Получены аналитические выражения, описывающие математическое ожидание и дисперсию времени пролета нерелятивистской заряженной частицы через многоэлектродную систему из параллельных сеток. Эти выражения могут быть использованы для оптимизации конструкции ряда устройств, в частности, систем для сеточного удержания плазмы и времяпролетных масс-спектрометров. PACS: 41.85.Ja

Исследованы спектры низкотемпературной фотолюминесценции (ФЛ) и возбуждения ФЛ (ВФЛ) полупроводниковых сверхрешеток (СР) GaAs/AlGaAs, отличающихся шириной потенциальных барьеров (b=20, 30, 50 и 200 Angstrem), т. е. степенью туннельной связи между квантовыми ямами (КЯ), в магнитном поле напряженностью до 5 T, ориентированном параллельно и перпендикулярно слоям структуры. Наблюдаемые в параллельном магнитном поле изменения качественного характера в спектрах ВФЛ при увеличении туннельной прозрачности барьеров отражают переход от квазидвумерного к квазитрехмерному электронному спектру при формировании минизон в СР. В спектрах ВФЛ СР с b=50 Angstrem при увеличении напряженности параллельного магнитного поля обнаружено возникновение новой линии, отсутствующей в перпендикулярном поле, на фиолетовом крыле линии возбуждения пространственно-непрямых экситонов. Возгорание аналогичной линии также наблюдалось в спектрах ФЛ. Показано, что линия люминесценции непрямых экситонов может подавляться магнитным полем как параллельной, так и перпендикулярной ориентации.

Исследованы особенности энергетического спектра и квантовых состояний электронов в системе квантовых ям в сильном магнитном поле, параллельном гетерограницам. Совместное действие квантующего магнитного поля и потенциала системы квантовых ям приводит к радикальному изменению электронного закона дисперсии из-за возникновения одномерных зон Ландау. Окрестностям точек антикроссинга различных зон соответствует эффективная передислокация электронных огибающих функций, усиливающаяся с ростом магнитного поля. Качественно рассмотрен характер плотности электронных состояний в подзонах размерного квантования в связи с изменением системы изоэнергетических линий при наложении магнитного поля.

Исследована структура вихревой решетки в тонких (d

Врезультате изучения туннельного транспорта электронов через однобарьерные гетероструктуры GaAs/AlAs/GaAs показано, что причиной \glqq нулевых аномалий\grqq--- экстремумов вдифференциальной проводимости вблизи нулевого напряжения--- висследованных структурах является резонансное туннелирование между параллельными двумерными электронными газами вобогащенных слоях, образовавшихся по обе стороны барьеров из-за наличия вбарьерах донорных примесей Si. Обнаружено подавление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами вузких интервалах вблизи нулевого напряжения (туннельная щель) всильном магнитном поле, параллельном направлению тока, когда вкаждом из двумерных электронных газов заполнен только один уровень Ландау. Подавление обусловлено кулоновской щелью на уровне Ферми втуннельной плотности состояний. Этот эксперимент впервые обнаружил проявление кулоновской щели при туннелировании между параллельными двумерными электронными газами сотносительно низкими подвижностями, вкоторых влияние беспорядка или случайных флуктуаций потенциала на механизм формирования туннельной щели может оказаться заметным.

В магнитном поле, ориентированном параллельно слоям двойных квантовых ям, изготовленных в гетеросистеме n-InxGa1-xAs / GaAs (x~0.18), обнаружены и исследованы особенности магнитосопротивления, обусловленные прохождением краев туннельной щели через уровень Ферми. Показано, что для достижения согласия расчетных положений этих особенностей с экспериментальными нужно учитывать спиновые расщепления в энергетическом спектре. Ранее подобные особенности магнитосопротивления наблюдались только в гетеросистеме n-GaAs / AlxGa1-xAs с двойными квантовыми ямами, но спиновые эффекты в ней не проявлялись.

Маринюк В.в., Ремизович В.с., Тишин И.в. Отражение светового излучения от плоско-параллельного слоя вещества с модельной двухнаправленной индикатрисой рассеяния при наличии отражающей нижней границы // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 110-112

Вавренюк А.б., Макаров В.в. Моделирование тупиковых ситуаций в параллельных вычислительных системах на языке VHDL // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.5 Информатика, вычислительная техника. Автоматизация. Электронные измерительные системы. Информационные технологии и электроника. Электроника. Микроэлектроника, стр. 202-203

Половинко М.ю. Создание кластерной системы для лабораторного практикума по курсу "Параллельные вычисления" // Научная сессия МИФИ-1999. Т.9 Инновационные проекты, студенческие идеи, проекты, предложения, стр. 81-86

Вавренюк А.б. Сетевой сервер удаленного доступа к параллельной вычислительной системе // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.7 Информатика и компьютерные системы. Информационные технологии. Интеллектуальные системы и технологии. Технологии разработки программного обеспечения. Банки данных и анализ данных, стр. 114-115