Представлены результаты поляризационных исследований спектров комбинационного рассеяния света малых частот твердых растворов парадибромбензола с парадихлорбензолом (при 10% парадихлорбензола). Проведены расчеты спектров решеточных колебаний смешанных кристаллов и показано, что в согласии с экспериментальными спектрами в структуре возможно наличие вакансий. Их наличие сказывается на появлении дополнительных линий в спектре малых частот, в частности, в области 70 cm-1. При этом интенсивность линий связана с количеством вакансий. На основе метода атом-атом потенциалов проведен расчет энергий активации диффузии в смешанных кристаллах парадибромбензола с парадихлорбензолом при наличии в структуре вакансий для ряда температур. Показано, что величина энергии активации в этих смешанных кристаллах зависит от изменения температуры и кристаллографического направления меньше, чем в кристаллах компонентов.

В пленочной структуре феррит--высокотемпературный сверхпроводник исследовано влияние транспортного тока в сверхпроводнике на амплитудно-частотную характеристику и дисперсию поверхностных магнитостатических волн (МСВ), распространяющихся в ферритовой пленке. Обнаружено, что характер энергообмена между МСВ и сверхпроводящей пленкой существенно изменяется в зависимости от величины транспортного тока; в частности, в одном интервале значений тока энергия может передаваться как от МСВ сверхпроводнику, так и обратно, а в другом интервале значений тока наблюдается только эффективное положение энергии МСВ сверхпроводником.

На основе поляризационных исследований спектров комбинационного рассеяния света малых частот парабромхлорбензола и расчетов по методу Дина спектров частот решеточных колебаний показано, что в структуре возможно наличие вакансий. Их наличие сказывается на появлении дополнительных линий в спектре малых частот, в частности в области 70 cm-1, при этом их положение слабо зависит от ориентационной неупорядоченности молекул по отношению к паразамещенным. На основе метода атом-атом потенциалов проведен расчет энергий активации диффузии в статистически разупорядоченном кристалле парабромхлорбензоле при наличии в структуре вакансий. Показано, что величина энергии активации является непостоянной вдоль выбранного направления и зависит от расположения молекул парабромхлорбензола по отношению к паразамещенным, что отличается от результатов по упорядоченным парадибромбензолу и парадихлорбензолу.

На основе теории теплопроводности получены зависимости Оже-сигнала и потока десорбции атомов адсорбата от времени отжига и от констант скоростей приповерхностных реакций и диффузии в объем. Показано, что лишь при поверхностно-контролируемом уходе адатомов в объем спад Оже-сигнала со временем линеен с sqrt(sqrt), что и наблюдалось при отжиге Si/Ta. Показано, что начальное распределение адатомов в объеме, полученное во время нагрева адслоев разной толщины до температуры отжига, почти не сказывается на зависимости измеряемых сигналов от времени, но проявляется в их зависимости от температуры отжига. Найдена связь между временем растворения адпленки при нагреве и ее толщиной.

Проведены поляризационные исследования спектров рамановского рассеяния света малых частот твердых растворов парадихлорбензола с парабромхлорбензолом (при 50% парадихлорбензола). Расчеты спектров решеточных колебаний этих смешанных кристаллов показали, что в их структуре возможны вакансии. Наличие вакансий сказывается на появлении дополнительных линий, в частности в области 70 cm-1. Расчет энергии активации диффузии в смешанном кристалле показал, что ее величина зависит от пространственного расположения молекул парабромхлорбензола в решетке, от их ориентации по отношению к паразамещенным галоидам и в меньшей степени --- изменения температуры.

Изучен характер нейтронного транспорта в ультрадисперсной меди вблизи границы полного отражения. Впервые получена зависимость пропускания ультрахолодных нейтронов от толщины неоднородного слоя при соблюдении условия сильного рассеяния kl=<10 (k --- волновой вектор, l --- длина свободного пробега).

Объяснение наблюдаемого в экспериментах in situ скачкообразного характера движения дислокаций требует выхода за рамки простейших моделей. Учет дополнительных степеней свободы, управляющих переключением между "скользящими" и "сидячими" состояниями дислокаций, позволяет дать обобщенное описание дислокационной динамики. Полученное в настоящей работе решение соответствующей статистической модели описывает закономерности скачкообразного движения дислокаций и связанные с ними особенности пластичности материалов.

Доказано существование \glqq магнитопробойных\grqq частот осцилляций Шубникова--де-Гааза вслоистых зарядово-упорядоченных кристаллах. Проведена классификация \glqq магнитопробойных\grqq частот.

Маринюк В.в., Ремизович В.с., Тишин И.в. Отражение светового излучения от плоско-параллельного слоя вещества с модельной двухнаправленной индикатрисой рассеяния при наличии отражающей нижней границы // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 110-112

Брыкин С.н., Ильиных Т.е., Ильиных С.е. Автоматизация контроля и учета наличия и движения ядерных материалов и радиоактивных веществ // Научная сессия МИФИ-2000. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии и параллельные вычисления, стр. 23-25