Найдена длина образования разрыва при распространении высокочастотного газодинамического возмущения в термодинамически неравновесной газовой среде.

Исследовано деформационное поведение керамики на основе частично стабилизированного диоксида циркония ZrO2(Y2O3) с разной морфологией порового пространства. Обнаружен эффект механической неустойчивости сформированных в процессе синтеза керамики стержневых и пластинчатых структур, что наряду с чисто упругим поведением керамики и процессом накопления микроповреждений при активной деформации сжатием обеспечивает существенную деформацию пористой структуры без разрушения материала и соответственно более широкий спектр применения пористых керамических материалов.

Во втором приближении по амплитуде начальной деформации решена задача определения профиля периодической капиллярно-гравитационной волны, распространяющейся по поверхности жидкости, покрытой пленкой поверхностно-активного вещества. Показано, что наличие пленки поверхностно-активного вещества существенно сказывается на интенсивности нелинейного взаимодействия гармоник, составляющих нелинейную волну.

Приводятся экспериментальные данные кинетики фотоанизотропии азокрасителей, введенных в различные полимерные матрицы. Показаны зависимость вейгерт-эффекта данных красителей в различных матрицах с учетом их строения от актиничной поляризованной засветки, а также их темновая релаксация.

В рамках феноменологического подхода рассматривается распространение поляризованного света в несоразмерно модулированных фазах кристаллов семейства A2BX4 с пространственно усредненной инверсионной симметрией. С помощью аппарата матриц Джонса для анизотропной неоднородной среды рассчитаны оптические параметры кристалла с синусоидально модулированными диэлектрическими параметрами. Показана возможность существования слабой по сравнению с ацентричными кристаллами оптической активности. Обсуждены граничные условия для фазы волны модуляции на поверхностях кристаллической пластинки. Полученные результаты свидетельствуют о том, что оптические свойства несоразмерно модулированного кристалла не должны зависеть до формы модуляционной волны.

Развита количественная теория магнитного акустического двупреломления в ромбоэдрических антиферромагнетиках. Показано, что акустическая активность и связанный с ней эффект Фарадея определяются совместным действием пьезомагнетизма и магнитострикции. Проведена количественная оценка эффекта и указан способ экспериментального определения пьезомагнитной константы. Найдены условия превращения линейной поляризации в круговую, а также поворота линейной поляризации на 90o. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 99-02-16268).

Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119Sn показано, что в PbS и PbSe изоэлектронная примесь германия является двухэлектронным донором, причем энергетические уровни германия лежат выше уровней, образуемых в этих полупроводниках примесными атомами олова.

Исследованы электролюминесценция и генерация лазеров с одним слоем InAs квантовых точек, выращенных в одном процессе молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках (001) GaAs, разориентированных в направлении [010] на 2, 4 и 6o. Обнаружено, что увеличение угла разориентации приводит к коротковолновому сдвигу и уменьшению полуширины спектров электролюминесценции. Наблюдаемый эффект объясняется уменьшением размеров квантовых точек и улучшением их однородности по размерам. Обнаружена сильная зависимость величины пороговой плотности тока от ширины спектра спонтанной люминесценции. Пороговая плотность тока при комнатной температуре лазеров с одним слоем квантовых точек и с минимальной полушириной спектра спонтанной люминесценции (54 мэВ) составила 210 А/см2.

Исследованы электрические, оптические и структурные свойства слоев Si : Er, полученных в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Содержание Er иO в выращенных при 400/600oC слоях составляло до 5·1018 и4·1019 см-3 соответственно. Концентрация электронов при 300 K составляла ~10% от полной концентрации эрбия, их подвижность до 550 см2/В·с. На всех структурах наблюдалась интенсивная фотолюминесценция на длине волны 1.537 мкм до 100/ 140 K. Структура оптически активных центров, связанных сEr, зависела от условий роста слоев.

Методами адмиттанс-спектроскопии с температурным сканированием и релаксационной спектроскопии глубоких уровней исследованы электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si : Er, выращенных на подложках из монокристаллического кремния методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что суммарная концентрация электрически активных центров определяется мелкими донорными центрами с энергией ионизации от 0.016 до 0.045 эВ. Исследовано влияние условий роста и послеростового отжига на состав и концентрацию электрически активных центров. В слоях Si : Er, получаемых сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксией и ионной имплантацией, установлены существенные различия в составе электрически активных центров с глубокими уровнями и в каналах передачи возбуждения от электронной подсистемы кристалла Si ионам Er3+.