Порошки из нанопористого углерода (НПУ) являются материалом, перспективным для создания так называемых холодных эмиттеров, необходимых для разработки надежных видеоконтрольных устройств нового поколения. Приведены результаты экспериментального исследования температурных и временных зависимостей эмиссионного тока покрытий из НПУ. Показано, что при комнатной температуре и напряженности ускоряющего поля 800-1200 V/mm достижима эмиссия, стабильная по крайней мере в течение 20 h непрерывной эксплуатации эмиттера, если плотность отбираемого тока не превышает 0.6 mA/cm2. Рекордные значения плотности нестабильного во времени тока эмиссии, получаемой в подобных условиях, составляют 2.5-3.2 mA/cm2.

Рассмотрен новый тип слабой локализации электронов, возникающий при эмиссии электронов. Он проявляется в особенностях угловых спектров неупруго отраженных от твердого тела частиц, вызвавших ионизацию Оже-атомов. Возникающие ориентационные зависимости являются результатом интерференции двух типов процессов. В одном случае внешний электрон первичного пучка, проникая в твердое тело, испытывает неупругое рассеяние, ионизует атом, а затем происходит его упругое рассеяние на большой угол и электрон покидает твердое тело. Во втором случае упругое рассеяние электрона предшествует неупругому рассеянию частицы при ионизации Оже-атома. Азимутальные угловые зависимости токов неупруго отраженных электронов содержат информацию о процессах нового типа слабой локализации частиц.

Исследованы естественные неоднородности высоты барьера Шоттки, обусловленные дискретностью заряда примеси, случайно распределенной в обедненной области. В рамках модели параллельных диодов получено, что такие естественные флуктуации эффективной высоты барьера в переходе металл--полупроводник при уровнях легирования меньше или порядка 1018 см-3 в среднем не превышают kT при комнатной температуре.

В модели полностью обедненного слоя получены аналитические зависимости равновесных распределений мелкой примеси, электрического поля и потенциала в приповерхностной области полупроводника. Результаты расчета были применены для оценки изменения параметров структуры конечного размера. Получено, что в данном приближении возможно уменьшение концентрации электрически активных дефектов в несколько раз для полупроводниковых слоев толщиной ~1 мкм.

Введено понятие естественного размерного эффекта в обедненных слоях полупроводника--- сравнимость характерного масштаба обедненного слоя со средним расстоянием между электроактивными дефектами. Определены естественные неоднородности электрического поля и потенциала на поверхности полупроводника в случаях собственных и примесных поверхностных состояний. Показана зависимость данных неоднородностей от параметров поверхности иобъема.

Предложена кинетическая модель легирования магнием нитрида галлия, выращиваемого спомощью молекулярно-пучковой эпитаксии из плазмо-активированного азота, иопределены параметры модели. Предполагая конкурентное квазиравновесное вхождение Mg иGa вподрешетку IIIгруппы, теория объясняет основные экспериментально наблюдаемые закономерности легирования--- зависимость эффективности вхождения Mg от температуры иV / III-отношения впадающих потоках.

Модель легирования магнием верифицируется для молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия сиспользованием аммиака вкачестве источника реактивной компонентыVгруппы. Хорошее количественное согласие сэкспериментом позволяет на основе данной модели сравнить эффективность p-легирования для молекулярно-пучковой эпитаксии из плазмо-активированного азота и аммиака. Впоследнем случае удается получить большие концентрацииMg вкристалле за счет повышенного V/IIIотношения впадающих потоках.

Обсуждается зависимость естественных неоднородностей потенциала от пространственной дисперсии диэлектрического отклика двумерного электронного газа на поверхности сильно легированного полупроводника. Определены значения и масштаб неупорядоченного потенциала в случае сильно вырожденного поверхностного электронного газа. Показана зависимость данных неоднородностей от параметров поверхности иобъема.

Булгаков А.В. Психология межгрупповой адаптации на кораблях военно-морского флота россии: автореф. дис. ... докт. псих. наук : 19.00.05. - M, 2007.

Булгаков А.В. Психология межгрупповой адаптации на кораблях военно-морского флота россии : автореф. дис. ... докт. псих. наук : 19.00.05. - M, 2007.