Рассмотрены основные причины диффузионного расплывания состава твердого раствора в окрестности границ Si транспортного канала в гетероструктуре Si / Si1-xGex, выращиваемой комбинированным методом молекулярно-пучковой эпитаксии с твердофазным (Si) и газофазным (GeH4) источниками. Для выращенных структур проведено сопоставление роли различных механизмов в формировании профиля металлургической границы слоя и оценено влияние расплывания границ канала на величину подвижности двумерных электронов в нем.

Проведено исследование структурных свойств и пространственных неоднородностей слоев AlxGa1-xN, выращенных на сапфировых подложках(0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Обнаружено неравномерное распределение Al по толщине эпитаксиальных слоев, полученных при постоянных потоках ростовых компонент. На основе данных рентгенодифракционного анализа и катодолюминесценции предложена модель формирования слоев с композиционным профилем. Установлено, что однородные образцы удается получить путем увеличения потока триметилалюминия на начальной стадии роста слоя относительно всего последующего процесса роста. Показано, что снижение скорости роста позволяет уменьшить напряжения в эпитаксиальном AlxGa1-xN-слое. Обсуждается влияние напряжений на люминесцентные свойства выращенных слоев.

Исследовано изменение химического состава поверхности CdxHg1-xTe при обработке атомарными пучками кислорода и водорода, полученными методом электронного удара в высокочастотной плазме N2O иH2. Показано, что последовательное воздействие пучков атомарного кислорода и водорода приводит к удалению с поверхности образцов углеродосодержащих соединений, слоя собственного оксида и теллура в элементном состоянии.

Представлен программный комплекс, обеспечивающий возможности прямого и обратного быстрого Фурье преобразования изображений, фильтрации различными способами шумов и частотных окон, определения локальных межплоскостных расстояний по высокоразрешающим электронно-микроскопическим изображениям поперечных сечений. Алгоритм определения локальных межплоскостных расстояний включает получение отфильтрованного по соответствующей комбинации рефлексов высокоразрешающего изображения в результате двойного быстрого преобразования Фурье и последующее определение характерных локальных межплоскостных расстояний по полученному изображению. Отметим, что особенностью алгоритма определения межплоскостных расстояний является использование весового метода с коррекцией области интегрирования. Получаемые в результате обработки карты локальных межплоскостных расстояний могут быть использованы для определения химического состава: в твердых растворах замещения, например AxB1-x, AxB1-xC. Действие метода продемонстрировано на примере обработки высокоразрешающего электронно-микроскопического изображения гетероструктуры с субмонослойной решеткой InGaAs/GaAs.

Предложена методика определения стехиометрического состава собственного полупроводника Hg1-xCdsTe с использованием эффекта поля в электролите. Оригинальный сравнительный анализ вольт-фарадных характеристик, полученных экспериментально и рассчитанных в рамках квантового описания области пространственного заряда, позволяет найти значениеx в приповерхностном слое полупроводника на глубине, соизмеримой с дебаевским радиусом экранирования. Представлены результаты определения стехиометрического состава четырех образцов Hg1-xCdxTe (x=0.205, 0.245, 0.290,0330).

Изучено влияние избыточного содержания CdS в тиогаллате кадмия на спектр дефектных состояний в его запрещенной зоне. Проведены сравнительные исследования спектров комбинационного рассеяния, фото- и катодолюминесценции, а также кинетики фотопроводимости в исходных кристаллах (типаA) икристаллах, полученных в условиях избыточного содержания CdS (типаB). Установлено, что основными типами дефектовA-кристаллов являются вакансии кадмия и серы, антиструктурные дефекты донорного типа GaCd, а также дефекты IS, обусловленные внедрением атомов газа--транспортера. В кристаллах типаB, наряду с IS основными дефектами являются антиструктурные дефекты акцепторного типа CdGa имежузельные атомы Cdi и Si. Показано, что излучательные характеристики исследованных кристаллов обусловлены ассоциатами указанных дефектов. Впервые обнаружена полоса люминесценции с энергией максимума hnum=0.971 эВ, обусловленная внутрицентровыми переходами в расщепленной врезультате действия кристаллического поля и спин-орбитального взаимодействия d-оболочке кадмия дефекта CdGa в присутствииSi.

Определен набор глубоких электронных состояний в текстурированном поликристалле p-CdTe состава, близкого к стехиометрическому, методом емкостной спектроскопии (DLTS). Наблюдались четыре дырочные и две электронные ловушки. Показано, что наиболее глубокая дырочная ловушка с уровнем Ev+0.86 эВ является преобладающим дефектом в данном материале. Особенности формы линии в спектре DLTS и логарифмическая зависимость заселенности этого уровня от длительности заполняющего импульса соответствуют протяженному дефекту, обусловленному, наиболее вероятно, дислокациями на границах зерен.

Сообщается орезультатах сравнительных исследований стехиометрии состава эпитаксиальных пленок теллурида кадмия, синтезированных из паровой фазы вравновесных и резко неравновесных условиях (на охлажденных подложках). Приводятся данные микрорентгеноструктурного и атомно-абсорбционного анализа пленок и паровой фазы. Выявлено повышение стехиометричности состава при понижении температуры подложки. Показано, что наиболее совершенную кристаллическую структуру имеют пленки, синтезированные врезко неравновесных условиях.

Впервые исследованы спектры фотолюминесценции и возбуждения стекол стехио- инестехиометрического составов спримесьюAu при T=77 K. Обнаружено расщепление спектра фотолюминесценции встеклах нестехиометрического состава смалой концентрацией примеси надве полосы, одна изкоторых обусловлена примесью.

Впленках CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs при повышенных температурах, установлены аномалии электрофизических свойств. Аномалии проявляются ванизотропии проводимости, изменении спектров пропускания и фотопроводимости при низкотемпературном отжиге, а также в наличии периодического волнообразного микрорельефа поверхности. Исследована температурная зависимость проводимости вдоль и поперек волн микрорельефа. Предполагается, что пленка CdxHg1-xTe с аномальными электрофизическими свойствами представляет собой самопроизвольно сформированную периодическую структуру ввиде вертикальных наностенок разного состава. Рассматриваются возможные механизмы формирования такой структуры.