Показано, что в гетероструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией из металлорганических соединений при атмосферном давлении, можно управлять энергией основного перехода в квантовых точках в области, перекрывающей оба окна прозрачности оптического волокна на длинах волн1.3 и1.55 мкм, путем изменения толщины и состава тонкого двойного покровного слоя GaAs/InxGa1-xAs. Вэтих структурах имеет место также красное смещение энергии основного перехода в квантовой яме InxGa1-xAs в результате образования гибридной квантовой ямы InxGa1-xAs/InAs (смачивающий слой) между квантовыми точками. Вдиодах Шоттки на таких структурах обнаружено увеличение обратного тока, связанное с термоактивированным туннелированием электронов из металла на уровни квантовых точек.

Определена роль примесной донорной зоны в проводимости сильно легированного и компенсированного интерметаллического полупроводника TiCoSb. Произведен расчет электронной структуры полупроводникового твердого раствора TiCo1-xNixSb. Предложена модель перестройки примесной зоны полупроводника TiCoSb при легировании донорными примесями. Выявлен переход проводимости от активационной к металлической при изменении состава твердого раствора TiCo1-xNixSb, который мы связываем с переходом Андерсона. PACS: 71.20.Nr, 71.30.+h, 72.20.Pa, 75.20.Ck, 81.05.Hd

Метод спектроскопии комбинационного рассеяния света использовался для контроля состава и деформаций пленок твердых растворов GexSi1-x с 0.17=<q x=<q 1.0. Состав и деформации в пленках были определены также из данных дифракции рентгеновских лучей. Вспектрах комбинационного рассеяния анализировалось не только положение, но и интенсивность пиков рассеяния на колебаниях Ge-Ge-, Ge-Si- иSi-Si-связей. Это позволило существенно уточнить некоторые параметры модели для расчета состава и деформаций в гетероструктурах GexSi1-x/Si(100) из данных спектроскопии комбинационного рассеяния. PACS: 63.22.+m, 81.15.Hi, 78.30.Am

Алферов П.в. Применение Мессбауэровской спектроскопии для изучения фазового состава берилия с малым содержанием железа // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 17-19

Маркилов А.а., Родин В.г. Корреляционный анализ изображений в оптических системах различного спектрального состава // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 70-71

Корнилов С.т., Миронов В.д., Чжан Вей Применение 13СО2-лазера для анализа изотопного состава углекислого газа в выдохе человека // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 178-179

Богданов А.г. Мюоны в составе ШАЛ // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 70-72

Аткин Э.в., Кондратенко С.в., Масленников В.в., Плешко А.д., Сатосин М.в. Выбор структуры и состава специализированного аналогового базового матричного кристалла (АБМК) // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.5 Информатика, вычислительная техника. Автоматизация. Электронные измерительные системы. Информационные технологии и электроника. Электроника. Микроэлектроника, стр. 243

Малыгин В.б. Ползучесть оксидного топлива достехиометрического состава // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.5 Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики, стр. 84-85

Хаддад К., Бушуев А.в., Зубарев В.н., Квасов В.и., Портнов А.а. Изучение содержания и изотопного состава урана в высокообогащенном топливе ИРТ-МИФИ // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.5 Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики, стр. 203-204