Народная песня, первоначально созданная группой певцов или отдельным композитором, остаётся жить, будучи многократно повторенной, переходя из уст в уста; при каждом таком повторении возможно её видоизменение, и в результате народные песни представляют собой наиболее глубокое, верное и художественно совершенное воплощение в музыке духа и характера того народа, которому они принадлежат. Народ свои песни шлифует в продолжение столетий и доводит до высшей степени искусства. Но народ не просто хранил в памяти плоды своего художественного творчества, он постоянно, сам, может быть, того не осознавая, совершенствовал свои песни, сказки, пословицы и поговорки — шлифовал, обновлял, приспосабливал их к особенностям музыкально - художественных песнопевчесих традиций своего родимого края.

Методами рамановского рассеяния и фотолюминесцентной спектроскопии изучены субструктура и люминесценция низкотемпературных эпитаксиальных твердых растворов AlGaAs. Показано, что полученные в ходе работы экспериментальные данные коррелируют с результатами структурных и оптических исследований, проведенных в предыдущей работе. Подтверждено предположение о том, что при высоких концентрациях углеродного акцептора атомы последнего концентрируются на дефектах кристаллической решетки твердого раствора AlGaAs с образованием нанокластеров углерода.

Представлены данные рентгеновской дифракции и инфракрасной спектроскопии для полученных МОС-гидридным методом гетероструктур Alx Ga1−x As : Si/GaAs(100) и гомоэпитаксиальных структур GaAs : Si/GaAs(100), легированных кремнием до ∼ 1 ат%. Показано, что образование твердых растворов с кремнием в гомоэпитаксиальных структурах приводит к уменьшению параметра кристаллической решетки эпитаксиального слоя и отрицательной величине рассогласования с параметром монокристаллической подложки, a < 0. В то же время образование четверных твердых растворов в гетероструктурах Alx Ga1−x As : Si/GaAs(100) не приводит к существенным напряжениям кристаллической решетки. Введением кремния в эпитаксиальные слои этих гетероструктур можно добиться полного согласования параметров кристаллических решеток пленки и подложки при соответствующем подборе технологических условий роста эпитаксиальных слоев.

Методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии изучено явление неустойчивости твердых растворов полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур Gax In1−x P/GaAs(100) в области составов x ≈ 0.50. Показана возможность появления модулированных релаксационных структур на поверхности твердого раствора Gax In1−xP, вследствие чего появляются сателлиты основных рентгеновских рефлексов, соответствующих однофазной структуре.

Методами рентгеноструктурного анализа и фотолюминесцентной спектроскопии показана возможность возникновения неоднородностей в жидкофазных эпитаксиальных гетероструктурах, возникающих в результате спинодального распада «погруженного» четверного твердого раствора In1–xGaxAsyP1–y по причине несмешиваемости его компонентов и релаксации параметра его кристаллической решетки к окружающим слоям.

Методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии исследованы эпитаксиальные гетероструктуры InxGa1−x As/GaAs(100), выращенные МОС-гидридным методом, со значительно рассогласованными параметрами решетки. Рассчитан коэффициент релаксации кристаллической решетки эпитаксиального твердого раствора, и оценена энергия деформации. Показано, что при концентрациях атомов In в металлической подрешетке, близких к x = 0.5, сверхструктурная фаза, образовавшаяся на поверхности эпитаксиального твердого раствора InxGa1−xAs, представляет собой соединение InGaAs2 со слоисто-тетрагональной (layered thetragonal) кристаллической решеткой и упорядоченным расположением атомов металлической подрешетки в плоскости роста эпитаксиальной пленки.

Оптические свойства высоколегированных эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1–xAs:Si/GaAs(100)

Исследовались МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе пятикомпонентных твердых растворов AlxGayIn1-x-yAszP1-z, выращенные в области составов изопериодических GaAs. Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии показано, что на поверхности гетероструктур присутствуют наноразмерные объекты, имеющие форму островков, которые могут выстраиваться на поверхности твердого раствора в линейном направлении. На основании расчетов параметров кристаллической решетки с учетом внутренних напряжений можно предположить, что новое соединение является фазой на основе твердого раствора AlxGayIn1-x-yAszP1-z.

В статье на материалах Тамбовской области выявлены основные тенденции в развитии внутрисоюзных отношений в провинциальных комсомольских организациях 1953-1957 гг. Наряду с развитием критики и самокритики, принципа коллегиальности при принятии решений, восстановлением выборности всех комсомольских органов авторы обращают внимание на иждивенческие настроения, шапкозакидательство, превалирование «бумажных» методов руководства, неравномерное распределение поручений и другие явления, не позволившие, в конечном счете, оправдать надежды на радикальные перемены в период внутрисоюзной «оттепели».

Статья посвящена проблеме датировки известного «ночного сражения» под Сингарой (Верхняя Месопотамия) между римской и персидской армиями, о котором источники сообщают весьма противоречивую информацию. Выделяются и анализируются две группы источников, одна из которых (речи Юлиана и Либания) позволяет датировать «ночное сражение» 344 г. н.э., вторая («Хроника» Иеронима, «Константинопольские консулярии» и «Хронологические каноны» Якова Эдесского) - 348 г. н.э. Автор выдвигает и обосновывает гипотезу, согласно которой под Сингарой произошло не одно, а два «ночных сражения», которые датируются 344 и 348 гг. Данный вывод позволяет внести некоторые коррективы и ясность в хронологию военно-политической истории Верхней Месопотамии середины IV в. н. э.