В рамках модели, учитывающей диполь-дипольное отталкивание адатомов и металлизацию адсорбированного слоя, проведен расчет заряда адатомов и изменения работы выхода Deltaphi при нанесении на поверхности (100) кремния субмонослойных пленок щелочных металлов. Достигнуто хорошее согласие с данными эксперимента. Проанализировано изменение параметров модели в ряду Li->Cs.

Рассмотрены основные эффекты и условия, ограничивающие применение пояса Роговского для измерений ультракоротких импульсов тока. Предложен и исследован метод частичного восстановления формы импульсов измеряемого тока, что значительно расширяет возможности такого типа датчиков.

Предложена новая математическая модель работы ламинарной диффузионной камеры, которая включает в себя гомогенное образование и рост частиц новой фазы. Проведено качественное исследование модели. Показано, что при численном моделировании важно корректно учитывать концентрационные и температурные зависимости коэффициентов переноса в парогазовой смеси. Найдены границы применимости предыдущих математических моделей ламинарной диффузионной камеры. PACS: 02.70.-c, 45.15.-x

Проведено численное исследование новой математической модели работы ламинарной диффузионной камеры (ЛДК). Подтверждены сделанные ранее качественные оценки о границах применимости стандартной математической модели. Обнаружено, что природа газа-носителя существенно влияет на объем зоны нуклеации в ЛДК. В частности, при прочих равных условиях для газа-носителя аргона объем зоны нуклеации на порядок выше, чем для газа-носителя гелия. Анализ экспериментов Vohra&Heist, основанный на использовании нашей математической модели, показал, что при относительно больших пересыщениях пара в ламинарной диффузионной камере важную роль играют нелинейные эффекты взаимодействия между растущими каплями. Отмечена роль образования локально-неоднородной структуры поля пересыщения вблизи капель в зоне нкулеации. PACS: 02.70.-c, 45.15.-x

Фотоэлектрическим методом Фаулера и в условиях сверхвысокого вакуума изучены температурные и концентрационные зависимости работы выхода электрона (РВЭ) рубидия, цезия и их 9 сплавов на основе цезия. Показано, что политермы работы выхода электрона чистых компонентов и всех изученных сплавов с повышением температуры убывают по линейному закону. На основании полученных авторами экспериментальных данных сделан вывод, что концентрационная зависимость РВЭ бинарной системы Rb-Cs в пределах погрешности эксперимента (около 1%) имеет линейный, аддитивный характер. Наличие азеотропной точки на диаграмме фазового состояния изученной системы не находит отражения на концентрационной зависимости РВЭ. PACS: 61.80.Fe, 79.90.+b

В рамках гамильтониана Андерсона--Ньюнса рассмотрено влияние температуры на адсорбционную систему. Учитывались как статические, связанные с тепловым расширением, эффекты, так и рост с температурой амплитуды колебаний атомов субстрата и адсорбата. Для малых покрытий в линейном по температуре приближении получены аналитические выражения для изменения работы выхода системы в зависимости от температуры. Результаты теории сопоставлены с экспериментальными данными по адсорбции атомов европия на поверхности (100) вольфрама.

С учетом диполь-дипольного отталкивания адатомов и эффектов металлизации рассчитано изменение работы выхода поверхности (111) Si при нанесении на нее субмонослойных пленок Sm, Eu и Yb. Результаты расчетов удовлетворительно согласуются с данными эксперимента.

Показано, что в уравнении баланса тепловых потоков в объеме образца (упрощенное уравнение Иоффе--Стильбанса) необходимо учитывать теплоту Пельтье, которую раньше рассматривали как чисто контактную характеристику. В результате самосогласованного расчета с учетом температурной зависимости теплоты Пельтье получены аналитические выражения для распределения температуры в нагруженном термоэлементе, описывающие основные отклонения от линейного распределения. Получены формулы кпд термоэлемента, обобщающие формулы Иоффе на случай больших перепадов температуры и больших потоков тепла.

Изучено температурное поведение высокочастотной проводимости поверхностных электронных каналов в диодах Шоттки на основе высокоомного p-Si, содержащего приповерхностные окислительные дефекты упаковки. Показано, что обратимые температурные изменения поверхностного изгиба зон и работы выхода Si в области температур 80/300 K имеют ступенчатый характер. Сделан вывод о том, что при охлаждении от 180 до 80 K поверхностная концентрация свободных электронов растет при характерных для упорядочения диполей воды температурах. Эти эффекты связываются со структурированием адсорбированной на границе Si--SiO2 воды и с упорядоченной ориентацией диполей воды на поверхности при вымораживании их вращательной подвижности.

Исследованы изменения спектров люминесценции и электрических свойств светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN в процессе длительной работы. Изучались голубые и зеленые светодиоды с одиночными квантовыми ямами InGaN в течение 102/ 2· 103 ч при токах до80 мА. Обнаружено увеличение интенсивности люминесценции при рабочих токах (15 мА) на 1-й стадии старения (100/ 800 ч) и медленное падение--- на 2-й. Наибольшие изменения спектров наблюдались при малых токах (