В литературе уже обсуждалась особая роль, которую могут играть в нелинейных гамильтоновых системах низкочастотные вторичные гармоники, возникающие на сумме и разности явно входящих в гамильтониан первичных частот. Эти гармоники имеют второй порядок малости и составляют весьма незначительную долю возмущения. Несмотря на это, их вклад в амплитуду сепаратрисного отображения системы при определенных условиях может на несколько порядков превышать вклады от первичных частот и тем самым полностью определять формирование динамического хаоса. В настоящей работе дан обзор полученных по этой теме на сегодняшний день теоретических и численных результатов. В качестве примера приведен маятник, возмущение которого представлено в гамильтониане двумя несимметричными гармониками с высокими и близкими по модулю частотами. Получено аналитическое выражение вклада вторичной гармоники в амплитуду сепаратрисного отображения этой системы и с его помощью исследован не рассмотренный ранее случай весьма низких вторичных частот. Указаны области, где амплитуда сепаратрисного отображения растет линейно с частотой, а размер хаотического слоя вообще от нее не зависит. Приведено сравнение результатов теории и численного счета.

Рассчитаны аддитивные вклады в коэффициенты термоэдс и Пельтье, обусловленные неравновесностью продольных оптических фононов. Полученные результаты корректны для любых температур и применимы к полярным невырожденным полупроводникам с низкой концентрацией носителей заряда. Вычисленные составляющие термоэлектрических коэффициентов экспоненциально малы в области низких температур и достигают максимума при kBT~homega0. В материалах с большой массой носителей заряда и сильным электрон-фононным взаимодействием вклад оптических фононов в коэффициент термоэдс может превышать 1 mV/K.

На основе теории фазовых переходов второго рода Ландау развивается термодинамический подход, описывающий спонтанный магнитный вклад в температуру Дебая ферромагнитного металла. Показано, что существенной причиной формирования спонтанного магнитного вклада в температуру Дебая является магнитострикционное изменение объема. С помощью выражения для спонтанного магнитного вклада в температуру Дебая найден магнито-фононный вклад в решеточную теплоемкость. Полученное обобщенное выражение для температуры Дебая находится в хорошем согласии с экспериментальными данными об упругих постоянных ферромагнитной фазы гадолиния. Найденная магнито-фононная теплоемкость вносит заметный вклад в аномалию теплоемкости гадолиния вблизи точки Кюри.

Исследована величина вклада от изменения подвижности носителей тока под давлением в величину пьезорезистивного эффекта в материалах на основе моносульфида самария. Исходя из расчетов и экспериментальных данных сделан вывод, что величина коэффициента пьезосопротивления всестороннего сжатия не может превышать 7· 10-3 MPa-1 при T=300 K.

С использованием решеточных функций Грина для описания статических смещений атомов оценен вклад дислокационных ядер в уширение узла обратной решетки, вызываемого дислокациями в кристалле. Показано, что этот вклад пропорционален экспериментально определяемой рентгеновским методом величине угла интегральной разориентировки дислокационной субструктуры и зависит от некоторых фундаментальных характеристик внутриатомного строения и конденсированного состояния. Работа выполнена при финансовой поддержке Украинского научно-технологического центра (грант N 050).

Рассчитан магнитоупругий вклад в тепловое расширение редкоземельных соединений орторомбической симметрии во втором порядке теории возмущений. Получено и проанализировано выражение для энтропийного вклада в свободную энергию. Для случая более высокой тетрагональной симметрии приведены примеры рассматриваемого эффекта. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-17756).

Обсуждается вклад механических напряжений, возникающих за счет различия в температурных коэффициентах линейного расширения подложки и сегнетоэлектрической пленки, в величину самополяризации на примере тонких пленок цирконата-титаната свинца PbZrxTi1-xO3 (PZT) разных составов. Согласно развиваемым представлениям, природа самополяризации связывается с внутренними поляризующими электрическими полями, вызванными различной плотностью заряда на поверхностных состояниях интерфейсов сегнетоэлектрического слоя, тогда как растягивающие или сжимающие механические напряжения способны лишь изменить ориентацию поляризации, что приводит к увеличению или уменьшению величины самополяризации. Рассматриваются проблемы повышения эффективности использования пленок PZT в приемниках ИК-излучения и устройствах памяти. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17-799) и грантом Министерства образования РФ (E02-3.4-89).

Путем обработки кривых остаточной намагниченности с учетом термических флуктуаций получена температурная зависимость среднего поля анизотропии нанокристаллического порошка гексаферрита бария. Выделен вклад поверхностой анизотропии, нестандартный характер температурной зависимости которого связан со спецификой формирования приповерхностной области ультратонких частиц. Работа выполнена в рамках Договора о научном сотрудничестве между Харьковским национальным университетом (Харьков, Украина) и Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург, Россия) при поддержке Министерства образования и науки Украины (программа фундаментальных исследований, проект N 0304U004181) и Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-39006 и N 05-02-17791).

Предложен и реализован метод экспериментального выделения влияния легких дырок на классический эффект Холла для сложной валентной зоны p-Ge. Для этого их вклад последовательно исключался магнитным полем, калибровка же абсолютных значений дырочных концентраций осуществлялась с помощью нейтронного легирования специальным образом приготовленных пар образцов. На одном из образцов (репере) измерялось приращение электронной концентрации в результате нейтронного легирования, а на другом--- дырочной. Получены калибровочные зависимости для эффективного холл-фактора в p-Ge, с помощью которых можно прецизионно измерять концентрацию дырок в нем во всем диапазоне уровней легирования. Применение их иллюстрируется на примерах изучения прыжкового переноса носителей заряда и исследования перехода металл-изолятор.

Получены и проанализированы спектры фотолюминесценции квантовых точек CdS, выращенных в боросиликатном стекле золь--гель методом. Показано, что спектры фотолюминесценции образцов обусловлены аннигиляцией свободных (внутренних) экситонов в основном и возбужденном состояниях. Впервые обнаружено излучение из поверхностных уровней квантовых точек в области 2.7 эВ, обусловленное рекомбинацией локализованных на поверхности электронов с тяжелыми дырками в свободных состояниях квантовых точек. Резонансное возбуждение этих структур позволило установить характерные особенности поверхностных локализованных состояний, формирующих полосу фотолюминесценции, свойства которой во многом схожи со свойствами полос излучения как трехмерных (аморфные полупроводники, твердые растворы замещения), так и двумерных (квантовые ямы и сверхрешетки) систем. PACS: 73.21.La, 78.67.Hc, 78.55.Et