Найдено научных статей и публикаций: 1, для научной тематики: МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры
1.
П.В.Середин , А.В.Глотов, Э.П.Домашевская, А.С.Леньшин, М.С.Смирнов, И.Н.Арсентьев *, Д.А.Винокуров *, А.Л.Станкевич *, И.С.Тарасов *
- Физика и техника полупроводников , 2011
Исследовались МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе пятикомпонентных твердых растворов AlxGayIn1-x-yAszP1-z, выращенные в области составов изопериодических GaAs. Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии показано, что на поверхности гетероструктур присутствуют на...
Исследовались МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе пятикомпонентных твердых растворов AlxGayIn1-x-yAszP1-z, выращенные в области составов изопериодических GaAs. Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии показано, что на поверхности гетероструктур присутствуют наноразмерные объекты, имеющие форму островков, которые могут выстраиваться на поверхности твердого раствора в линейном направлении. На основании расчетов параметров кристаллической решетки с учетом внутренних напряжений можно предположить, что новое соединение является фазой на основе твердого раствора AlxGayIn1-x-yAszP1-z.
Физика и техника полупроводников. – 2011. – Т.46.- №6.