Филин А.И., фон Клитцинг К., Кукушкин И.В., Ларионов А.В.. О волновой функции двумерных электронов в параллельном магнитном поле // Письма в ЖЭТФ, том 61, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

Малкин Б.З., Тарасов В.Ф., Шакуров Г.С.. Субмиллиметровая ЭПР спектроскопия ванфлековских парамагнетиков в параллельных полях // Письма в ЖЭТФ, том 62, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru

Заварицкий В.Н.. Аномальное поведение межслойного сопротивления кристалла BSCCO-2212 в параллельном магнитном поле // Письма в ЖЭТФ, том 63, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru

Кирпичев В.Е., Кукушкин И.В., Шепель Б.Н., фон Клитцинг К., Еберл К.. Рамановская спектроскопия магнитоплазменных возбуждений в системе двумерных электронов в наклонном и параллельном магнитных полях // Письма в ЖЭТФ, том 63, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru

Калиникос Б.А., Ковшиков Н.Г., Костылев М.П., Кабош П., Паттон К.Е.. Наблюдение усиления солитонов огибающей спиновых волн в ферромагнитных пленках параллельной магнитной накачкой // Письма в ЖЭТФ, том 66, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru

Теоремы кодирования, формулируемые как протоколы обмена в пространстве состояний квантовых систем, не отвечают на один из основных вопросов о скорости передачи информации в реальном времени. В данной работе получены выражения пропускной способности для бинарного квантового канала связи, описывающие скорость передачи информации в реальном времени.

Методом неупругого рассеяния света исследованы коллективные внутризонные возбуждения зарядовой плотности квазидвумерной электронной системы в двойных GaAs/AlGaAs квантовых ямах во внешнем параллельном магнитном поле Bparallel. Обнаружено, что энергия исследуемых возбуждений (акустического и оптического плазмонов) демонстрирует анизотропию в зависимости от взаимной ориентации Bparallel и квазиимпульса возбуждения k. Теоретически показано, что в сильном параллельном магнитном поле эффекты, связанные с конечной шириной квантовых ям, преобладают над эффектами, связанными с туннелированием между слоями, и определяют анизотропию плазмонов. Проведено сопоставление экспериментальных данных с теоретическим расчетом.

Исследованы магнетотранспортные свойства двумерного электронного газа в узких GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами. Показано, что анизотропное положительное магнетосопротивление, обнаруженное в изучаемых селективно-легированных полупроводниковых структурах в параллельном магнитном поле, обусловлено пространственной модуляцией двумерного электронного газа.

Пусть f:Mm→ Rm+1 — погружение m-мерного связного ориентируемого гладкого многообразия M без края и ξ — поле единичных нормалей вдоль f. Для вещественного t определим отображение ftξ:Mm→ Rm+1, полагая ftξ(p)=f(p)+tξ (p). Известно, что, когда ftξ — погружение, для любого p∈ M число фокальных точек на промежутке, соединяющем f(p) и ftξ(p), целое. Это число, называемое индексом параллельного погружения ftξ, лежит в промежутке между 0 и m. Если f:Sm→ Rm+1 — вложение, то изучается наличие компоненты индекса μ в пространстве погружений Ω (f). Известно, что если существует компонента с индексом μ =m в Ω (f), то f — строго выпуклое вложение в Sm. Описана структура Ω (f), когда f(Sm) выпукло и невыпукло. Показано также, что наличие компоненты индекса μ в Ω (f) позволяет строить непрерывное поле касательных плоскостей размерности μ на Sm, откуда выводится, что для некоторых значений μ не существует компоненты индекса μ на Ω (f).

Байдалин А.Ю. Проектирование видов отображения для визуализатора эффективности параллельной системы DVM. // Graphicon 2002 proceedings, http://www.graphicon.ru/2002/