Исследованы аналоги эффекта Брюстера и полного внутреннего отражения для цилиндрических волн, проходящих сквозь цилиндрическую границу двух сред. Установлено, что в случае цилиндрической геометрии эффект Брюстера также имеет место, однако проявляется тем слабее, чем меньше угловой момент цилиндрической волны. Исследовано отражение волн от цилиндрической границы малого радиуса. Получены асимптотические выражения для коэффициента отражения цилиндрической волны при стремлении радиуса границы к нулю. Установлено, что при уменьшении радиуса границы коэффициент отражения цилиндрической волны с ненулевым угловым моментом стремится к единице, всегда оставаясь меньше ее.

С точностью до членов порядка малого параметра включительно получена функция Гамильтона заряженной частицы в слабонеоднородном магнитном поле. Составлены уравнения движения, усредненные по быстрой фазе. Показано, что эти уравнения интегрируются в квадратурах, тем самым задача о движении частицы в слабонеоднородном поле в первом приближении оказывается в принципе решенной. При составлении функции Гамильтона частицы в слабонеоднородном поле используются координаты, связанные с полем, и производится каноническая замена переменных с помощью производящей функции, которая в случае однородного поля приводит к переменным действие--угол. Ранее такая схема была использована в работе [1]. Однако в этой работе не был явно введен малый параметр и не получены окончательные выражения для малой и немалой частей функции Гамильтона. Между тем оказывается, что малая часть функции Гамильтона представляет собой тригонометрический полином относительно быстрой фазы (это может быть существенно при анализе влияния дополнительных возмущений), а усредненные уравнения вполне обозримы и интегрируются в квадратурах.

Нанокристаллические образцы вольфрама исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии, полевой ионной и полевой электронной эмиссией. Обнаружены существенные отличия в энергетических распределениях электронов нанокристаллического вольфрама по сравнению с крупнозернистым металлом. Теоретический анализ показал, что обнаруженные отличия обусловлены изменениями работы выхода при переводе металла в нанокристаллическое состояние.

Проведено компьютерное моделирование эксперимента по рассеянию сильно коллимированного пучка тормозного излучения электронов с энергией 13 MeV от макроскопически гладкой поверхности на сверхмалые углы методом Монте-Карло с учетом взаимодействия пучка с протяженной воздушной средой. Сравнение расчетов и эксперимента указывает на возможность существования явления полного внешнего отражения gamma-квантов в области энергий =<1 MeV.

Представлены результаты определения удельной ионной эрозии катода gammai на основе измерения полного ионного тока из плазмы вакуумной дуги для материалов: C, Mg, Al, Ti, Co, Cu, Y, Mo, Cd, Sm, Ta, W, Pt, Pb, Bi. Показано, что в токе вакуумного дугового разряда alphai изменяется от 5 до 19%, в зависимости от катодного материала. Экспериментально обнаружена обратная зависимость между долей ионного тока alphai и энергией связи атомов материала катода. Установлено, что создание внешнего магнитного поля в катодной области разряда приводит к увеличению извлекаемого из плазмы разряда полного ионного тока только за счет появления в плазме ионов с более высокими зарядовыми состояниями, при этом значение удельной ионного эрозии gammai остается постоянной величиной. PACS: 82.45.Fk, 52.80.Vp

Получена простая аналитическая формула для полного интегрального сечения рассеяния быстрых электронов на атомах. Эта формула имеет логарифмическую точность и получена на основе приближенного правила сумм, не учитывающего обменных эффектов в атомной волновой функции (приближение Хартри). Анализ показывает, что пренебрежение обменными эффектами допустимо в той же области рассеиваемых электронов, что и первое борновское приближение. Проведенные расчеты для He, Ne, Ar хорошо согласуются с экспериментальными данными. PACS: 03.65.Nk

Дана теоретическая интерпретация тонкой структуры полученных спектров полного тока поверхности (0001) монокристаллов MoS2, ZrS2 и NbSe2. При этом в расчетах учитывалось влияние энергетических зависимостей: уширения зонных уровней энергии и плотности незаполненных электронных состояний, в которые попадают электроны при входе в твердое тело. Показана преобладающая роль эффектов объемной зонной структуры в формировании спектров.

Обнаружен и исследован эффект полного восстановления поверхности льда после индентирования в температурном интервале 243-268 K. Суть наблюдаемого явления состоит в том, что в течение нескольких часов после удаления индентора на гранях отпечатка растут новые зерна льда. Обнаружено, что скорость восстановления значительно возрастает после микроиндентирования в границу исходного зерна поликристаллического льда. Обсуждаются возможные механизмы этого явления. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 98-0217054).

Дана теоретическая интерпретация тонкой структуры спектров полного тока и спектров прохождения низкоэнергетических электронов по нормали к поверхности (0001) монокристалла MoS2. В расчетах учитывались энергетическая зависимость уширения зонных уровней энергии и электронное строение конечных незаполненных высоколежащих состояний (выше уровня вакуума Evac), в которые попадают электроны при входе в твердое тело. Проведено сравнение с существующими экспериментальными и теоретическими данными. Показана преобладающая роль эффектов объемной зонной структуры (экстремумы в спектрах отражают энергетическое положение критических точек типа краев (границ) энергетических зон или точек экстремальной кривизны дисперсионных ветвей ) в формировании спектров. Развиваемый метод позволяет отделить объемные эффекты в спектрах от поверхностных, что может успешно применяться для контроля состояния поверхности в процессе обработки. Настоящая работа выполнена при поддержке Государственного фонда фундаментальных исследований Украины.

Пористый кремний p-типа впервые исследован методом рентгеновской рефлектометрии. Для него критический угол полного внешнего отражения и коэффициент отражения в области углов, меньших критического, значительно меньше, чем для c-Si выращенного по методу Чохральского. Критический угол уменьшается при увеличении пористости. Критический угол и коэффициент отражения увеличиваются в процессе старения пористого кремния. Результаты объясняются значительно меньшей электронной плотностью пористого кремния по сравнению с c-Si и микрогеометрией его поверхности, а также их изменением в процессе старения из-за увеличения в нем концентрации атмосферных составляющих, наблюдаемых по инфракрасным спектрам поглощения. Концентрация атмосферных примесей увеличивается при возрастании пористости, причем в сильно пористом материале существенный вклад помимо химически адсорбированного кислорода, по-видимому, дают углерод и вода.