Представлены результаты исследований фотолюминесценции структур с Ge(Si)-самоформирующимися островками, встроенными в напряженный Si-слой. Структуры были выращены на гладких релаксированных Si1-xGex/Si(001) (x=20-30%) буферных слоях. Обнаруженный в спектрах фотолюминесценции исследованных структур пик фотолюминесценции связывается с непрямым в реальном пространстве оптическим переходом между дырками, локализованными в Ge(Si)-островках, и электронами, локализованными в напряженных Si-поляx над и под островком. Продемонстрирована возможность эффективного управления положением пика фотолюминесценции от данного типа структур путем изменения толщин напряженных Si-слоев. Обнаружено, что при 77 K интенсивность сигнала фотолюминесценции от гетероструктур с Ge(Si)-cамоформирующимися островками, заключенными между напряженными Si-слоями, на порядок превосходит интенсивность сигнала фотолюминесценции от структур Ge(Si) c островками, сформированными на Si(001)-подложках. PACS: 81.07.Ta, 78.55.--m, 78.67.Hc, 71.20.Nr, 68.37.Ps, 81.15.Hi

Описываются особенности социально-культурной зоны в структуре концепта

Рассматривается класс задач непрерывной оптимизации, связанный с минимизацией нелинейной функции, определенной в невыпуклой области. В основе предлагаемого подхода лежит генетический алгоритм для решения задач безусловной оптимизации. Для учета ограничений используется модифицированный метод штрафных функций с переменным коэффициентом штрафа. Предложена методика, позволяющая динамически подстраивать коэффициент в процессе поиска, исходя из текущего соотношения допустимых и недопустимых особей в популяции.

Дан краткий обзор явлений, обусловленных сильными корреляциями нелинейных мод в планарных системах. Анализ ограничен моделью нелинейного уравнения Шредингера. Найдены стационарные распределения полей. Получена зависимость числа частиц от параметра, характеризующего степень зацепления мировых линий возбуждений. Показано, что при малых значениях этого параметра на двумерной решетке существует универсальное притяжение, которое может служить динамической причиной перехода в когерентное состояние. Обсуждается связь киральных нелинейных краевых мод с нарушением галилей-инвариантности рассматриваемой системы.

В рамках борновского приближения рассмотрено обратное тормозное поглощение сильного лазерного поля в кластерной плазме с учетом взаимодействия электрона со всей ионной подсистемой кластера. Электромагнитная мощность, поглощаемая в плазме, вычислена для линейной и циркулярной поляризации лазерного излучения. Показано, что ``кластеризация' плазмы может приводить к значительно более эффективному поглощению электромагнитной энергии в результате столкновений. При этом коллективные эффекты (воздействие на электрон результирующего поля ионов кластера) в процессе обратного тормозного поглощения играют доминирующую роль по сравнению с элементарными процессами (рассеяние электрона на отдельных ионах кластера).

Показано, что в 2D электронных слоях наноцентры конечного радиуса (квантовые точки, доноры) могут приводить к возникновению резонансов Фано в сечении рассеяния. Вычислен резонансный вклад в остаточное сопротивление.

Теоретически и экспериментально исследованы микромагнитные свойства субмикронных ферромагнитных элементов эллипсообразной формы. С помощью численного решения уравнений магнитодинамики установлено, что в зависимости от способа перемагничивания таких элементов могут быть получены различные остаточные состояния намагниченности: одно-, двухвихревые, а также безвихревое с кососимметричным закреплением спинов. Предсказанные в расчетах конфигурации намагниченности наблюдались экспериментально с помощью магнитно-силовой микроскопии в регулярных решетках микрообъектов, сформированных при интерференционном лазерном облучении тонкопленочных образцов сплавов Fe-Cr.

На базе многослойных гетероэпитаксиальных структур с двумерным газом носителей заряда в слоях InGaAs путем самоформирования в процессе электрохимического травления образцов реализованы структуры, содержащие сетки одномерных квантовых нитей. Факт понижения размерности электронно-дырочной подсистемы, связанный с трансформацией спектра энергии носителей заряда из двумерного в квазиодномерный, продемонстрирован по сдвигу и сужению резонансных линий в спектре фотолюминесценции.

Предложено решение проблемы реализации коллапса трехмерных волновых пакетов в нелинейных средах с нормальной дисперсией групповой скорости. Показано, что у волновых пакетов с подчеркнутой гиперболической топологией имеет место коллапс, то есть неограниченное нарастание поля вблизи оси системы. В частности, волновой коллапс трубчатых аксиально-симметричных пакетов реализуется в результате концентрации к оси сжимающегося кольцевого распределения поля. Исследована стабилизация коллапса вследствие насыщения нелинейности или нелинейной диссипации, приводящих к ограничению роста поля и дроблению пакета в продольном направлении.

Приводятся результаты попытки экспериментального наблюдения при комнатной температуре осцилляций напряжения, связанных с дискретным туннелированием дырок в пористом кремнии (ПК). Исследовались шумовые характеристики диодных структур с прослойкой ПК, сформированного на монокристаллах сильно легированного бором кремния. Обнаружены пики избыточных шумов на частотах sim1 МГц, на которых следовало ожидать одноэлектронные осцилляции. Пиковая мощность шума возрастала с ростом тока по степенному закону с показателем sim2.5 и при плотности тока 0.15 A/см2 на 3--4 порядка превышала мощность шума приемника. Сложные вид спектра шумов и его расширение в область высоких частот с ростом тока объясняются трехмерностью системы кремниевых наноразмерных гранул, вкрапленных в диэлектрическую двуокись кремния в ПК.