При различных температурах измерены спектры возбуждения и наведенная поляризация полосы фотолюминесценции с максимумом вблизи энергии фотонов 1.18 эВ в n-GaAs, легированном Sn или Si с концентрацией электронов ~1018 см-3. Показано, что температурная зависимость наведенной поляризации этой фотолюминесценции, связанной с комплексами VGaSnGa или VGaSiGa, в области температур 77-230 K близка к соответствующей зависимости для комплексов VGaTeAs. Вместе с тем обнаружено слабое падение наведенной поляризации с ростом температуры в диапазоне 77-125 K, отсутствующее для комплексов VGaTeAs. Предполагается, что это отличие вызвано существованием в поглощающем и излучающем состояниях комплексов VGaSnGa и VGaSiGa возбужденных конфигураций, заселенность которых в поглощающем состоянии увеличивается с температурой. Различие в полной энергии возбужденной и основной конфигураций поглощающего состояния составляет 10-20 мэВ для комплексов VGaSnGa и 15-30 мэВ для комплексовVGaSiGa.

Показано, что полоса фотолюминесценции 1.2 эВ в n-GaAs:Te, связываемая с излучением комплексов VGaTeAs с переориентирующимися ян-теллеровскими дисторсиями, содержит также вклад непереориентирующихся дефектов. Параметры оптических диполей обоих типов дефектов близки. В предположении об их полном совпадении получены выражения, связывающие величины поляризации полосы фотолюминесценции 1.2 эВ, полученные при одноосном давлении и поляризованном резонансном возбуждении, с параметрами диполей, а также с относительным вкладом в излучение переориентирующихся и непереориентирующихся дефектов. Развита методика оценок этих характеристик из анализа экспериментальных данных и определено, что вклады дефектов каждого типа в полосу фотолюминесценции 1.2 эВ сравнимы, хотя и изменяются от образца к образцу. Полученные значения углов, характеризующих положение осей оптических диполей дефектов в поглощающем и излучающем свет состояниях, свидетельствуют, что в первом из них влияние донора и ян-теллеровской дисторсии на вакансионные орбитали комплекса VGaTeAs сравнимы, тогда как во втором--- влияние дисторсии доминирует.

Исследована при 77 K фотолюминесценция образцов GaAs:Te:Cu и GaAs:Su:Cu n-типа с концентрацией электронов ~ 1018 см-3. Вспектре фотолюминесценции при межзонном возбуждении доминировала широкая полоса с максимумом при энергии фотонов 1.30 эВ(GaAs:Te:Cu) или 1.27 эВ(GaAs:Sn:Cu), вызванная рекомбинацией электронов с дырками, локализованными на комплексах CuGaTeAs или CuGaSnGa. Обнаружено, что длинноволновый край спектра возбуждения этой фотолюминесценции при энергиях фотонов менее ~1.4 эВ определяется оптическим выбросом электронов с комплексов в зону проводимости или на мелкое возбужденное состояние. Значения поляризации фотолюминесцении при возбуждении поляризованным светом из этой спектральной области приводят к заключению, что исследованные комплексы не имеют дополнительных дисторсий, вызванных взаимодействием дырки, связанной на комплексе в излучающем состоянии, с локальными фононами низкой симметрии. Это отличает комплексы CuGaTeAs и CuGaSnGa от комплексов, содержащих вместо атомовCu вакансию галлия (VGa). Такое различие отражает различную степень взаимодействия дырки, локализованной на орбитали изолированного глубокого акцептора в состоянии, соответствующем его состоянию в комплексе перед излучением (Cu-Ga иV2-Ga), с низкосимметричными колебаниями атомов. Возмущение орбиталей дырки, вносимое донором в комплексе, практически не изменяет это взаимодействие.

Рассмотрена интерференция поляризованных лучей в тонких кристаллах CdS, расположенных между скрещенными поляризаторами. Показано, что в случае неполной поляризации интерферирующих лучей спектральное положение минимума пропускания вблизи изотропной точки становится зависимым от толщины кристалла.

Условия возникновения спонтанной спиновой поляризации в низкоразмерных системах в нулевом магнитном поле анализируются при слабом заполнении нижних подзон размерного квантования, когда обменное взаимодействие носителей тока доминирует над их кинетической энергией. Врамках приближения Хартри--Фока определяются критические концентрации, выше которых происходит полная спиновая деполяризация квазидвумерного и квазиодномерного газа носителей тока. Основное внимание уделяется возможной взаимосвязанности спиновой деполяризации с переходом двумерного газа в металлическое состояние, а также с эволюцией \glqq0.7(2e2/h)\grqq особенности, отщепленной от первой ступеньки квантовой лестницы проводимости одномерного канала, которая проявляется в изменении ее величины от e2/h до(3/2)e2/h при увеличении концентрации носителей тока.

Впервые измерена индуцированная магнитным полем циркулярная поляризация пика фотолюминесценции, связанного с A(+)-центрами квантовых ям. Показано, что степень поляризации в магнитном поле 4 Тл достигает 13%, тогда как его расщепление практически отсутствует. Развита теория, описывающая поведение тонкой спиновой структуры A(+)-центра в магнитном поле. Экспериментальные результаты хорошо согласуются с теоретическим расчетом. PACS: 73.20.Hb, 73.21.Cd, 78.67.Pt

Изучена фотоэмиссия поляризованных электронов из гетероструктур на основе InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами края зоны проводимости. Сравнение зависимости степени поляризации фотоэмиссии от энергии возбуждения с расчетными спектрами позволило определить вклад в потери поляризации на отдельных этапах фотоэмиссии. Максимальные значения поляризации P=91% при квантовом выходе0.14% близки к лучшим результатам, полученным для фотокатодов на основе напряженных полупроводниковых сверхрешеток. PACS: 68.65.Cd, 72.25.Fe, 72.25.Rb, 72.25.Dc, 78.67.Pt, 79.60.Jv

Аксенов В.л., Fredrikze H., Кожевников С.в., Никитенко Ю.в., Rekveldt M.th. Наблюдение пространственного расщепления поляризованного пучка нейтронов на границе раздела двух магнитно-неколлинеарных сред // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 90-91

Городничев Е.е., Кузовлев А.и., Рогозкин Д.б. Малоугловое многократное рассеяние циркулярно поляризованного света в случайно-неоднородных средах с крупномасштабными неоднородностями // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 137-139

Андреева Е.а., Богданов А.а., Коротков В.а., Новак В.д., Нурушев С.б., Стриханов М.н., Шестерманов К.е., Васильев А.н. Возможный поляриметр на базе инклюзивных нейтральных пионов для поляризованного протонного кольца ГЕРА // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 56-58