Развит общий подход к задаче о спонтанном переносе светоиндуцированной анизотропии в схеме комбинационного рассеяния резонансного эллиптически поляризованного света. Обнаружено, что в зависимости от типа перехода (a) rightarrow (b), возбуждаемого полем, стационарное распределение атомов по подуровням конечного уровня (c), связанного с возбужденным уровнем только спонтанным переходом (b) to (c), является либо изотропным и не зависящим от параметров поля, либо анизотропным. Причем в последнем случае анизотропия определяется как поляризацией поля, так и (при достаточно больших значениях моментов уровней) его отстройкой и интенсивностью.

Изучено воздействие управляемых анизотропных потерь на топологическую структуру сложных эллиптически поляризованных световых полей. Показано, что они могут инициировать топологические реакции с рождением/аннигиляцией С-точек, седел и др. либо вызывать лишь их слабое смещение. Как сильный, так и слабый топологический отклики на возмущения могут реализоваться в едином поле на участках с различной степенью неоднородности поляризационных параметров поля.

Представлены результаты измерений метрологических характеристик темного псевдорезонанса (амплитуды, ширины и сдвига в магнитном поле), предложенного в работе Казакова и др. (arXive: quant-ph/0506167), в качестве опорного резонанса атомного стандарта частоты. Показано, что псевдорезонанс по своим характеристикам уступает нерасщепленному резонансу светоиндуцированной прозрачности для схемы возбуждения с поляризациями lin|lin на D1 линии 87Rb.

Исследована зависимость нелинейных магнито-оптических резонансов поглощения в Ханле-конфигурации от эллиптичности бегущей световой волны. Обнаружено, что параметры этого резонанса (амплитуда, ширина, отношение амплитуды к ширине) существенным образом зависят от поляризации световой волны. Так, например, при изменении поляризации от линейной к оптимальной эллиптической амплитуда резонанса может возрастать более чем на порядок. Показано, что природа этого эффекта связана с доплеровским сдвигом частоты для атомов в газе. Теоретические результаты подтверждены экспериментами в парах Rb.

Изучены температурные зависимости проводимости sigma(T) сильновзаимодействующей двумерной электронной системы в кремнии, как в нулевом, так и в спин-поляризующем магнитном поле 14.2 Т, параллельном плоскости образца. Измерения проведены в широкой области температур (1.4 - 9) K, в баллистическом режиме электрон-электронного взаимодействия Ttau > 1. В нулевом магнитном поле полученные данные sigma(T) количественно описываются теорией квантовых поправок за счет взаимодействия. В полностью спин-поляризованном состоянии измеренные зависимости sigma(T) нелинейны и даже немонотонны в том же самом диапазоне температур, в котором при отсутствии поля зависимости sigma (T) монотонны. Тем не менее, низкотемпературные части экспериментальных зависимостей sigma(T) линейны и качественно согласуются с вычисленными квантовыми поправками.

Измерены поляризационные спектры спонтанного терагерцового излучения в одноосно деформированном германии при пробое мелких акцепторов электрическим полем. В спектре излучения обнаружены линии с различной степенью поляризации по отношению к оси давления, относящиеся к оптическим переходам дырок между возбужденными и основным состояниями акцептора, а также к переходам дырок из валентной зоны на основное состояние примеси. При давлении порядка 3pm0.3 кбар в направлении [111] вблизи порога примесного пробоя степень линейной поляризации достигает sim80{-}90% на основных линиях терагерцового излучения. При возрастании напряженности электрического поля наблюдается деполяризация излучения, обусловленная разогревом неравновесных дырок электрическим полем.

Методом малоуглового рассеяния поляризованных нейтронов исследована магнитная спиральная структура образца Y/Dy в диапазоне температур от 30 до 190 K. Образец представляет собой последовательность слоев Y50 nm[Dy4.3nm/Y2.8nm]350/Y234nm/Nb200nmAl2O3 (подложка), выращенную как монокристалл с осью [001] гексагональной решетки, перпендикулярной плоскости слоев. Проведенные эксперименты демонстрируют появление магнитного пика ниже TN = 165.4 K, связанного с геликоидальной фазой, причем длина когерентности геликоида оказывается больше толщины слоя Y/Dy. Использование поляризованных нейтронов позволяет разделить поляризационно-зависящий и поляризационно-независящий вклады в магнитное рассеяние. Поляризационно-независящая часть магнитного нейтронного сечения пропорциональна квадрату намагниченности langle SZ rangle2, в то время как поляризационно-зависящая часть пропорциональна средней киральности системы langle C rangle = langle [S1/ S2]rangle. Установлены критические индексы для средней киральности beta_C = 1.02(1) и намагниченности beta = 0.39(1). Критический индекс намагниченности beta для Dy/Y совпадает с индексом, получаемым для объемных образцов Dy. Разница beta_C - 2beta = 0.24(2) показывает, что киральность может являться компонентой параметра порядка, не зависимой от намагниченности. Данный эксперимент подтверждает результаты, (PRB {bf 64}(2001) 100402(R)), полученные для критической киральности в Ho.

Рассмотрена кинетика оптической ориентации атомов в гелий-цезий газоразрядной плазме и получены кинетические уравнения, описывающие оптическую ориентацию атомов в случае двух одновременно протекающих процессов: упругого (спиновой обмен) и неупругого (хемоионизация). Экспериментально определены константы скорости этих процессов, которые оказались равны: Cse=(2.8± 0.8)· 10-9 cm3· s-1, Cci=(1.0± 0.3)· 10-9 cm3· s-1.

Рассчитано поле в окрестности сферически симметричного плазмоида с гауссовым распределением электронной концентрации, помещенного в линейно поляризованное однородное квазистатическое электромагнитное поле. Результаты расчета сравнены с известным полем сферического плазмоида с однородной концентрацией. Осуждена возможность трансформации возникающего в результате безэлектронного СВЧ пробоя газов начального плазмоида в СВЧ стример.

В рамках феноменологической теории исследовано влияние поляризованного по спину тока на доменную структуру в магнитном переходе, состоящем из двух ферромагнитных металлических слоев и разделяющего их ультратонкого немагнитного слоя. Намагниченность одного ферромагнитного слоя (слоя  1) предполагается фиксированной, в то время как намагниченность другого ферромагнитного слоя (слоя  2) свободна и может ориентироваться либо параллельно, либо антипараллельно намагниченности слоя  1. При этом слой  2 может быть разбит на домены. Перенос носителей тока из слоя  1 в слой  2 не сопровождается рассеянием спина на границе раздела, но приводит к эффекту инжекции спинов. За счет s-d-обменного взаимодействия инжектированные спины стремятся направить намагниченности в доменах параллельно слою  1. Вследствие этого происходит движение доменных границ и рост \glqq выгодных\grqq доменов. Путем решения уравнений непрерывности для носителей со спинами вверх и вниз вычислена средняя намагниченность, иинжектированная в слой  2 током, и ее вклад в энергию s-d-обмена. Из условия минимума полной магнитной энергии перехода найдены параметры периодической доменной структуры в слое  2 как функции тока через переход и магнитного поля. Показано, что даже в отсутствие поля поляризованный по спину ток может намагнитить слой 2 до насыщения. Необходимые для этого плотности тока составляют ~ 105 A/cm2. При наличии поля ток указанного порядка величины может компенсировать действие поля. Возможен также эффект перемагничивания слоя током.