Методом модуляционной спектроскопии электроотражения исследовались образцы пористого кремния. Показано наличие мини-зон, ответственных за существование фотолюминесцентных полос (красная, зеленая и голубая). Установлено исчезновение мини-зоны, отвечающей за полосу вголубой области спектра, при обработке поверхности пористого кремния вH+-плазме. Пассивация поверхности водородом также приводит крелаксации механических напряжений, как впористой пленке, так и вкремниевой подложке. Установлена природа электронных состояний взапрещенной зоне кремниевых нанокристаллитов.

Приводятся результаты численного моделирования затворных характеристик КНИ-МОП-нанотранзисторов с двумя независимо управляемыми затворами. Рассматривался случай с заземленной и плавающей базой как без, так и с учетом поверхностной рекомбинации носителей заряда. Показано, что при заданных конструктивных параметрах (длине затвора 50-100 нм, толщине кремния 25-30 нм) путем изменения напряжения на дополнительном затворе можно варьировать пороговое напряжение транзистора в диапазоне 0.45 В, уменьшать ток транзистора в закрытом состоянии до 7 порядков, подпороговый наклон затворных характеристик--- до 60 мВ/дек. Подавление короткоканальных эффектов в таких транзисторах зависит от ряда параметров (перечисленных по степени убывания воздействия): материала затвора, времени жизни носителей заряда (плавающая или заземленная база), толщины отсеченного слоя Si, напряжения на дополнительном затворе, длины канала. PACS: 73.40.Qv, 73.50.--h, 85.30.De, 85.30.Tv

Визгалов И.в., Кирнев Г.с., Курнаев В.а., Сарычев Д.в. Влияние эмиссионных свойств поверхности на устойчивость дебаевских слоев при лазменно-поверхностном взаимодействии // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 104-106

Кривоногов Л.ю. Классификация измерительно-диагностических средств для исследования электрокардиосигнала(ИДС ЭКС) // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.1 Экология и рациональное природопользование. Биофизика, медицинская физика и техника. Экономика и управление. Актуальные проблемы гуманитарных наук. Роль естественно-научных дисциплин при подготовке инженеров по наукоемким направлениям, стр. 104-108

Радкевич А.в., Ремизович В.с. О связи вероятности изменения знака проекции скорости фотона со средним углом рассеяния // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 104-105

Деев В.и., Куценко К.в., Лаврухин А.а., Меринов И.г., Харитонов В.с. Использование высокотемпературных сверхпроводников для передачи энергии в низкотемпературные системы // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр. 104-105

Железин А.а., Кольцов И.м. Система обработки параметров светового излучения на основе ПЗС-датчика и однокристального микропроцессора // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.5 Информатика, вычислительная техника. Автоматизация. Электронные измерительные системы. Информационные технологии и электроника. Электроника. Микроэлектроника, стр. 104-106

Антонов С.в. Моделирование блоков памяти СБИС в среде САПР CADENCE // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.10 Конференция студентов и молодых ученых. Автоматика. Электроника, стр. 104-106

Светиков И.а., Железин А.а., Кольцов И.м. Использование однокристальных микропроцессоров в САУ физической установки // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.10 Конференция студентов и молодых ученых. Автоматика. Электроника, стр. 103-104

Макшанцев А.л. Оптимизация кинематического расчета привода металлорежущих станков // Научная сессия МИФИ-1999. Т.9 Инновационные проекты, студенческие идеи, проекты, предложения, стр. 102-104