Е.А.Корнева, Контрразведка А.В.Колчака: организация и освещение политических настроений населения и войск // Журнал "Новый исторический вестник", № 1, 2000, http://www.nivestnik.ru/

Предсказан новый световой эффект в процессах переноса атомов в плотных газах, капиллярах и пористых средах. Основу эффекта составляют удары второго рода возбужденных атомов, вызывающие термодиффузионные процессы. На базе модельные представлений сделаны оценки величины эффектов в условиях отсутствия потоков и при их наличии в капиллярных системах. Показано, что при определенных предположениях о специфике ударов второго рода атомов о стенки световое действие изменяет пропускание капилляра.

Теоретически исследована фотоэмиссия из полупроводника с отрицательным электронным сродством для неравномерного распределения интенсивности света на освещаемой поверхности при стационарном и импульсном возбуждении. Показано, что максимальное значение тока эмиссии экспоненциально возрастает с увеличением отношения отрицательного электронного сродства Delta0 к характерной энергии туннелирования E0, и найдена интенсивность возбуждения Iopt, соответствующая максимальному току. Неравномерность возбуждения приводит к ослаблению зависимости тока эмиссии от интенсивности вблизи его максимального значения. Время восстановления квантовой эффективности, измеряемое при двухимпульсном возбуждении, слабо зависит от интенсивности и неравномерности распределения интенсивности в пятне и близко ко времени релаксации малых фотонапряжений.

В области температур 360--400 K исследовано влияние времени освещения на релаксацию концентрации созданных светом метастабильных дефектов в легированных бором пленках a-Si : H. Релаксация концентрации происходила по растянутой экспоненте (~exp(-(t/taur)beta)). В области исследованных температур и времен освещения (0.1--7.0 с) коэффициент beta=0.55-0.65, а энергия активации Ea температурной зависимости эффективного времени taur составляла 0.97--1.07 эВ. С ростом освещения наблюдалось слабое увеличение Ea и beta. Величина taur возрастала при увеличении времени освещения в соответствии с зависимостью, близкой к логарифмической. Проведено сопоставление полученных экспериментальных результатов с существующими микроскопическими моделями образования и отжига метастабильных дефектов в пленках a-Si : H.

Экспериментально установлено, что при использовании концентрированного солнечного излучения увеличивается мощность элемента и уменьшается скорость радиационной деградации параметров. В неохлаждаемых элементах температура возрастает выше 100oC, а кпд падает.

Исследована релаксация темновой проводимости пленок a-Si : H, легированных бором, после их освещения в интервале температур 360-470 K. Показано, что выбор условий освещения пленок (времени освещения и температуры) позволяет на основании изучения релаксации проводимости независимо исследовать релаксацию концентрации созданных светом метастабильных дефектов типа оборванных связей и релаксацию концентрации метастабильных состояний, связанных с примесными атомами. Как в первом, так и во втором случае релаксация происходит по закону растянутой экспоненты. Определены основные параметры, характеризующие релаксацию, и их температурные зависимости. Полученные результаты интерпретируются в рамках модели распределения энергий отжига, созданных светом метастабильных состояний.

Предложен метод идентификации параметров примесных уровней в высокоомных (изолирующих) полупроводниковых кристаллах, позволяющий с помощью термостимулированных токов при дозированном освещении образцов, определять одновременно глубину залегания примесных уровней в запрещенной зоне кристалла (Delta E) и устанавливать, от края какой из разрешенных зон следует отсчитывать найденную глубину залегания уровней, что не позволило широко распространненный обычный метод термостимулированных токов.

Изучена зависимость распределения поля от интенсивности освещения в сильно смещенной высокоомной структуре металл--полупроводник, освещаемой собственным монохроматическим светом. Выявлены различия в распределении поля при освещении со стороны анода и катода, обусловленные в толще разностью подвижностей фотоносителей, а вблизи освещаемой поверхности--- различным направлением диффузионного и дрейфового потоков для более подвижных электронов. Показано, что при освещении со стороны катода распределение поля в толще не монотонно. Оно убывает в тонком слое с удалением от освещаемого катода, проходит через минимум и растет в направлении к аноду. Сувеличением интенсивности освещения квазинейтральная область в окрестности минимума поля расширяется в направлении к аноду и минимальное поле убывает, в то время как поле у освещаемого катода при малых интенсивностях уменьшается, а при больших интенсивностях растет. При достаточно больших интенсивностях освещения координатная зависимость поля в толще чистых кристаллов как функция расстояния от освещаемого электрода не зависит от направления освещения.

Рассчитана нелинейная динамика компенсированного полупроводника при примесном электрическом пробое в классически сильном магнитном поле в режиме закороченных контактов Холла и воздействии резонансного облучения, частота которого соответствует энергии ионизации водородоподобных донорных примесей. Врезультате получены как регулярные, так и хаотические автоколебания; причем для соответствующих значений бифуркационных параметров реализуются все три сценария возникновения хаоса. Полученные результаты могут стать теоретической основой функционирования легкоуправляемого высокочастотного генератора, режимы работы которого (включение, переход от регулярного режима в хаотический и наоборот) можно менять посредством изменения интенсивности подсветки.

Исследовано влияние освещения и адсорбции полярных молекул на свойства структур на основе окисленного пористого кремния. Особенностями изученных структур являются колебания и смена знака напряжения холостого хода при длительном фотовозбуждении; нестабильности тока во времени в среде свысоким содержанием сероводорода; большие времена спада фототока после снятия освещения; уменьшение фототока по сравнению с темновым в структурах с токами, ограниченными пространственным зарядом. Полученные результаты объясняются наличием многозарядных ловушек различного типа в окисленном пористом кремнии, их перезарядкой и туннелированием носителей заряда между кремниевыми нанокристаллами.