Приводятся результаты по наблюдению индуцированного излучения из образцов CdxHg1-xTe при оптической накачке с помощью импульсного Nd:YAG-лазера при температуре T

Рассмотрены закономерности формирования пространственно-временной структуры распределения интенсивности электромагнитных излучений свистового диапазона и содержания энергичных электронов в радиационных поясах Юпитера. Проанализированы параметрические нелинейные процессы в плазменном магнитосферном мазере. Показано, что азимутальная неоднородность магнитной ловушки в сочетании с быстрым угловым вращением планеты приводит к формированию в добротности магнитосферного резонатора составляющей, характеризующейся периодической модуляцией и не зависящей от азимутальной координаты. Эта модуляция проявляет себя как внешняя сила, которая в условиях глобального резонанса обеспечивает синхронизацию колебаний уровня свистовых излучений в отдельных трубках магнитного поля.

Сообщается о возможности лазерного синтеза разбавленных магнитных полупроводников на основе германия и кремния, легированных до 10--15 ат.% марганцем или железом. Примеси Mn и Fe, согласно данным об электронных уровнях 3d-атомов в полупроводниках, наиболее предпочтительны для реализации в Ge и Si ферромагнетизма по механизму Рудермана--Киттеля--Касуи--Иосиды (РККИ). Тонкие толщиной 50--110 нм эпитаксиальные слои Ge и Si выращивались на подогретых до 200--480 circС монокристаллических подложках арсенида галлия или сапфира. Содержание 3d-примеси измерено рентгеноспектральным методом. Ферромагнетизм слоев, высокие магнитная и акцепторная активность Mn в Ge, Mn и Fe в Si проявились в наблюдениях при 77--500 К эффекта Керра, аномального эффекта Холла, высокой дырочной проводимости и анизотропного ферромагнитного резонанса (ФМР). По данным ФМР точка Кюри Ge:Mn, Si:Mn на подложках GaAs и Si:Fe на Al2O3 была не ниже 420, 500 и 77 К, соответственно.

С помощью атомно-силовой микроскопии (АСМ) изучена топография субмикронных периодических структур, сформированных на поверхностях поликристаллического синтетического алмаза, и полиимидных пленок на подложках из плавленого кварца при наносекундных импульсных воздействиях ультрафиолетового излучения эксимерного XeCl лазера с длиной волны 308 nm в схеме четырехлучевой интерференционной лазерной модификации. Показана возможность прямого формирования двумерного периодического рельефа с субмикронным периодом на поверхности алмаза непосредственно импульсным лазерным испарением без применения резистора. Установлено, что в зависимости от экспозиции наблюдаются два различных механизма модификации полиимидных пленок. При экспозициях в диапазоне до 100 mJ/cm2 в полиимиде наблюдается изменение рельефа вследствие увеличения объема в местах интерференционных максимумов. При экспозиции более 100 mJ/cm2 в пленках возникают отверстия. С использованием УФ фоторезистора, экспонированного интерференционным импульсным лазерным облучением, и последующего ионного травления Ar получен периодический рельеф на поверхности плавленого кварца.

Измерены чувствительность и пространственное резрешение фототермического резиста на основе двухслойной пленки металлического индия и полимера. Прямым лазерным воздействием изготовлены двумерные маски, через которые созданы наноразмерные металлические и диэлектрические островки на подложке кремния. Найдены условия получения субмикронных периодических структур на пленках TiO2, нанесенных на стеклянную подложку по золь-гель технологии. Измерены их некоторые оптические характеристики, отмечается возможность использования таких решеток для возбуждения планарных электромагнитных волн.

На частоте 34.27 HGz испытан на малом уровне мощности компрессор в виде трехзеркального резонатора, запитываемого волновым пучком посредством гофрировки одного из зеркал. При сжатии прямоугольного импульса с линейной частотной модуляцией получена четырехкратная по длительности компрессия с эффективностью ~60%.

Сформулирована система уравнений самосогласованного поля для ансамбля непрерывно распределенных винтовых дислокаций. Показано, что интенсивная релаксация дислокационных зарядов, обусловленная упругим взаимодействием дислокаций, приводит к диффузионной динамике ансамбля. Определены условия возникновения неустойчивости однородного состояния. В двумерном случае описаны эффекты самоорганизации дислокаций и процессы их пространственного упорядочивания.

Приводятся первые результаты изучения эпитаксиального выращивания легированных эрбием слоев кремния на сапфировых подложках с использованием метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Приведены данные структурного анализа, обсуждаются люминесцентные свойства слоев. Показано достаточно высокое совершенство гетероэпитаксиальных слоев кремния на сапфире, выращенных при температурах Ts=600-700oC. В фотолюминесцентном отклике структур обнаружен сигнал на длине волны 1.54 mum, связываемый с внутрицентровыми переходами редкоземельного иона Er3+. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16439 и 02-02-16773) и МНТП \glqq Фундаментальная спектроскопия\grqq (проект N 08.02.043).

Экспериментально и теоретически изучается температурная зависимость спектра фотолюминесценции и рассчитывается время электронно-дырочной излучательной рекомбинации в кремниевых квантовых точках. Обсуждается зависимость времени рекомбинации от размера квантовой точки. Экспериментально показано, что интенсивность фотолюминесценции уменьшается примерно на 60% с ростом температуры от 77 до 293 K. Теоретические расчеты показывают слабую зависимость характерного времени рекомбинации от температуры, поэтому уменьшение интенсивности фотолюминесценции связывается в основном с безызлучательными переходами. Также показано, что излучение с участием фононов идет гораздо более эффективно, чем в их отсутствии. При этом зависимость времени рекомбинации от размера квантовой точки изменяется с R8 (для бесфононного перехода) на R3. Работа поддержана программой \glqq Университеты России\grqq (грант N УР.01.01.057).

Приведены результаты выращивания эпитаксиальных слоев кремния, легированных эрбием, с использованием двух разных режимов роста: обычной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и твердофазной эпитаксии (ТФЭ). Показано, что легированный эрбием слой кремния при его осаждении методом ТФЭ на холодную подложку и последующем отжиге проявляет более интенсивную фотолюминесценцию на длине волны 1.54 mum, чем слои, выращенные методом МЛЭ. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16439 и 02-02-16773) и Минпромнауки РФ (госконтракты N 40.020.1.1.1161 и 40.020.1.1.1159).