В интервале температур 77--400 K исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) и спектры возбуждения люминесценции (СВЛ) кристаллов n-ZnSe, легированных медью в процессе диффузии ее в кристал из жидкой, паровой и твердой фазы. Показано, что структура ассоциативных центров свечения, ответственных за излучение в красной и зеленой области спектра, зависит от способа легирования медью кристаллов n-ZnSe. Установлено, что в процессе межфазного взаимодействия на границе кристалл ZnSe--- металлическая пленка меди имеет место растворение атомов Zn в медной пленке наряду с диффузией атомов меди в кристалл селенида цинка.

Проанализировано влияние диффузии меди в полуизолирующие нелегированные кристаллы GaAs на интенсивность собственной люминесценции. Показано, что диффузия меди в полуизолирующие нелегированные кристаллы GaAs может приводить как к повышению, так и понижению интенсивности собственной люминесценции. Получены аналитические соотношения, связывающие величину и знак эффекта с рекомбинационными параметрами указанных кристаллов, а также с интенсивностью возбуждения люминесценции.

В приближении сильно связанных электронов рассчитываются энергетическимй спектр вблизи оптической щели и распределение эффективного заряда в графитоподобных углеродных нанокластерах простых конфигураций в a-C : H, содержащих атом примеси Cu. В расчете учитывается только взаимодействие pi-электронов атомов C с валентным 4s-электроном атома Cu. Вычисляются энергия связи атома Cu в кластерах и статический дипольный момент кластеров. На основе полученных результатов наблюдаемая экспериментально активация рамановской полосы G в спектре инфракрасного поглощения a-C : H : Cu интерпретируется как следствие понижения симметрии графитоподобных кластеров, индуцированного интеркаляцией меди. Приводятся экспериментальные данные о временной зависимости интенсивности полосы G при изотермическом отжиге, свидетельствующие о возможности обратимого термоактивированного перехода между состояниями примеси Cu в медно-углеродном и чисто медном кластерах. Из эксперимента оцениваются средние энергии активации прямого и обратного переходов.

Эфекты автокомпенсации фосфида галлия при его диффузионном легировании медью, амфотерность электрической активности примеси, аномалии кинетики собственной фотопроводимости и ее ИК гашения объяснены в модели реконструкции связей примесного атома меди с ближайшим окружением. При этом акцепторное состояние связывается с узельной медью в тетраэдрической координации, а донорное обусловлено медью, связанной лишь с двумя из четырех атомов фосфора.

Анализируется эффект сверхбыстрого низкотемпературного легирования халькогенидных стеклообразных пленок (As--Se, Ge--Se идр.) рядом металлов (Cu, Ag, Au, Cr идр.), обнаруженный ранее в гетероструктурах металл/<халькогенидная стеклообразная пленка> при 250/350 K.

Приводятся экспериментальные результаты исследования методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии поверхности пленок аморфного гидрированного углерода, легированного медью. Результаты свидетельствуют о проявлении эффекта пространственной упорядоченности наноструктур в тонких пленках на основе углерода и меди. Измерены геометрические параметры наноструктур. В рамках модели Симмонса проведена оценка величины работы выхода (varphi~0.05 эВ). Обнаружены осцилляции дифференциальной проводимости с периодом по напряжению Delta V=200/400 мВ в туннельных контактах Ir--пленка. Обсуждается природа наблюдаемых осцилляций.

Предложена схема взаимодействия между некоторыми легирующими элементами в твердых растворах на основе полупроводников, включающая реакцию образования заряженного комплекса при введении в раствор двухзарядных доноров или акцепторов. С использованием выражения для закона действующих масс реакций ионизации легирующих добавок и взаимодействия между ними, а также с учетом электронно-дырочного взаимодействия и условия электронейтральности полупроводника получены аналитические выражения зависимости растворимости доноров от содержания акцепторов, и наоборот. Полученные соотношения апробированы на примере системы Ce--Cu--Sb. Показано, что рассчитанные на основе развитой теории и экспериментальные значения растворимости хорошо согласуются между собой.

Исследовано удельное сопротивление и эффект Холла в легированных медью кристаллах p-Hg0.8Cd0.2Te в интервалах температур 4.2-125 K и концентраций Cu от 2.6·1015 до 2·1018 см-3. Показано, что традиционный метод определения энергии ионизации примесей по углу наклона зависимости RH(T) в данном случае неприменим. Для получения корректных результатов необходимо учитывать строение примесной зоны и экранирование заряда примеси свободными носителями тока. Предложена упрощенная модель структуры примесной зоны, позволяющая рассчитать энергию ионизации акцепторов при слабом легировании и слабой компенсации. В рамках такого подхода найдено, что энергия ионизации меди при T=0 слабо зависит от ее концентрации и для изолированного акцептора равна EA=7.6 мэВ, что совпадает с теоретическим значением. При конечных температурах энергия ионизации акцепторов заметно уменьшается в результате экранирования.

В a-C : H, модифицированном медью, исследовалась активация в инфракрасном поглощении запрещенных в отсутствие меди квазирамановских колебательных мод графеновых плоскостей. Проведено сравнение параметров квазирамановских полос G и D в спектрах оптического поглощения в области колебательных частот углерод-углеродных связей и истинно рамановских полос в спектрах рамановского рассеяния чистого и модифицированного медью a-C : H. Утверждается, что достаточно хорошее совпадение частот истинно рамановских полос в a-C : H и квазирамановских полос в a-C : H (Cu) свидетельствует о том, что взаимодействие атомов меди c углеродной матрицей практически не нарушает целостности графеновых колец и может рассматриваться как интеркаляция. Для идентификации наблюдаемых квазирамановских и сопутствующих им полос рассмотрены корреляционные соотношения между их параметрами. Из соотношения интегральных интенсивностей полос D и G сделана оценка размеров графитоподобных кластеров и их зависимости от содержания меди в пленке.

На конденсатах ZnSe, полученных осаждением из газовой фазы и легированных Cu в процессе роста, исследовано влияние отклонения от стехиометрии, концентрации меди и кислорода на спектры катодолюминесценции. Результаты дополнены изучением микроструктуры и микросостава в растровом электронном микроскопе, измерениями электропроводности и расчетами равновесия собственных точечных дефектов. Показано, что трем типам Cu-центров всегда сопутствуют самоактивированные центры, включающие кислород в узле решетки OSe. Парные центры: SA(I)--Cu(I), SAL(II)--Cu(II) и III--Cu(III) типичны для всех соединений AIIBVI. Все наблюдаемые I--III медные центры--- ассоциативные. Предложены модели центров свечения. Смена типа свечения I--III связана с перезарядкой одной и той же группы дефектов, включающей OSe, Zn(Cu) и VZn. Обнаружены новые эффекты в области полос I--III, связанные с глубокой очисткой материала.