Н.В. Поправко,, Каналы прохождения в вуз глазами потенциальных абитуриентов // Социальные процессы в современной западной Сибири, 2002, http://e-lib.gasu.ru/SocPr/2002/

Гончаров Сергей Антонович. Развитие и применение потенциального подхода к ядро-ядерным взаимодействиям при низких и средних энергиях: Автореф. дис. канд. физико-математических наук : 01.04.16 / НИИЯФ МГУ, 2004

Теоретически проанализированы потенциальные возможности плазмы, нагреваемой лазерным излучением, как источника отрицательных ионов. Показано, что при оптимально подобранных параметрах лазерного излучения эффективность образования отрицательных ионов в лазерной плазме на стадии нагрева достигает 1015-1016 ионов/Дж.

Изучаются потенциальные волны поверхностного типа, распространяющиеся вдоль границы металла с неоднородной по плотности плазмой при учете теплового движения электронов. Получены и решены дисперсионные уравнения для этих волн для линейного профиля плотности плазмы. Исследуется влияние неоднородности плотности плазмы на дисперсионные свойства волн. Рассмотрены случаи как отрицательного, так и положительного градиентов.

Исследовано распространение потенциальных волн поверхностного типа вдоль границы плазмы с идеально проводящим металлом при внешнем магнитном поле, перпендикулярном границе раздела. Показано, что обязательным условием существования таких волн в системе является конечность газокинетического давления. Получены дисперсионное уравнение для этих волн, выражения для глубин проникновения поля волны в плазму и проведено их численное исследование при различных параметрах плазмы. Найдена частотная область распространения исследуемых волн. Показано также, что в такой системе при ненулевом внешнем магнитном поле существует область частот, при которых волна является обобщенно-поверхностной.

Проведен теоретический анализ электрических характеристик квантовых интерференционных T-транзисторов на материалах GaAs, InAs, InSb, Si с учетом зависимости эффективных масс от размеров квантовой проволоки. Показано, что при экстремально малых размерах проволоки ни один из материалов не будет иметь существенных преимуществ перед другими по частотным характеристикам исследованных транзисторов.

Предложено и проанализировано потенциально-резонансное описание характеристик упругого рассеяния электронов атомными системами в терминах энергетической зависимости сечения интегрального типа S(E), получаемой с использованием гипоциклоидального электронного спектрометра. На примере рассеяния медленных, до 2 eV, электронов атомами кальция, рассматривается проявление 2D-резонанса формы на поведение S(E). Особенности, минимум и максимум, экспериментальной функции S(E) использованы для определения энергии и ширины резонанса. Из экспериментальной энергетической зависимости S(E) также определены дифференциальные сечения рассеяния электронов. При этом использованы два типа углов рассеяния, несколько отличающиеся по величине. Восстановленные из экспериментальных данных дифференциальные сечения качественно совпадают с теоретическими и несколько меньше их по величине. PACS: 03.65.Nr, 61.14.-x

Изучается начальная стадия самосогласованного захвата электронов в потенциальную яму, формирующуюся в ходе развития апериодической неустойчивости в диоде Пирса. Получена аналитическая оценка для порога по зазору deltath=dth/lambdaD (где lambdaD --- пучковая плазменная длина), выше которого начинается процесс захвата электронов в яму. С использованием численного метода (E,K-кода) подробно изучена нелинейная динамика и функция распределения захваченных электронов. Обнаружено, что захваченные частицы формируются в локализованной в пространстве сгусток с резкими фронтами, который \glqq болтается\grqq между электродами, вызывая колебания потенциала. Яма оказывается менее глубокой, чем в отсутствие захваченных электронов. Показано, что часть частиц из сгустка периодически уходит на электроды. В результате амплитуда колебаний потенциала постепенно уменьшается, а средняя глубина ямы увеличивается. PACS: 05.65.+b, 52.27.-h

Высказано предположение, что в монокристаллах различных полидиацетиленов ввиду высокой плотности упаковки их макромолекул происходит допирование только поверхностных слоев структурных образований, что и обусловливает низкий достигнутый уровень проводимости этих сопряженных полимеров. С целью повышения эффективности допирования за счет увеличения отношения поверхности к объему полимера проведено измельчение монокристаллов полидиацетилена--THD (поли-1, 1, 6, 6-тетрафенилгексадииндиамина) различными способами. Обнаружена корреляция между степенью измельчения монокристаллов и величиной их проводимости на постоянном токе в легированном состоянии. Достигнуто рекордное для полидиацетиленов значение проводимости (3· 10-2 S/cm), что более чем на порядок превышает приводимые в литературе величины (10-3-10-5 S/cm).

Предложена методика определения из спектров аномальной электронной эмиссии (АЭЭ) особенностей в распределении потенциала на свободной поверхности поляризованных сегнетоэлектриков-электретов. Эта методика применена для исследования потенциального рельефа на поверхности монокристалла магнониобата свинца и сегнетоэлектрической керамики. На примере магнониобата свинца сделан вывод о возможности использования спектров АЭЭ для контроля совершенства поверхностных слоев сегнетоэлектрических монокристаллов. Работа выполнена по госбюджетной тематике НИИ физики при РГУ.