Рассмотрено влияние на термоэлектрические эффекты в поликристаллических сегнетоэлектриках локальных заряженных состояний на границах раздела кристаллитов. Показана зависимость дифференциальной термоэдс и коэффициента Пельтье от высоты межкристаллитных потенциальных барьеров. Установлена возможность аномального поведения термоэдс в области сегнетоэлектрической точки Кюри. PACS: 72.20.Pa, 44.05.+e, 65.40.-b

В рамках пакетного анализа дано определение времен туннелирования для частиц, начальное состояние которых описывается волновыми пакетами общего вида. Показано, что "нефизичность" результатов, полученных ранее при численном моделировании движения волновых пакетов в одномерных структурах, обусловлена неправильной интерпретацией пакетного формализма. Времена туннелирования волновых пакетов, наблюдаемые в численном эксперименте, вовсе не являются временами туннелирования частиц.

В серии многослойных селективно легированных структур p-типа (Ge1-xSix/Ge)x N с шириной слоя Ge от 100 до 250 Angstremисследован квантовый магнитотранспорт в полях до 35 Тл при температурах 1.5/ 4.2 K. Вид полученных зависимостей сопротивления как продольного rhoxx, так и холловского rhoxy от магнитного поля, а также соотношение периодов осцилляций в сильном и слабом полях существенно изменяются в образцах с широкими слоями Ge и (или) с высокой плотностью двумерного газа. Эти особенности могут быть объяснены участием дополнительной подзоны в переносе носителей тока. Из расчетов структуры валентной зоны Ge в условиях размерного квантования и квантования магнитным полем (выполненных в приближении прямоугольной бесконечной потенциальной ямы) следует, что данной дополнительной подзоной может быть 2-я подзона размерного квантования тяжелых дырок. Оценки ее заселенности коррелируют с экспериментальными проявлениями участия дополнительной подзоны в гальваномагнитных явлениях.

Диоды с планарно-легированным потенциальным барьером--- приборы с переносом заряда основными носителями, для которых возможно управление высотой потенциального барьера и формой вольт-амперных характеристик за счет определенного сочетания слоев при выращивании эпитаксиальных структур. Эти приборы выступают в качестве потенциальной замены диодов с барьером Шоттки для ряда сверхвысокочастотных применений. В настоящей работе мы исследуем некоторые типичные проблемы, возникающие при выращивании структур с планарно-легированным потенциальным барьером методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Предлагается технология получения структур, основанная на сочетании газофазной эпитаксии с молекулярно-пучковой эпитаксией. Исследуются различные методы формирования омических контактов в структурах с планарно-легированным потенциальным барьером. Разработана технология, обеспечивающая малые контактные сопротивления (95%). Изготовленные сверхвысокочастотные диоды с планарно-легированным потенциальным барьером сопоставляются с диодами Шоттки на основе арсенида галлия.

Предложена модель, описывающая спектральную зависимость фотопроводимости, нормированной на оптическое поглощение, для компенсированного германия при низкой температуре kT<< W (W--- энергетический масштаб случайного потенциального рельефа, возникающего в результате кулоновского межпримесного взаимодействия). Подгонка модельного спектра под экспериментальный позволяет определитьW и степень заполнения примесной зоны мелкого донора. Сделан вывод о слабой зависимости длины свободного пробега от энергии электрона в случайном потенциальном рельефе.

Установлены характерные особенности изменений вольт-амперных характеристик тока медленных моноэнергетических электронов, проходящих из вакуума в монокристаллическийGaAs (110), при удалении слоя естественного окисла с поверхности. Показано, что работа выхода уменьшается, а коэффициент прозрачности поверхностного потенциального барьера увеличивается с температурой отжига кристалла в условиях высокого вакуума. Процесс удаления окисла параллельно контролировался эллипсометрически. Толщина удаляемого слоя, согласно расчетам по уравнениям Друдэ, не превышает20 Angstrem.

Исследована возможность формирования потенциального рельефа в полупроводнике путем создания на его поверхности металлической пленки, полученной селективным удалением атомов (СУА) кислорода пучком ускоренных протонов (с энергией около1 кэВ) из предварительно нанесенного оксида металла. Вкачестве полупроводникового материала выбраны пленки эпитаксиально выращенного GaAs толщиной~ 100 нм и с концентрацией электронов 2· 1017 см-3, а в качестве металла--- W, полученный из WO3. Потенциальный рельеф формировался за счет образования барьера Шоттки на границе W/GaAs. Обнаружено, что при использовании метода СУА формируется заметно более высокий барьер Шоттки на контактеW сGaAs (~ 1 эВ), чем при использовании обычной технологии нанесения металла (0.8 эВ для W/GaAs). Представлены данные, свидетельствующие об отсутствии дефектной прослойки в подзатворной области структур, наиболее подвергаемой воздействию протонов. Вчастности, показано, что подвижность электронов в этой области совпадает с подвижностью объемного GaAs с тем же уровнем легирования.

Выполнен расчет влияния ионизованного заряда в диэлектрике на величину избыточного тока в МОП структуре. Сравнение результатов численного расчета с экспериментальными данными показывает, что этот эффект может быть ответственным за зависящий от времени пробой сверхтонкого подзатворного диэлектрика в МОП транзисторах.

Рассмотрены проблемы формирования потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках. На примере контакта металл--аморфный гидрогенизированный кремний рассмотрена обобщенная модель формирования потенциальных барьеров в таких структурах. Показано, что свойства барьеров в неупорядоченных полупроводниках определяются характером распределения по энергии локализованных состояний в щели подвижности. Это позволило получить аналитическое выражение для электрического поля и потенциала в области пространственного заряда неупорядоченного полупроводника и предложить новый способ формирования поверхностных квазиомических контактов.

Баранов В.м., Кудрявцев Е.м., Сарычев Г.а. Возможности и перспективы комплексной шумовой диагностики потенциально опасных объектов // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.1 Экология и рациональное природопользование. Биофизика, медицинская физика и техника. Экономика и управление. Актуальные проблемы гуманитарных наук. Роль естественно-научных дисциплин при подготовке инженеров по наукоемким направлениям, стр. 13-15