Найдено научных статей и публикаций: 1, для научной тематики: Полупроводниковые эпитаксиальные гетероструктуры Gax In1−x P/GaAs(100) в области составов x ≈ 0.50
1.
А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.]
- Физика и техника полупроводников , 2009
Методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии изучено явление неустойчивости твердых
растворов полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур Gax In1−x P/GaAs(100) в области составов x ≈ 0.50. Показана возможность появления модулированных релаксационных структур на поверхности твердого...
Методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии изучено явление неустойчивости твердых
растворов полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур Gax In1−x P/GaAs(100) в области составов x ≈ 0.50. Показана возможность появления модулированных релаксационных структур на поверхности твердого раствора Gax In1−xP, вследствие чего появляются сателлиты основных рентгеновских рефлексов, соответствующих однофазной структуре.
Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т.43.- №9. – С. 1261–1266.