Приводятся описание и результаты первых экспериментов на установке для квантовой криптографии с одиночными фотонами. Передача ключа осуществлялась импульсными полупроводниковыми лазерами на основе кодирования поляризованных состояний фотонов в двух альтернативных базисах, не ортогональных друг другу. В качестве детекторов одиночных фотонов использовались специально разработанные высокоскоростные детекторы на основе кремниевых лавинных фотодиодов C30902S. При тактовой частоте повторения лазерных импульсов 100 kHz и среднем числе фотонов в импульсе около 0.2 получена скорость генерации ключа ~4 bit/s. Количество ошибок в ключе не превышало 1%.

Исследуется взаимосвязь структурных перестроек и стабильного индуцированного поляризованного состояния в полидиэтилсилоксане (ПДЭС). Показано, что в температурных областях кристаллизации и переходов кристалл--кристалл в ПДЭС наблюдаются термополяризованные токи, температурные зависимости которых определяются величиной поляризующего поля и выбором температурного интервала поляризации. Это указывает на существование мезофазного состояния ПДЭС.

В поликристаллических полупроводниках-сегнетоэлектриках электросопротивление определяется потенциальными барьерами, обусловленными наличием на границах кристаллитов заряженных локальных поверхностных состояний. Экранирование этих барьеров зависит от состояния сегнетоэлектрической системы и достигает максимального значения, когда происходит переполяризация спонтанной поляризованности. В работе показано, что образующееся при этом локальное возмущение сегнетоэлектрической системы в виде доменной стенки между областями с разными направлениями поляризованности имеет зигзагообразную конфигурацию. Электрическое поле в области зигзагообразной доменной стенки стабилизировано и равно коэрцитивному, что и обеспечивает малую величину потенциальных барьеров в сегнетоэлектрической фазе по сравнению с параэлектрической. В результате в области перехода из сегнетоэлектрической фазы в параэлектрическую, когда переполяризационные процессы перестают участвовать в экранировании потенциальных барьеров, наблюдается явление резкого увеличения электросопротивления, называемое позисторным эффектом.

C помощью обобщенного метода сильной связи исследована спектральная плотность в ARPES-спектрах антиферромагнитных диэлектриков Sr2CuO2Cl2 и Ca2CuO2Cl2 вдоль основных симметричных направлений зоны Бриллюэна. Установлено, что на потолке валентной зоны данных недопированных соединений в АФМ фазе имеется псевдощель магнитной природы Es( k)~0-0.4 eV между виртуальным уровнем и самой валентной зоной, а близость триплета 3B1g и уровня ZR-синглета может являться причиной наблюдаемого подобия дисперсии вдоль направлений Gamma=<ftrightarrow M и X=<ftrightarrow Y. Рассчитанная четность поляризованных ARPES-спектров в точках Gamma,M,X для АФМ фазы с учетом парциальных вкладов является положительной. Указаны также условия наблюдения парциальных вкладов в поляризованных ARPES-экспериментах. За счет спиновых флуктуаций виртуальный уровень приобретает дисперсию и малый спектральный вес. Вероятно, эффекты затухания просто не позволяют его разрешить на фоне основного квазичастичного пика. Работа выполнена при поддержке Красноярского научного фонда (КНФ грант N 9F0039).

Обсуждается проблема спинового транспорта (пространственного переноса и локализации спина носителя тока) в реализации новых физических принципов работы устройств микроэлектроники. В частности, приводятся экспериментальные данные, подтверждающие возможность создания высокочастотных твердотельных устройств для миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов, а также базовых элементов структур спиновой информатики на основе контактов ферромагнитный полупроводник--полупроводник, выходные параметры которых способны регулироваться как транспортным током, так и внешним магнитным полем. Работа была выполнена в рамках Программы РАН \glqq Квантовая макрофизика\grqq, а также проекта N 26 подпрограммы \glqq Актуальные направления в физике конденсированных сред\grqq Федеральной целевой научно-технической программы \glqq Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники гражданского назначения\grqq (N 107-26(00)-П-Д01, договор N 2.4) и поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект Р-2001-Урал N 01-02-96429).

