На примере меди теоретически рассмотрено влияние облучения на кривые растяжения и стабильность деформации радиационно-упрочненных металлов. Анализ базируется на уравнении эволюции плотности дислокаций с деформацией в пластически деформируемом материале. Неустойчивость деформации на начальной стадии кривых растяжения обусловлена сильной локализацией деформации на микроуровне в результате превращения неподвижных радиационных дефектов (вакансионных и межузельных петель) в подвижные дислокации. Из-за каналирования большого числа дислокаций вдоль плоскостей скольжения на кривых напряжения-деформация возникают зуб и площадка текучести. Найдены критические условия их появления и теоретические зависимости длины площадки текучести и величины равномерной деформации до образования шейки от дозы облучения.

Исследованы низкотемпературные (T=4.2-77 K) спектры поглощения нанокристаллов CuCl и CuBr в матрице фотохромных стекол. Обнаружена тонкая структура экситонных полос поглощения (Z3-полосы в CuCl и Z12-полосы в CuBr) и изучено ее поведение в зависимости от размеров нанокристаллов. Сделано предположение, что высокоэнергетическая компонента обусловлена стабилизацией высокотемпературной гексагональной beta-фазы в образцах малых размеров, и показано, что с увеличением размеров нанокристаллов происходит их переход в стабильную кубическую модификацию.

В кристаллах BaF2 синтезированы примесные тримеры меди с антиферромагнитной связью между ионами Cu2+. В некоторых образцах BaF2 : Cu концентрация тримеров оказалась выше концентрации димеров и центров одиночных ионов меди. Исследования, выполненные методом ЭПР на частотах 9.3, 23 и 37 GHz и в температурном диапазоне 4.2-77 K, выявили сильные зависимости величин компонент эффективного g-тензора синтезированных тримеров от внешнего магнитного поля и от температуры. На основе полученных экспериментальных данных предложена статическая модель молекулярной структуры тримера. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-16616).

Рассматривается модель роста кристаллов, учитывающая особенности электрокристаллизации в условиях, когда тепло- и массообмен играет существенную роль. Исследуется эволюция температуры островка роста на начальных стадиях электрокристаллизации в зависимости от выбранного режима осаждения на подложках с малой адгезией. Анализируются возможные сценарии развития событий в растущем островке, приводящие в том числе к образованию пентагональных малых частиц. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (региональный проект N 05-02-96508) PACS: 61.46.Df, M68.65.-k, M65.80.+n

Исследованы температурное и ориентационное поведение спектра ЭПР в окрестности случайного совпадения положений сигналов (однородно уширенных или с антисимметричным распределением спиновых пакетов) примесных центров Cu2+ и Gd3+ в сегнетоэлектрическом Pb5Ge3O11. Компьютерная симуляция ЭПР спектра взаимодействующих (обменивающихся) компонент позволила оценить параметры уширения и взаимодействия спектральных компонент. Работа выполнена в рамках проекта (N 34113) ведомственной научной программы \glqq Развитие научного потенциала высшей школы\grqq. PACS: 76.20.+q, 76.30.Fc, 76.30.Kg

Исследована кинетика процесса плавления-диспергирования тонких пленок меди различной толщины. Показано, что плавление пленки возникает в локальных местах и далее область плавления распространяется фронтом. Установлено, что плавление пленки одной и той же толщины может наступать спустя разное время при различных температурах: от почти мгновенного при более высоких температурах до плавления в течение нескольких часов при более низких. Определена зависимость энергии активации процесса плавления-диспергирования от толщины пленки меди. Вид зависимости энергии активации объяснен с позиций гидродинамики. Рассмотрен механизм процесса плавления-диспергирования. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-03-32744-a, 05-08-01508-a). PACS: 61.46.+w, 64.70.Dv, 68.35.Md, 68.60.Dv

Приведены результаты комплексного исследования люминесцентных свойств монокристаллов диселенида меди--алюминия CuAlSe2. Обнаружено, что спектр люминесценции нелегированных монокристаллов соединения гомогенного состава имеет сложную структуру. Путем отжига в различных атмосферах осуществлена модификация люминесцентных свойств. Анализируется природа излучательных переходов в данном полупроводнике.

Исследовались специально не легированные и легированные медью (NCu=1018 см-3) монокристаллы CdS. На основании анализа дозовых зависимостей интенсивности оранжевой люминесценции (lambdaM=605 нм) "чистых" и легированных образцов при облучении электронами с E=1.2 МэВ и быстрыми реакторными нейтронами делается вывод о комплексной природе центров, ответственных за эту люминесценцию. Они состоят из межузельных атомов кадмия и атомов кислорода. Электронное облучение монокристаллов CdS : Cu ведет к образованию новых центров, ответственных за люминесценцию с lambdaM=570 и 545 нм.

Показано, что введение атомов меди в кристаллы арсенида галлия, содержащего антиструктурные дефекты EL2, приводит к практически полному исчезновению индуцированных последними полос люминесценции с положением максимумов излучения hnum=0.63 и 0.68 эВ. Отмеченное обусловлено дезактивацией дефектов EL2 вследствие их взаимодействия с атомами меди, приводящей к образованию электрически неактивных комплексов EL2-Cu.

Изучено влияние нейтронного облучения (энергия E=2 МэВ, поток Phi=1013/ 1015 см-2) и последующих отжигов (температура отжига Ta=400/ 700oC, длительность 30 мин) кристаллов n-GaAs<Te,Cu> с исходной концентрацией носителей n0=2· 1018см-3 на интенсивность обусловленной атомами меди полосы люминесценции с положением максимума излучения hnum=1.01 эВ. Наблюдалось значительное увеличение интенсивности полосы в результате облучения. Это объясняется радиационно-стимулированным возрастанием концентрации излучающих центров (пар CuGaVAs) вследствие эффективного взаимодействия межузельных атомов меди с индуцированными облучением вакансиями галлия VGa, мышьяка VAs и дивакансиями VGaVAs.