The given article is devoted to the fishing tools from the excavations at Staraja Ladoga. The author specifies the tools classification and typology and interprets fishing methods on the base of the tool assortment 

В одноосно-деформированном бесщелевом Hg1-xCdxTe (x=0.10/ 0.14) в условиях ударной ионизации электрическим полем обнаружено вынужденное излучение в диапазоне 80-100 мкм. Скачок излучения происходит при пороговых значениях упругой деформации и электрического напряжения и сопровождается скачком тока в образце. Получены также полевые и деформационные зависимости интенсивности спонтанного излучения. Предложен механизм наблюдаемого эффекта с учетом трансформации энергетических зон и примесных акцепторных уровней направленной упругой деформацией.

Измерены температурные и деформационные зависимости фотопроводимости, фотоэлектромагнитного эффекта, а также темновой электрической проводимости и коэффициента Холла в p-CdxHg1-xTe c cоставом x~ 0.20-0.22 при низких температурах. Показано, что рекомбинационные переходы в температурном диапазоне T

В узкощелевых полупроводниках с прямой запрещенной зоной в упругонапряженном состоянии темп межзонной излучательной рекомбинации за счет трансформации валентной зоны увеличивается. Сдругой стороны, интенсивность межзонных безызлучательных переходов (оже-рекомбинация) при этом резко ослабляется. Врезультате квантовый выход инфракрасного излучения в области межзонных переходов может быть существенно повышен и, как показывает расчет, в пределе стремится к значениям, близким к единице. Экспериментальные результаты получены на кристаллах антимонида индия в условиях сильного возбуждения.

Генерация даже относительно невысокой плотности дислокаций Ndis=<q 107 см-2 приводит к значительным изменениям кинетических коэффициентов в кристаллах CdxHg1-xTe (x=0.20-0.21). Вкристаллах n-типа наряду с заметным ростом концентрации электронов происходит существенное уменьшение их подвижности. Вкристаллах p-типа в низкотемпературном диапазоне 4.2-40 K наблюдается переход от активационной проводимости к металлической, а также знакопеременное поведение коэффициента ХоллаRH в зависимости от температуры и магнитного поля. Основную роль в наблюдаемых изменениях играют не непосредственно дислокации, а электронные состояния точечных дефектов, образованных в процессе движения дислокаций. Вся совокупность данных находит свое объяснение в рамках представлений о формировании в матрице основного кристалла связанных каналов проводимости противоположного типа в виде трехмерной дислокационной сетки.

Исследованы спектры люминесценции пористого кремния, их температурные зависимости, а также трансформация в процессе старения. Показано, что инфракрасная полоса, преобладающая в свежеприготовленных образцах, обусловлена рекомбинацией экситонов в кремниевых кристаллитах. Впроцессе старения наблюдалось появление с коротковолновой стороны хорошо выделенной дополнительной полосы. Предполагается, что она обусловлена рекомбинацией носителей, возбужденных в кремниевых кристаллитах, через центры в окисле. Показано, что широкая полоса, обычно наблюдающаяся в окисленном пористом кремнии, является суперпозицией двух указанных полос. Получены зависимости положений их максимумов и интенсивностей от времени старения и температуры, а также информация о распределении окисных центров по глубине пористого слоя. PACS: 81.65.Cf, 81.05.Rm, 78.55.Mb

На основании измерений температурных зависимостей фоточувствительности и времени жизни неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe с x=0.20-0.23 показано, что в пленках n-типа проводимости, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в области собственной и примесной проводимости доминирует оже-рекомбинация типа CHCC. Вто же время в пленках p-типа, выращенных методами жидкофазной и парoфазной эпитаксии, в области примесной проводимости наблюдается конкуренция оже-рекомбинации CHLH и рекомбинации Шокли--Рида. Пленки n-типа, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, имеют гораздо меньшую концентрацию рекомбинационных центров по сравнению с пленками p-типа, выращенными методами жидкофазной и парoфазной эпитаксии. PACS: 72.40.+w, 73.50.Cr

Полян Е.л., Ямутова Е.и. Инновации: новое и старое в технике. А останется ли место человеку? // Научная сессия МИФИ-2004. Т.6 Проблемы университетского образования. Актуальные проблемы гуманитарных наук, стр. 162-163

Анализ надписей на средневековых каменных крестах показывает, что на наиболее ранних памятниках (до начала XIV в.) отсутствуют надписи-монограммы IC. XC.NIKA. Для них характерны пространные надписи, тяготеющие к “торжественному стилю”.

Авдеева Ю.А. Структурно-семантический и лингвокультурологический анализ словообразовательных гнезд с исходными словами старый – новый, old – new в русском и английском языках: автореф. дис. ... канд. филол. наук : 10.02.01. - M, 2007.