Приведен расчет амплитудно-зависимого дефекта модуля упругости для трех основных моделей дислокационного гистерезиса: 1) гистерезиса отрыва по Гранато--Люкке, 2) гистерезиса Давиденкова и 3) гистерезиса трения без возвращающей силы (БВС). Для всех трех типов петель рассмотрено отношение амплитудно-зависимых декремента и дефекта модуля и показано, что в общем случае r зависит от амплитуды колебаний. В частном случае степенных амплитудных зависимостей декремента и дефекта модуля r не зависит от амплитуды, а зависит только от показателя степени n. Получены формулы r(n) для трех типов гистерезисных петель, и продемонстрировано, что величина r может служить идентификатором формы петли. Сравнение расчетных кривых с результатами экспериментов, накопленными к настоящему времени, показало, что большинство данных лежит ближе к гистерезисам Давиденкова и БВС. Проанализированы пределы применимости приближения секущего дефекта модуля, используемого для определения дислокационной деформации из измерений внутреннего трения.

Исследовано влияние границ раздела многослойного сферического микрокристалла на заряженную частицу. Рассматривается случай, когда возле границ раздела существует промежуточный слой, в котором диэлектрическая проницаемость является функцией координаты. Методом классических функций Грина установленa функциональная зависимость от расстояния потенциальной энергии заряда. На примере сферической структуры HgS / CdS рассчитана энергия основного и возбужденного состояний электрона как в случае наличия промежуточного слоя с переменной от координаты диэлектрической проницаемостью, так и в случае его отсутствия.

При помощи нового вариационного метода исследовано основное состояние модели Хаббарда с половинным заполнением в магнитном поле для одномерной цепочки, плоской квадратной и простой кубической решеток. В одномерной цепочке и простой квадратной решетке обнаружен метамагнитный переход. В случае простой кубической решетки метамагнитный переход отсутствовал. Работа выполнена в рамках проекта N 829 Международного научно-технического центра.

Исследованы инжекционные гетеролазеры на квантовых точках, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что пороговая плотность тока при комнатной температуре может быть снижена до 15 А/см2 при уменьшении безызлучательной рекомбинации и при повышении степени локализации носителей. С помощью метода электропоглощения исследована плотность состояний в структурах с вертикально-связанными квантовыми точками.

С помощью вольтъемкостных исследований выявлена аккумуляция электронов и дырок в слоях GaAs, содержащих кластеры мышьяка и помещенных между буферными слоями GaAs n- и p-типа. В результате аккумуляции основных носителей заряда в прилегающих буферных слоях формируются обширные области обеднения. Моделирование вольтъемкостных характеристик, основанное на численном решении уравнения Пуассона, показало, что концентрация аккумулированных зарядов составляет ~1x1012 см-2, что сравнимо с концентрацией наноразмерных кластеров As, определенной методом просвечивающей электронной микроскопии.

Исследован процесс отжига слитка CdTe : Cl при охлаждении его после выращивания. Отжиг производился в 2этапа: высокотемпературный этап, когда при термодинамическом равновесии кристалла с паром летучих компонентов устанавливается примерное равенство концентраций хлора и вакансий кадмия, и низкотемпературный этап, когда заряженные дефекты взаимодействуют с образованием нейтральных ассоциатов. Определены необходимые для получения полуизолирующего кристалла концентрации легирования хлором для различных скоростей охлаждения слитка на высокотемпературном этапе. Определена зависимость концентрации примеси[Cl+Te] в слитке от температуры его отжига на высокотемпературном этапе. Получены значения времен жизни и дрейфовых подвижностей носителей заряда в кристалле в зависимости от температуры и от давления паров кадмия при послеростовом отжиге слитка.

Приведена методика фотоэлектрохимического C-V-профилирования концентрации основных и эффективного времен жизни неосновных носителей заряда ввысокоомных толстых (1.6 мм) пластинах GaAs после их геттерирования как односторонним, так и двухсторонним покрытием пленкой иттрия и последующей термообработкой при температурах 700 и 800oC. Показано, что распределения концентрации Nd-Na и эффективного времени жизни неосновных носителей заряда по толщине пластин достаточно однородны вобоих случаях. Данная методика позволяет измерять концентрацию носителей до 1012 см-3.

Рассмотрен вопрос о связи между статистическим распределением по форме и размерам квантовых точек и плотностью электронных состояний. Показано, что для массива нетождественных квантовых точек плотность состояний вблизи основного уровня имеет вид асимметричного пика, положение и форма которого определяются статистическими параметрами массива: равновесным радиусом, а также дисперсией и асимметрией распределения квантовых точек по рамерам. Установлены общие соотношения между формой пика и этими параметрами.

Исследовалось влияние концентрации основных носителей тока (n) и плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) вобразцах n-Si. Показано, что зависимость eta(varphi) имеет максимум, который сувеличениемn смещается всторону больших значенийvarphi. Наблюдаемый эффект объясняется существованием оптимального соотношения между концентрациями первичных радиационных дефектов, образующихся вединицу времени, изаряжающих их свободных носителей тока.

Предложен простой аналитический способ вычисления подвижности основных носителей заряда, позволяющий хорошо описать экспериментальные данные в широком диапазоне температур и уровней легирования в различных полупроводниковых материалах, включая элементарный полупроводник (кремний), полупроводник типа AIIIBV (арсенид галлия), полупроводник типа AIVBIV (различные политипы карбида кремния) и полупроводник типаAIIIN (нитрид галлия). Хорошая точность результатов расчета позволяет считать, что данный способ является универсальным и его можно использовать для описания подвижности основных носителей заряда в других полупроводниковых материалах. Простота и точность предложенного способа делает его полезным при разработке численных программ, предназначенных для анализа характеристик многослойных полупроводниковых структур.