Анализируются два подхода к расчету собственно рентгеновской фотоэмиссии для эффективных фотокатодов в области энергий квантов 1--10 keV. Выводятся аналитические выражения для квантового выхода собственно рентгеновских электронов. Рассчитанные значения квантовых выходов сравниваются с экспериментально измеренными значениями.

В широком диапазоне углов скользящего падения с использованием тормозного излучения рентгеновской трубки измерены спектры отражения системы Si--SiO2 с различными толщинами диоксида в районе Si L2,3-порога ионизации. Экспериментально определена угловая зависимость глубины формирования отраженного пучка мягкого рентгеновского излучения, которая сопоставляется с полученной из теоретического рассмотрения взаимодействия электромагнитного излучения с поверхностью изотропного твердого тела.

Схема определения параметров структуры многоатомных систем с использованием спектров мягкого рентгеновского излучения (XANES), предложенная ранее, расширена на случай неметаллических кристаллических тел. С ее помощью по положениям максимумов одноэлектронного происхождения в K-спектре серы в соединении CdS определены параметр решетки и эмпирический muffin-tin-потенциал.

Представлена общая теория колебательных возбуждений в металлических стеклах, основанная на дисклинационной модели структуры твердых тел с локальной икосаэдрической симметрией. Использовано представление неортогональных плоских волн, что позволяет выделить в гамильтониане диагональные члены, а также члены, описывающие рассеяние этих волн на флуктуациях плотности и силовых констант, а также на топологических флуктуациях структуры. Для функции Грина получено и решено уравнение Дайсона. Получено аналитическое выражение для плотности колебательных состояний стекла. Обсуждается природа мягких колебательных мод. Показано, что эти моды являются резонансными модами, наличие которых обусловлено флуктуациями плотности и силовых постоянных. Особо обсуждается роль рассеяния вперед и характер пространственного изменения амплитуды данных мод.

Изучено влияние электрического стресса на вольт-амперные характеристики МОП диодов Al/SiO2/p+-Si стуннельно-тонким диэлектриком (2.5-3.0 нм). Проведены испытания образцов при постоянном токе и при постоянном напряжении. Впроцессе стресса при постоянном напряжении, наряду сувеличением тока, связанным смягким пробоем, внекоторых случаях отмечено скачкообразное уменьшение тока. Подобный срыв тока имеет место преимущественно при высоких напряжениях и может быть обусловлен специфическим проявлением мягкого пробоя. При сильной пространственной дисперсии толщины SiO2 данный эффект играет существенную роль, даже если пробой локализован вдостаточно малой области.

Моделирование процессов удара и проникания деформируемых тел вращения в мягкие грунтовые среды : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.02.06 / Е. В. Цветкова ; Нижегор. гос. ун-т. - Н. Новгород, 2004. - 20с.

Ярушкина Н.г. Мягкая экспертная система // Научная сессия МИФИ-2000. Т.3 Банки данных и анализ данных. Интеллектуальные системы и технологии. Технологии разработки программных систем, стр. 95-96

Ананьин О.б., Карпюк А.б., Лаврухин Д.в., Ошурко В.б., Сюй Цзепин Модификация вещества под действием интенсивного мягкого рентгеновского излучения // Научная сессия МИФИ-2001. т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 157-158

Ананьин О.б. Кулоновский механизм абляции полимера при воздействии интенсивного мягкого рентгеновского излучения // Научная сессия МИФИ-2002. Т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Фотоника, стр. 165-166

Ермоленко А.с., Рудинский А.в., Сиек Ю.л. "Мягкие" измерения и вычисления в гидроакустических системах обнаружения морских объектов // Научная сессия МИФИ-2002. Ч.2 Нейроинформатика-2002. 4-я Всероссийская научно-техническая конференция. Теория нейронных сетей. Полносвязные нейронные сети. Нейроэкспертные системы. Многослойные нейронные сети. Нейронные сети в системах управления. Идентификация и контроль параметров динамических систем. Приложения нейронных сетей в технике, стр. 171-178