Предложена методика определения из спектров аномальной электронной эмиссии (АЭЭ) особенностей в распределении потенциала на свободной поверхности поляризованных сегнетоэлектриков-электретов. Эта методика применена для исследования потенциального рельефа на поверхности монокристалла магнониобата свинца и сегнетоэлектрической керамики. На примере магнониобата свинца сделан вывод о возможности использования спектров АЭЭ для контроля совершенства поверхностных слоев сегнетоэлектрических монокристаллов. Работа выполнена по госбюджетной тематике НИИ физики при РГУ.

Представлена теория распространения электромагнитных волн в структурах, образованных чередующимися магнитными и диэлектрическими слоями. Рассмотрены модели макроскопически толстых и атомарно тонких слоев, намагниченных перпендикулярно их плоскости. На основе самосогласованного метода функций Грина электродинамики в аналитической форме получены матрицы переноса циркулярно поляризованных волн и характеристики распространения света в периодических магнитных структурах при нормальном падении. Результаты применяются для анализа линейных по намагниченности магнитооптических эффектов в спектрах пропускания и отражения одномерных магнитных брэгговских структур, называемых магнитофотонными кристаллами. Для структур конечной толщины показано, что фарадеевское вращение и другие наблюдаемые магнитооптические величины существенно меняются в спектральной области стоп-зон магнитофотонного кристалла. При этом модуляция магнитным полем коэффициента отражения света, поляризованного в плоскости анализатора, значительно усиливается. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 04-02-17592). PACS: 78.20.Ls; 78.20.Ci; 78.20.Bh

Представлены результаты измерений фоточувствительности структур (p+-p-)-InP/n+-CdS, полученных выращиванием слоев фосфида индия и сульфида кадмия на подложках p+-InP с ориентацией (100). Токовая фоточувствительность структур составляет Si~= 0.13А/Вт при T=300K в спектральном диапазоне 1.3/2.4эВ. Обнаружена поляризационная фоточувствительность при наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность CdS. Величина наведенного фотоплеохроизма контролируется углом падения (theta) как ~theta2 и достигает максимальной величины ~ 50% при theta~= 75/80o. Максимальная азимутальная фоточувствительность достигает ~ 0.13А/Вт·град. Гетероструктуры InP/CdS могут найти применение в качестве поляриметрических фотодетекторов.

Для GaAs : Te с различной концентрацией электронов в диапазоне температур 77--230 K исследована поляризация полосы фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ, обусловленной резонансным возбуждением поляризованным светом комплексов VGaTeAs. В рамках развитой ранее модели этих дефектов в однодипольном приближении получены теоретические выражения для поляризации их излучения, учитывающие возможную переориентацию ян-теллеровских дисторсий комплексов. Показано, что температурная зависимость поляризации исследованной полосы хорошо описывается этими выражениями, и оценены параметры, характеризующие оптические диполи комплексов. Уменьшение поляризации при температурах выше ~ 120 K объясняется переносом возбуждения к комплексам с любыми возможными ориентациями исходной оси и ян-теллеровской дисторсии (вследствие термической эмиссии дырок возбужденными светом комплексами и их обратного захвата), а также частично может быть связано с переориентацией дисторсий в течение жизни излучающего состояния комплекса. Высота энергетического барьера для такой переориентации не ниже ~200 мэВ.

Экспериментальные значения поляризации низкотемпературного излучения комплексов VGaSnGa и VGaSiGa в n-GaAs при резонансном возбуждении поляризованным светом, распространяющимся вдоль кристаллографического направления [110] и [100], сопоставлены с выражениями, полученными в классическом дипольном приближении для дефектов триклинной и моноклинной симметрии. Показано, что доля ротатора в суперпозиции ротатора и осциллятора, представляющей излучение комплекса, составляет 17/18%. Направление оси этих диполей, удовлетворяющее экспериментальным данным, согласуется с предположением, что влияние донора на вакансионные орбитали дырки, локализованной на комплексе, меньше, чем влияние эффекта Яна--Теллера. При этом симметрия комплекса может быть как моноклинной, так и триклинной. В обоих случаях отклонение оси оптического диполя комплекса от направления оси диполя изолированной VGa, искаженной вследствие эффекта Яна--Теллера, для комплексов VGaSnGa и VGaSiGa меньше, чем для комплексов VGaTeAs. Последнее означает, что влияние донора на электронную структуру комплекса в VGaTeAs больше, чем в VGaSnGa и VGaSiGa. Это согласуется с различием в положении донора в этих комплексах.