Задача электростатики для концентрического кольцевого диска изучена достаточно полно (см. [1] и библиографию в ней). Эксцентрическое кольцо рассматривается впервые на основе одного предложения, которое в литературе известно как преобразование Кельвина [2]. Это преобразование позволило свести исходную задачу к задаче для концентрического кольца с точечным зарядом, лежащим вне кольца в той же плоскости. Последняя решена методом тройных интегральных уравнений. Приближенное решение для плотности распределения заряда на эксцентрическом кольцевом диске приведена в виде разложения по малому параметру.

Изучены основные физико-механические характеристики резистивных нитей. Измерена зависимость комплексной диэлектрической проницаемости резистивной нити от длины волны в широкой области СВЧ диапазона. Показана возможность использования таких нитей в качестве основного элемента широкополосных радиопоглощающих структур.

В замкнутой форме в двумерном приближении найдено распределение потенциала дефлектрона из шести электродов, ранее предложенного авторами. Рассчитана неоднородность его поля. Численно получено распределение поля на оси дефлектронов конечной длины, для которых подобраны аналитические формулы. Рассчитана нелинейность отклонения осевой траектории пучка в горизонтальном и вертикальном направлениях на максимально возможный угол, определяемый геометрией системы. Проведено сравнение с четырех- и восьмиэлектродными дефлектронами.

Проведен сравнительный анализ температур инициирования твердофазных реакций в двухслойных тонких пленках и температур Курнакова фаз, образующихся в продуктах реакции. Для типичных в явлении упорядочения сверхструктур показано, что температура Курнакова совпадает с температурой инициирования твердофазных реакций, если по диаграмме состояния переходу порядок--беспорядок не предшествуют другие твердофазные структурные превращения. Предложено правило для определения пленочных пар, между которыми возможны твердофазные реакции, и их температур инициирования.

В настоящее время известна и хорошо изучена только одна твердотельная кристаллическая форма белка. В то же время нами экспериментально обнаружено, что твердотельная фаза белка может иметь принципиально различные свойства, виды и масштабы симметрии в зависимости от условий конденсации системы белок--вода. Критическим условием является кинетика данного процесса. Так, в закрытой системе в равновесных условиях (низкая скорость процесса) на микроуровне возникает равновесная кристаллическая решетка белка дальнего порядка. В открытой неравновесной системе белок--вода (относительно высокая скорость) возникает автоволновой процесс с нелинейной хаотической динамикой и образуется полипленочная твердотельная фаза с каскадом трехмерных диссипативных наноструктур. Изменяются виды и масштабы симметрии. Исчезает кристаллический порядок на микроуровне, материал становится аморфным. Появляется новая аллотропная модификация твердой неравновесной пленки белка с высокоупорядоченной сверхрешеткой от нано- до макроуровня (с прямолинейной, спиральной, хиральной, зеркальной, поворотной симметрией). Феноменология этого вида белка идентифицитрована in vitro и in vivo и названа "протос".

Целью настоящей работы явилось изучение особенностей переноса заряда вблизи порога перехода полимерных пленок в высокопроводящее состояние, индуцированного малым одноосным давлением. До сих пор не решен вопрос о том, каким образом изменяется энергетическая структура широкозонного органического диэлектрика вблизи этого порога. Были измерены и проанализированы вольт-амперные характеристики пленок полидифениленфталида разной толщины в зависимости от величины одноосного давления. Интерпретация полученных результатов проведена в рамках модели инжекционных токов, ограниченных объемным зарядом. Проведены оценки таких параметров инжекционной модели переноса, как концентрация равновесных электронов, подвижность электронов, степень заполнения ловушечных состояний и др. Анализ полученных оценок позволяет сделать вывод о том, что в запрещенной зоне полимера вблизи квазиуровня Ферми под влиянием избыточного заряда могут создаваться глубокие ловушечные состояния. В результате этого процесса, во-видимому, образуется узкая подзона, перенос по которой приводит к увеличению подвижности носителей заряда и проводимости.

Экспериментально исследованы динамические свойства автоэлектронной эмиссии с наноуглеродных пленок при микросекундной длительности импульсов прикладываемого к образцам электрического поля. Наблюдался гистерезис эмиссионных характеристик, параметры которого сложным образом зависели от амплитуды, длительности и формы импульсов. Для объяснения экспериментальных результатов предложена феноменологическая модель, основанная на представлении о двухступенчатом характере эмиссии с участием неглубоких уровней акцепторого типа, локализованных вблизи поверхности эмиттирующей области.

Приведены результаты экспериментальных исследований высокочастотного (ВЧ) ионного источника с улучшенным массовым составом пучка. Увеличение содержания протонов в пучке было достигнуто путем увеличения плотности ВЧ мощности в рязряде под антенной и установки вблизи плазменной сетки магнитного фильтра. Дополнительно были приняты меры для предотвращения наблюдавшейся ранее деградации состава пучка вследствие восстановления металлического алюминия на внутренней поверхности керамической разрядной камеры и выделения воды. Для этого камера была покрыта изнутри пластинами из пиролитического нитрида бора. PACS: 52.80.Pi

Исследуется влияние высокотемпературного отжига на оптические свойства массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs в матрице GaAs, а также на приборные характеристики инжекционного лазера с активной областью на основе массива квантовых точек. Наблюдается сильный коротковолновый сдвиг максимума фотолюминесценции и линии лазерной генерации, изменение интенсивности фотолюминесценции и температурной зависимости пороговой плотности тока. Причиной наблюдаемого поведения, по-видимому, является уменьшение энергии локализации носителей в квантовых точках в результате частичного перемешивания атомов In и Ga, а также повышение структурного упорядочения в слоях Ga(Al)As, выращенных при низкой температуре, в результате высокотемпературного отжига.

Изучена проблема стабильности свойств слоев пористого кремния. Представлен термодинамический анализ электрохимических процессов, протекающих при анодном растворенииSi. Предложено новое описание электродной реакции взаимодействия кремния с плавиковой кислотой. Показано, что водородная пассивация поверхности Si определяет равновесный потенциал растворения кремниевого электрода. Проведенные термодинамические расчеты указывают на возможность замещения химически и термически нестабильных поверхностных групп типа SiHx более стабильными кремний-кислородными соединениями непосредственно в процессе формирования пористого Si в электролитах с добавлением сильных галогеноводородных кислот. Полученные результаты позволили с позиций термодинамики объяснить стабилизирующее влияние добавки HCl в электролиты для формирования пористого Si на его химические и физические свойства.