Впервые исследованы временные зависимости релаксации интенсивности люминесценции для различных разрешенных во времени компонент свечения пористого кремния. Обнаружена парадоксальная антибатная зависимость между макро- и микровременами релаксации свечения пористого кремния при импульсном фотовозбуждении: относительное увеличение скорости макрорелаксации для более медленных компонент свечения. Спектральные исследования показали, что различие скоростей "усталостной" релаксации максимально на длинноволновом крае полосы люминесценции. Предложена модель, позволяющая объяснить наблюдаемые эффекты исходя из предположения о дрейфе фотовозбуждений к центрам излучательной рекомбинации.

Для образцов пористого кремния с упорядоченной столбчато-слоистой структурой исследованы спектры люминесценции. Отмечены существенное сужение полосы люминесценции в образцах такого типа и значительный сдвиг положения полосы в результате эффекта "усталости". Впервые предложено объяснение причины возникновения спектрального сдвига полосы люминесценции в процессе усталостной релаксации.

Сообщается о первом исследовании материалов на основе ультрадисперсных алмазов, получаемых методом взрыва. Обнаружена полоса люминесценции в видимой области; ряд структурных деталей этой полосы интерпретирован по аналогии с известными полосами люминесценции центров в синтетических и природных алмазах. Сравнение спектров для ультрадисперсных алмазов с различным образом химически модифицированной поверхностью позволяет утверждать, что вид спектров существенно определяется наличием поверхностного графитоподобного слоя на поверхности зерен.

Обнаружено увеличение интенсивности неупругого рассеяния света на квантовых проволоках пористого кремния. Показано, что эффект вызван уменьшением коэффициента поглощения оптической среды, образованной квазиодномерными структурами при сохранении кристаллической структуры самих проволок.

Наблюдалась зависимость формы линии краевой люминесценции гексагонального нитрида галлия от поляризации возбуждающего света. Эффект интерпретирован как результат существования микрообластей с различными направлениями деформации в плоскости, перпендикулярной оси шестого порядка. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 97-02-18088).

Предложен механизм самоформирования регулярной системы пор в пористом кремнии. В соответствии с предложенным механизмом процесс самоформирования основан на общих законах кинетики системы носителей заряда. На основе предложенного механизма сделана оценка для среднего расстояния между порами пористого кремния, получаемого из кремния p-типа, и для плотности тока анодизации, необходимого для получения пористого кремния при анодном травлении. Полученные величины находятся в хорошем согласии с величинами, известными из эксперимента. Предсказана зависимость среднего расстояния между порами от концентрации носителей в исходном кремнии, близкая к L(n)~ n-1/2. Действенность предложенного механизма подтверждена результатами компьютерного моделирования.

Обнаружен эффект изменения размеров ионисторной конденсаторной структуры при процессах накопления-рассасывания на ней электрического заряда. Особенностью данного эффекта, отличающего его от других известных эффектов изменения размеров под действием электрических и магнитных полей (пьезоэффекта и стрикций), является полный гистерезис, т. е. сохранение размера, достигнутого при воздействии, после снятия этого воздействия.

Атомно-силовая микроскопия и фотолюминесценция использованы для изучения нанорельефа поверхности GaN(0001), обработанной в растворах сульфида натрия. Показано, что после сульфидной обработки мелкомасштабный рельеф поверхности слоя существенно сглаживается.

Исследована зависимость интенсивности краевой фотолюминесценции GaN (0001), выращенного методом газофазной гидридно-хлоридной эпитаксии (HVPE), от интенсивности возбуждения. Особенностью является сильная сверхлинейность при малых уровнях возбуждения, аименно сверхквадратичность. При больших уровнях возбуждения зависимость близка клинейной. Предложена модель, объясняющая обнаруженную сверхквадратичность иоснованная на идентичности рекомбинационных процессов вприповерхностном слое объемного заряда при оптическом возбуждении ивслое объемного заряда барьера Шоттки или p-n-перехода при прохождении тока. Сверхквадратичная зависимость получена аналитически впредположении, что безызлучательный канал обусловлен многопрыжковым туннелированием вдоль дислокации, представляющей цепочку центров локализации носителей ипересекающей область объемного заряда. Наблюдалась степенная экспериментальная зависимость интенсивности люминесценции от интенсивности возбуждения. Оценен такой параметр дислокации, как расстояние между соседними центрами локализации (~ 4.1 нм), т. е. период потенциала вдоль дислокации.

Исследованы основные оптические иэлектрические свойства полиамидокислоты иее комплекса сTb+2. Установлено наличие фотолюминесценции при комнатной температуре смаксимумом излучения при520 нм. Энергия температурной активации проводимости при температуре выше 350 K составляет 2.1 эВ. По интенсивности фотолюминесценции полиамидная кислота сравнима сэлектролюминесцентным полимером полифенилвиниленом.