силана, за счет термического испарения TRIS (2,2,6,6тетраметил--2.5гептадионато) Er(III) внутри плазменного промежутка. Полученные образцы обладали выраженной слоистой структурой вследствие истощения источника эрбия: ближайший к подложке, обогащенный эрбием, кислородом и углеродом слой контролировал люминесценцию с длиной волны 1.535 мкм, характерную для внутри атомных переходов эрбия 4I13/2-> 4I15/2, и содержал значительное число дефектов. Верхний слой был значительно менее дефектным и по своим фотоэлектрическим характеристикам приближался к нелегированному a-Si : H и контролировал фотопроводимость полученных образцов. Экспериментальные данные проанализированы в рамках моделей легирования a-Si : H эрбием с образованием проводимости n-типа и формирования гетероперехода по мере роста пленки.

Рассмотрены возможности метода микроскопии электростатических сил для изучения приборных полупроводниковых структур. На примере исследования сколов лазерного диода в системе GaAlAs/GaAs показано, что применение метода позволяет находить положение и протяженность n-p-перехода в лазерной структуре, профиль падения напряжения поперек слоев структуры, а также распределение инжектированных носителей в волноводе.

Рассчитана степень циркулярной поляризации фотолюминесценции из квантовой ямы n-типа на основе AIIIBV, выращенной вдоль направления(001), при протекании в плоскости ямы электрического тока. Показано, что смешивание состояний легких и тяжелых дырок приводит к круговой поляризации фотолюминесценции при распространении света в плоскости структуры. Проанализирована роль различного типа линейных по волновому вектору слагаемых в энергетическом спектре электронов в эффектах спиновой ориентации и возникновения круговой поляризации излучения в электрическом поле.