Экспериментально исследована температурная зависимость порогового тока в лазерных структурах на основе GaInAs в широком диапазоне температур, 4.2=<q T=<q290 K. Показано, что во всем рассмотренном температурном интервале эта зависимость является монотонной. Получены теоретические выражения для пороговой концентрации носителей и показано, что она зависит от температуры линейно. Показано, что при низких температурах основной вклад в пороговый ток вносят процессы мономолекулярной рекомбинации (Шокли--Рида); при температурах T>77 K пороговый ток определяется излучательной рекомбинацией; при более высоких температурах, близких к комнатной, вклад в пороговый ток вносят процессы оже-рекомбинации. При излучательной рекомбинации пороговый ток растет с температурой линейно, а при оже-рекомбинации приблизительно какT3.

В диапазоне энергий фотонов от1 до2 эВ проведены исследования оптического отражения и электроотражения от слоев AlGaAs с периодически расположенными квантовыми ямами GaAs различной толщины. Установлено, что спектральная зависимость коэффициента отражения содержит три основных вклада: отражение от границы воздух-среда; интерференционное отражение, обусловленное периодической модуляцией коэффициента преломления из-за различий его значений для материалов ям и барьеров; отражение, связанное с взаимодействием электромагнитных волн с экситонными состояниями в квантовых ямах. Исследование спектров отражения показало, что эти вклады имеют различные зависимости от температуры, угла падения и поляризации, однако количественное разделение различных вкладов весьма затруднительно. Для выделения в оптических спектрах вклада, обусловленного взаимодействием света с экситонными состояниями, разработан подход на основе бесконтактного измерения спектров оптического электроотражения. Показано, что применение такой методики позволяет определить параметры экситонных состояний в квантовых ямах. PACS: 78.67.De, 73.21.Fg, 78.40.Fy

Гузеев М.ю., Масленников С.п., Школьников Э.я. Электротермическое ускорение микрочастиц // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 36-39

Гузеев М.ю., Гузеев М.ю., Масленников С.п., Школьников Э.я. Генерация высокоскоростных гаховых потоков с помощью сильноточных импульсных разрядов // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 100-103

Гаркуша О.в., Школьников Э.я. Генерация длинноимпульсного СВЧ-излучения в виркаторе // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 124-126

Гаркуша О.в., Школьников Э.я. Формирование стабильных СЭП микросекундной длительности // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 126-128

Гузеев М.ю., Масленников С.п., Школьников Э.я. Электротермическое ускорение микрочастиц // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 132-134

Гузеев М.ю., Масленников С.п., Школьников Э.я. Определение динамических характеристик высокоскоростных потоков в импульсном электротермическом ускорителе // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 128-130

Гузеев М.ю., Масленников С.п., Школьников Э.я. Измерение температуры высокоскоростных потоков в импульсном электротермическом ускорителе // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 130-134

Гузеев М.ю., Масленников С.п., Школьников Э.я. Генерация высокоскоростных газовых потоков с помощью сильноточных импульсных разрядов // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 134-136