Для широкозонных полупроводников, таких как GaN, рассчитаны спин-орбитальное расщепление, константы деформационного потенциала и величина g-фактора основного состояния акцепторного центра, описываемого суперпозицией кулоновского потенциала и потенциала центральной ячейки. Получены аналитические выражения для этих параметров в модели потенциала нулевого радиуса, зависящие только от соотношения масс легкой и тяжелой дырок. Показано, что отличия в значениях этих параметров для предельных случаев чисто кулоновского потенциала и потенциала нулевого радиуса не превосходят 7%, что позволяет использовать для оценок простые аналитические формулы. Для основного состояния акцепторного центра в гексагональной модификации GaN теоретический расчет приводит к резкой анизотропии g-фактора, в то время как результаты экспериментальных измерений дают практически изотропное значение g, близкое к величине g фактора свободного электрона. Это противоречие снимается, если в окрестности акцепторного центра возникает перпендикулярная оси C6 кристалла спонтанная деформация, обусловленная эффектом Яна--Теллера.

Для алмазоподобных полупроводников с большой величиной спин-орбитального взаимодействия, таких как Ge и GaAs, рассчитано расщепление спинового квартета подуровней основного состояния мелких акцепторных центров в магнитном поле. Показано, что величина анизотропии этого расщепления сильно зависит от энергии связи и очень чувствительна к малым изменениям зонных параметров Латтинжера. Эти сильные зависимости позволяют использовать расчеты величин g-факторов основного состояния для определения магнитных зонных констант Латтинжера kappa и q. В работе предложен новый метод определения этих параметров и рассчитаны их величины для Ge и GaAs.

Выполнены измерения температурных зависимостей действительной varepsilon' и мнимой varepsilon'' частей комплексной диэлектрической проницаемости керамической литий-титановой ферритовой керамики в частотном интервале 102-106 Hz при различных амплитудах измерительного сигнала и уровнях постоянного напряжения смещения. Обнаружены резкие изменения диэлектрических характеристик керамики в узких температурых интервалах. Преполагается участие в поляризационных процессах релаксаторов, переориентация которых обусловлена туннельными переходами электронов внутри пар \glqq двухвалентный ион железа--трехвалентный ион металла\grqq. Возможно, что при определенных условиях переориентация релаксаторов может иметь коллективный характер.

Вдиапазоне 4.2-500 K исследована температурная зависимость оптической энергетической щели Eg(T) квантовых точек CdSXSe1-X, синтезированных в боросиликатной стеклянной матрице. Показано, что при r>aB ( r--- средний радиус точек, aB--- радиус боровской орбиты экситона в массивном кристалле) она повторяет зависимость Eg(T) массивных кристаллов и описывается формулой Варшни во всем исследованном диапазоне температур. При переходе к точкам с r

Представлены результаты экспериментальных исследований InP:Zn, полученного методом диффузии цинка в открытой системе в незащищенную поверхностьInP. Изучено влияние отжигов в атмосферах азота и водорода, проведенных перед диффузиейZn на параметры фосфида индия. Установлено, что при термическом отжиге в атмосфере азота в фосфиде индия создается насыщенный азотом приповерхностный слой, который препятствует испарению фосфора, уменьшает генерацию рекомбинационных центров в фосфиде индия и увеличивает концентрацию электрически активной примеси цинка в p-области фосфида индия.

Разработана стационарная физико-топологическая модель p-i-n-фотодиода на основе двумерного дрейфово-диффузионного описания процессов переноса носителей заряда в многослойных гетероструктурах InxGa1-xAsyP1-y/InP с учетом функции распределения Ферми--Дирака для электронов и дырок, зависимости подвижности от концентрации легирующей примеси и напряженности электрического поля, а также термоэлектронной эмиссии и туннелирования носителей заряда на гетерограницах. Проведен анализ влияния конструктивных параметров на характеристики p-i-n-фотодиода большой площади и предложены пути расширения его динамического диапазона. PACS: 73.40.Kp, 78.66.Fd, 85.30.De, 85.60.Dw

Исследованы кремниевые фотодиоды, p-область которых имеет сетчатую структуру. Получены аналитические выражения для емкости таких фотодиодов. Проведен анализ влияния размеров ячейки и диффузионной длины неосновных носителей заряда на чувствительность кремниевого сетчатого фотодиода в спектральном диапазоне 0.6-1.0 мкм. Приведены экспериментальные характеристики фотодиодов с сетчатым p-n-переходом с размерами ячеек50 и110 мкм. Обсуждены факторы, определяющие особенности их спектральной характеристики. PACS:85.60.Dw, 72.40.+w, 73.50.Pz.

Малышев А.н., Лин Э.э., Новиков С.а., Павловская М.а., Сухаренко В.и., Жогова К.б., Лебедев Б.в. Исследование термодинамических свойств детонационных наноалмазов и порошков, полученных путем их динамического компактирования // Научная сессия МИФИ-1999. Т.12 Физические науки, стр. 58-60

Гальпер А.м., Лучков Б.и., Малинников В.а., Малышев Г.п., Матвеенко А.м., Оныкий Б.н., Романовский Ю.а., Савиных В.п., Шевцов В.а. Программа "Эстафета тысячелетий" // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.4 Астрофизика. Космофизика. Ускорительная техника. Физика элементарных частиц. Ядерная физика, стр. 40-41

Малышев А.н. Сравнение приложений в области обмена сообщениями и поддержки коллективной работы // Научная сессия МИФИ-2002. Т.2 Технологии разработки программных систем. Информационные технологии, стр. 138-139