Приводятся результаты наблюдения индуцированного излучения образцов CdxHg1-xTe при оптической накачке с помощью импульсного Nd : YAG-лазера при температуре T~77 K. Вдиапазоне длин волн lambda~3300-3600 нм наблюдалось как стимулированное, так и спонтанное излучение. Приводятся экспериментальные спектры излучения. Обсуждаются свойства спектров изучаемых образцов, а также возможные применения.

Исследованы рентгеновская дифракция, электрические и магнитные свойства слоев GaSb : Mn, нанесенных на GaAs (100) методом осаждения из лазерной плазмы в вакууме. Показано, что пленки, нанесенные при 200-440oC, являются эпитаксиальными мозаичными монокристаллами. Легированные Mn слои (до ~4 ат%Mn) имели концентрацию дырок выше 1·1019 см-3. Структуры с GaSb : Mn, выращенные при 200oC, имели аномальный эффект Холла. Bcлоях GaSb : Mn, выращенных при 440oC, наблюдался нормальный эффект Холла, а их отжиг импульсом лазера (длина волны lambda=0.68 мкм, длительность 25 нс) вызвал увеличение концентрации дырок и появление аномального эффекта Холла при комнатной температуре. Магнитные СВЧ измерения подтвердили ферромагнетизм пленок до 293 K и позволили выявить анизотропию магнетизма.

Измерены вольт-амперные характеристики и получены осциллограммы импульсов тока в многослойных гетероструктурах n-InGaAs / GaAs с квантовыми ямами и эпитаксиальных пленках n-GaAs с различным уровнем легирования. Показано, что при низких уровнях легирования в полях порядка 300-400 В/см имеет место насыщение вольт-амперных характеристик. Вболее сильно легированных образцах наблюдается возникновение осцилляций тока с периодом, соответствующим транспортной скорости (3-3.5)·105 см/с при E||[110] и примерно в 1.5раза большим при E||[100]. Полученные результаты объясняются возникновением в структурах соответственно статических и движущихся акустоэлектрических доменов. Вполях выше 1.5 кВ/см наблюдались высокочастотные осцилляции ганновского типа, соответствующие пролетной скорости электронов 1.5·107 см/с.

Исследовано спонтанное излучение селективно легированных гетероструктур GaAs/InGaAs : Si и GaAs/InGaAsP : Si в терагерцовом диапазоне частот (~ 3-3.5 ТГц) на переходах между состояниями двумерной подзоны и донорного центра(Si) при возбуждении излучением CO2-лазера и температуре жидкого гелия. Показана возможность создания инверсии населенности и усиления в активном слое до 100-300 см-1 в многослойных структурах с квантовыми ямами (50периодов) с концентрацией легирующих центров ND~ 1011 см-2 при плотности потока возбуждения1023 квант/см2· с.

Показана возможность формирования методом металлорганической газофазной эпитаксии искусственной среды, представляющей собой матрицу монокристаллического GaAs с внедренными наночастицамиAl. Проведены исследования ее электрических и оптических свойств.

-1 Проведено экспериментальное исследование одновременной генерации нескольких частотных полос стимулированного излучения в полупроводниковом лазере с тремя квантовыми ямами. Показано, что разные частоты могут генерироваться как в основных, так и в возбужденных поперечных модах волновода. Обнаружено, что возможна одновременная генерация стимулированного излучения в двух и трех частотных полосах. Исследованы зависимости мощности генерации в различных полосах от тока. Вполупроводниковом лазере, генерирующем две полосы излучения с энергетической разностью между пиками50 мэВ (длина волны lambda~ 25 мкм), с помощью широкополосного примесного фотоприемника Si : B зарегистрировано излучение в среднем инфракрасном диапазоне, которое предположительно связано с генерацией разностной гармоники.

Сконструированы гетеролазеры InGaAs/GaAs/InGaP с асимметрично расположенными квантовыми ямами двух типов и экспериментально исследованы их двухчастотная генерация и генерация вторых гармоник, впервые реализованные в широком диапазоне токов от0.2 A при постоянной накачке до более чем 10 A при импульсной 200-наносекундной накачке. Обнаружены неизвестные ранее особенности подобной генерации, и дана их физическая интерпретация, основанная на анализе конкуренции и сосуществования различных коротковолновых и длинноволновых мод лазера включая моды \glqq шепчущей галереи\grqq.

Методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (100) выращены эпитаксиальные слои Si, легированные различными примесями. Легирование фосфором слоев было проконтролировано в диапазоне концентраций электронов от 2· 1013 до 1019 см-3. Высокая концентрация легирующей примеси (~ 1020 см-3) была получена при использовании испарения из частично расплавленных кремниевых источников. Возможность управления сортом и концентрацией примеси в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии продемонстрирована при выращивании многослойных структур типа p+-n+. PACS: 68.55.Bs, 81.40.Rs, 81.40.Tv

Представлены результаты исследования роста самоформирующихся островковGe(Si), выращенных на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) (x~25%) с малой шероховатостью поверхности. Показано, что рост самоформирующихся островков на буферных слоях SiGe качественно аналогичен росту островков на Si (001). Обнаружено, что изменение морфологии поверхности (переход от dome- к hut-островкам) в случае роста островков на релаксированных буферных слоях SiGe происходит при большей температуре, чем для островков Ge(Si)/Si (001). Причинами этого могут быть как меньшее рассогласование кристаллических решеток островка и буферного слоя, так и несколько большая поверхностная плотность островков при их росте на буфереSiGe. PACS: 68.65.Hb, 68.55.Ac, 68.55.Jk

Вдиодных структурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в вакууме~10-7 мбар при температуре 520-580oC, исследована интенсивность электролюминесценции на длине волны1.54 мкм при комнатной температуре в зависимости от концентрации и распределения эрбия и донорных примесей в области объемного заряда(ОПЗ), а также от толщиныОПЗ. Найдены пути получения электролюминесценции в диодах, имеющих широкуюОПЗ (0.1-1 мкм). Найдены длина пробега электронов при взаимодействии с центрами Er и значение пороговой энергии свободного электрона, необходимой для возбуждения электрона в оболочкеEr. Экспериментально определены значения напряженности электрического поля при пробое кремниевых p-i-n-диодов, легированных и нелегированныхEr. Предложена модель взаимодействия горячих электронов с центрамиEr. PACS:73.20.Hb, 73.40.Lq, 78.60.Fi, 85.30.Kk