Генерация даже относительно невысокой плотности дислокаций Ndis=<q 107 см-2 приводит к значительным изменениям кинетических коэффициентов в кристаллах CdxHg1-xTe (x=0.20-0.21). Вкристаллах n-типа наряду с заметным ростом концентрации электронов происходит существенное уменьшение их подвижности. Вкристаллах p-типа в низкотемпературном диапазоне 4.2-40 K наблюдается переход от активационной проводимости к металлической, а также знакопеременное поведение коэффициента ХоллаRH в зависимости от температуры и магнитного поля. Основную роль в наблюдаемых изменениях играют не непосредственно дислокации, а электронные состояния точечных дефектов, образованных в процессе движения дислокаций. Вся совокупность данных находит свое объяснение в рамках представлений о формировании в матрице основного кристалла связанных каналов проводимости противоположного типа в виде трехмерной дислокационной сетки.

Приведены результаты экспериментальных исследований межфазных взаимодействий в контактах TiBx-n-GaAs (GaP, InP, 6H-SiC), стимулированных внешними воздействиями: быстрой термической обработкой при температурах до1000oC, микроволновой обработкой при f=2.5 ГГц гамма-квантами 60Co в интервале доз 105-107 рад. Рассмотрены возможные термические и атермические механизмы релаксации внутренних механических напряжений. Показана возможность формирования термостабильных границ раздела TiBx--полупроводник n-типа (GaAs, GaP, InP, 6H-SiC).

Изучено влияние облучения электронами на формирование термодоноров в кремнии. Обнаружено образование областей n- иp-типа проводимости в объеме монокристаллического кремния, облученного электронами и отожженного при температуре450oC. Концентрации носителей в областях обоих типов проводимости возрастают с увеличением дозы облучения и времени отжига, что говорит о формировании не только термодоноров, но и термоакцепторов. Неоднородность распределения акцепторных и донорных центров коррелирует с флуктуациями в концентрации кислорода в кремнии.

Проведено детальное исследование влияния легирования активной области длинноволновых лазеров на InAs--GaAs-квантовых точках акцепторной примесью на их характеристики. Показано, что увеличение степени легирования приводит к росту характеристической температуры и увеличению диапазона температурной стабильности пороговой плотности тока. Влазере со степенью легирования порядка 2·1012 см-2 акцепторов на одну плоскость квантовых точек продемонстрирована характеристическая температура 1200 K в диапазоне температур 15-75oC, а также постоянное значение дифференциальной квантовой эффективности в диапазоне температур 15-65oC. Для оптимизированной структуры максимальная достигнутая выходная мощность в непрерывном режиме составила4.4 Вт.

Методом DLTS исследованы распределения по глубине дефектов, возникающих в кремнии при имплантации ионов бора с энергией14 MэВ, и их трансформация при отжиге в интервале температур 200-800oC. Установлено, что в результате имплантации формируется стандартный набор радиационных дефектов вакансионного типа (комплексы кислород--вакансия, фосфор--вакансия, дивакансии) и центр с уровнем Ec-0.57 эВ. Термообработки при температуре 200-300oC приводят к удалению всех вакансионных комплексов на расстоянии от поверхности h>12-9 мкм. Это происходит, скорее всего, за счет распада межузельных комплексов, локализованных на глубине h>12-9 мкм, и аннигиляции их с вакансионными дефектами. Отжиги при более высоких температурах вызывают дальнейшее сужение слоя, в котором выживают вакансионные дефекты, до h~ 6 мкм при 500oC, и смену наблюдаемых электрически активных центров в интервале температур 400-500oC. Специфика отжига радиационных дефектов после высокоэнергетической ионной имплантации обусловлена пространственным разделением вакансионных и межузельных дефектов. PACS: 61.72.Tt, 61.72.Cc

Двумерный полупроводниковый фотонный кристалл с гексагональной решеткой субмикрометровых отверстий изготовлен путем травления планарной структуры GaAs/AlGaAs, содержащей квантовые точки InAs/InGaAs в волноводном слое. Путем анализа спектров отражения при различных углах падения и поляризации света определена структура фотонных зон. Фано-резонансы, обнаруженные в спектрах отражения при ТМ (ТЕ) поляризации вдоль направления симметрии Gamma-K (Gamma-M), связаны с резонансным взаимодействием оптически активных фотонных зон с падающим светом. Зонная структура радиационных мод утечки исследована путем измерения угловой зависимости интенсивности фотолюминесценции. Обнаруженное трехкратное увеличение интенсивности фотолюминесценции на резонансной частоте фотонного кристалла объяснено эффектом Пурселя. PACS: 42.70.Qs, 78.67.Hc, 78.66.Sq, 78.20.Ci

Предложен метод на основе сканирующей кельвин-зонд-микроскопии, позволяющий прямое наблюдение и количественную характеризацию утечки носителей тока из активной области работающих полупроводниковых светодиодов и лазеров. Спомощью разработанного метода на поверхности зеркал мощных InGaAs/AlGaAs/GaAs-лазерных диодов выявлены неосновные дырки, появляющиеся из активной области и растекающиеся на участки поверхности над n-эмиттером и n-подложкой. Показано, что перемещение дырок по поверхностным каналам, сформированным областями приповерхностного изгиба зон, может происходить на десятки микрон от места их первоначального появления на поверхности. Показано, что с подъемом тока инжекции величина утечки плавно нарастает, а после достижения лазерной генерации ее рост прекращается. PACS: 07.79.-v, 42.55.Px, 73.40.Kp.

Методами инфракрасного поглощения, эффекта Холла и нестационарной емкостной спектроскопии исследованы комплексы вакансия--два атома кислорода (VO2) в облученных кристаллах Si n-типа с различным уровнем легирования. Подтверждена обнаруженная ранее бистабильность VO2 и приведены доказательства электрической активности дефекта в метастабильной конфигурации VO2*. Установлено, что в данной конфигурации дефект обладает акцепторным уровнем, расположенным у EC-0.06 эВ. Показано, что полосы поглощения у967 и1023 см-1 обусловлены отрицательно заряженным состоянием VO2*, а полосы у928 и 1004 см-1 соответствуют нейтральному зарядовому состоянию дефекта. PACS:61.80.Fe, 61.82.Fk, 71.55.Cc, 78.30.Am

Королев А.п. Широкополосный активный разветвитель // Научная сессия МИФИ-1998. Т.10 Конференция студентов и молодых ученых. Автоматика. Электроника, стр. 52-54

Агеев С.и., Дмитриев А.в., Плешко А.д. Активные линии задержки для интегральных трактов амплитудной спектрометрии // Научная сессия МИФИ-1998. Т.10 Конференция студентов и молодых ученых. Автоматика. Электроника, стр. 12-15